显示面板及显示装置的制作方法

技术特征：
1.一种显示面板，其特征在于，包括第一显示区和第二显示区，其特征在于，所述显示面板包括：第一衬底；第一遮光层，设置于所述第一衬底的一侧；第二遮光层，设置于所述第一遮光层远离所述第一衬底的一侧；第一电极层，设置于所述第二遮光层远离所述第一衬底的一侧；发光层，设置于所述第一电极层远离所述第一衬底的一侧，所述发光层包括设置于所述第一显示区的多个第一子像素和设置于所述第二显示区的多个第二子像素；第二电极层，设置于所述发光层远离所述第一衬底的一侧，所述第二电极层在所述第一显示区中至少部分相邻所述第一子像素之间设置有透光开口；其中，所述第一遮光层在所述第一显示区对应所述透光开口设置有第一开口，所述第二遮光层在所述第一显示区对应所述透光开口设置有第二开口。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一开口在所述第一衬底上的正投影位于所述透光开口在所述第一衬底上的正投影内；所述第二开口在所述第一衬底上的正投影位于所述透光开口在所述第一衬底上的正投影内。3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一遮光层包括：第一遮光子部，与所述第一子像素对应设置；第三遮光子部，环绕所述第一遮光子部设置；第二遮光子部，连接相邻两个所述第一遮光子部或连接相邻所述第一遮光子部和所述第三遮光子部；其中，位于所述第一显示区的所述第一遮光层对应相邻所述第一遮光子部和所述第二遮光子部围绕的区域，和/或，对应相邻的所述第一遮光子部、所述第二遮光子部和所述第三遮光子部围绕的区域，设置有所述第一开口。4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第二遮光层至少覆盖所述第一遮光子部、所述第二遮光子部和所述第三遮光子部围绕所述第一开口的边缘部分。5.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第一遮光子部在所述第一衬底上的正投影与所述第一电极层在所述第一衬底上的正投影之间的间距范围为0.5微米～1.5微米。6.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第一显示区包括显示透光区和设置于所述显示透光区与所述第二显示区之间的显示过渡区，所述第三遮光子部对应所述显示透光区边缘设置。7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：驱动电路层，设置于所述第一遮光层和所述第一电极层之间，所述驱动电路层包括：半导体层，第一绝缘层，设置于所述半导体层远离所述第一衬底的一侧；第一栅极金属层，设置于所述第一绝缘层远离所述第一衬底的一侧；第二绝缘层，设置于所述第一栅极金属层远离所述第一衬底的一侧；第二栅极金属层，设置于所述第二绝缘层远离所述第一衬底的一侧；第三绝缘层，设置于所述第二栅极金属层远离所述第一衬底的一侧；以及
源漏极金属层，设置于所述第三绝缘层远离所述第一衬底的一侧；其中，所述第二遮光层与所述第一栅极金属层同层设置，或所述第二遮光层与所述第二栅极金属层同层设置，或所述第二遮光层与所述源漏极金属层同层设置。8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，至少在所述第一显示区中，所述第二遮光层靠近所述第一衬底一侧的表面与所述第一遮光层远离所述第一衬底一侧的表面直接接触。9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述第一遮光层的厚度范围为500埃～5000埃，所述第一遮光层和所述第二遮光层的总厚度范围为1000埃～7500埃。10.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：第一无机绝缘层，设置于所述第一遮光层和所述第二遮光层之间；以及驱动电路层，设置于所述第二遮光层和所述第一电极层之间。11.根据权利要求10所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括第二衬底和第二无机绝缘层；其中，所述第一遮光层设置于所述第一衬底一侧；所述第一无机绝缘层设置于所述第二衬底和所述第一遮光层之间；所述第二遮光层设置于所述第二衬底远离所述第一衬底的一侧；所述第二无机绝缘层设置于所述第二遮光层和所述驱动电路层之间。12.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一显示区的像素密度等于所述第二显示区的像素密度。13.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1～12任意一项所述的显示面板；以及感光元件，设置于所述显示面板一侧且位于所述第一显示区。

技术总结
本发明公开了一种显示面板及显示装置，显示面板包括第一显示区和第二显示区，显示面板包括第一衬底、第一遮光层、第二遮光层、第一电极层、发光层和第二电极层，第二电极层在第一显示区中至少部分相邻第一子像素之间设置有透光开口；第一遮光层在第一显示区对应透光开口设置有第一开口，第二遮光层在第一显示区对应透光开口设置有第二开口。本发明通过在第一遮光层的基础上设置第二遮光层，相当于增大了遮光层的整体厚度，避免了与第一子像素对应的部分第二电极层也被镭射掉，有利于提高激光镭射的精度和所述第一显示区的透光率。射的精度和所述第一显示区的透光率。射的精度和所述第一显示区的透光率。


技术研发人员：蔡华堂
受保护的技术使用者：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
技术研发日：2022.03.29
技术公布日：2022/7/29