提供减少的粒子产生的静电过滤器的制作方法

技术特征：
1.一种离子植入系统，包括：静电透镜，包括用于接收离子束的入口及用于向靶标递送所述离子束的出口，所述静电透镜包括：沿着离子束线的第一侧设置的第一端子电极、第一抑制电极及第一接地电极，其中所述第一接地电极被接地且邻近所述出口定位；及沿着所述离子束线的第二侧设置的第二端子电极、第二抑制电极及第二接地电极，其中所述第二接地电极被接地且邻近所述出口定位；及电源供应器，能够操作以向所述静电透镜供应电压及电流以用于控制所述离子束。2.根据权利要求1所述的离子植入系统，其中所述第二抑制电极被定位在沿着所述离子束线的比所述第一抑制电极更下游处。3.根据权利要求1所述的离子植入系统，还包括沿着所述离子束线的所述第一侧的第一组被供电电极及沿着所述离子束线的所述第二侧的第二组被供电电极，其中所述第一组被供电电极及所述第二组被供电电极能够操作以使所述离子束减速及偏转。4.根据权利要求1所述的离子植入系统，其中所述第一抑制电极与所述离子束线之间的第一距离小于所述第二抑制电极与所述离子束线之间的第二距离，且其中所述第二抑制电极定位在所述入口与所述靶标之间延伸的视线下方，以屏蔽所述第二抑制电极从而免受来自所述靶标的溅射材料的影响。5.根据权利要求1所述的离子植入系统，其中所述第一端子电极及所述第二端子电极被保持于端子电压。6.根据权利要求5所述的离子植入系统，其中所述第一抑制电极及所述第二抑制电极的电压小于或等于所述端子电压。7.根据权利要求1所述的离子植入系统，还包括定位在所述静电透镜与晶片之间的等离子体泛射式枪，其中所述等离子体泛射式枪及所述晶片相对于所述静电透镜以一角度取向。8.根据权利要求1所述的离子植入系统，其中所述第一抑制电极与所述第一接地电极之间的第一距离大于所述第二抑制电极与所述第二接地电极之间的第二距离。9.一种透镜，包括：腔室，具有用于接收离子束的入口及用于向靶标递送所述离子束的出口；沿着离子束线的第一侧设置的第一端子电极、第一抑制电极及第一接地电极，其中所述第一接地电极被接地且紧邻所述出口定位；及沿着所述离子束线的第二侧设置的第二端子电极、第二抑制电极及第二接地电极，其中所述第二接地电极被接地且紧邻所述出口定位，并且其中所述第二抑制电极被定位在沿着所述离子束线的比所述第一抑制电极更下游处。10.根据权利要求9所述的透镜，其中所述第一抑制电极与所述离子束线之间的第一距离小于所述第二抑制电极与所述离子束线之间的第二距离，其中所述第二端子电极、所述第二接地电极及所述第二抑制电极定位在所述入口与所述靶标之间延伸的视线下方，其中所述视线由所述第二接地电极的内表面来界定，且其中所述第二接地电极屏蔽所述第二端子电极及所述第二抑制电极以免受来自所述靶标的溅射材料的影响。11.根据权利要求10所述的透镜，还包括沿着所述离子束线的所述第一侧的第一组被
供电电极及沿着所述离子束线的所述第二侧的第二组被供电电极，其中所述第二组被供电电极定位在所述视线下方。12.根据权利要求11所述的透镜，其中所述第一组被供电电极及所述第二组被供电电极能够操作以使所述离子束减速及偏转。13.根据权利要求9所述的透镜，其中所述第一端子电极及所述第二端子电极被保持于端子电压。14.根据权利要求13所述的透镜，其中所述第一抑制电极及所述第二抑制电极的电压小于或等于所述端子电压。15.根据权利要求9所述的透镜，其中所述第一抑制电极与所述第一接地电极之间的第一距离大于所述第二抑制电极与所述第二接地电极之间的第二距离。16.一种方法，包括：提供静电透镜，所述静电透镜包括用于接收离子束的入口及用于向靶标递送所述离子束的出口，所述静电透镜包括：沿着离子束线的第一侧设置的第一端子电极、第一抑制电极及第一接地电极，其中所述第一接地电极被接地且邻近所述出口定位；及沿着所述离子束线的第二侧设置的第二端子电极、第二抑制电极及第二接地电极，其中所述第二接地电极被接地且邻近所述出口定位；及向所述静电透镜供应电压及电流以用于控制所述离子束。17.根据权利要求16所述的方法，还包括将所述电压及所述电流提供给沿着所述离子束线的所述第一侧的第一组被供电电极及沿着所述离子束线的所述第二侧的第二组被供电电极，其中所述第一组被供电电极及所述第二组被供电电极能够操作以使所述离子束减速及偏转。18.根据权利要求16所述的方法，还包括将所述第一端子电极及所述第二端子电极保持于端子电压。19.根据权利要求18所述的方法，还包括将所述第一抑制电极及所述第二抑制电极的电压保持于小于或等于所述端子电压的电平。20.根据权利要求16所述的方法，还包括：将所述第一抑制电极定位在距所述第一接地电极为第一距离处；及将所述第二抑制电极定位在距所述第二接地电极为第二距离处，其中所述第二距离小于所述第一距离。

技术总结
本文提供用于减少静电透镜中的粒子产生的途径。在一些实施例中，一种离子植入系统可包括：静电透镜，包括用于接收离子束的入口及用于向靶标递送离子束的出口，所述静电透镜包括沿着离子束线的第一侧设置的第一端子电极、第一抑制电极及第一接地电极，其中第一接地电极被接地且邻近出口定位。静电透镜可包括沿着离子束线的第二侧设置的第二端子电极、第二抑制电极及第二接地电极，其中第二接地电极被接地且邻近出口定位。植入系统还可包括电源供应器，所述电源供应器可操作以向静电透镜供应电压及电流，用于控制离子束。用于控制离子束。用于控制离子束。


技术研发人员：亚历山大
受保护的技术使用者：应用材料股份有限公司
技术研发日：2020.10.25
技术公布日：2022/7/22