用于制造双面静电夹具的系统和方法与流程

用于制造双面静电夹具的系统和方法
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2019年12月31日提交的美国临时专利申请号62/955,489的优先权和2020年1月23日提交的美国临时专利申请号62/965,101的优先权，两个申请通过引用整体并且入本文。
技术领域
3.本发明涉及衬底台以及用于在衬底台表面上形成突节和纳米结构的方法。


背景技术：

4.光刻设备是将期望的图案施加至衬底上(通常施加至衬底的目标部分上)的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(ic)的制造中。在那种情况下，图案形成装置(其替代地称为掩模或掩模版)可以用以产生待形成在正在被形成的ic的单层上的电路图案。这种图案可以转印至衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括管芯的部分、一个管芯或若干管芯)上。图案的转印通常经由成像至被设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来进行。通常，单个衬底将包含被连续地图案化的相邻目标部分的网络。常规的光刻设备包括所谓的步进器，其中通过将整个图案一次性曝光到目标位置来辐照每个目标位置，以及所谓的扫描器，其中通过在使辐射束以给定方向(“扫描”方向)扫描图案的同时同步地扫描与该扫描方向平行或反平行的目标位置来辐照每个目标位置。还可以通过将图案印制到衬底上来将图案从图案形成装置转印至衬底。
5.极紫外(euv)光，例如波长为大约50纳米(nm)或更小(有时也称为软x射线)并且包括波长为大约13nm的光的电磁辐射，可以用于光刻设备或与光刻设备一起使用来在衬底(例如，硅晶片)中产生极小的特征。产生euv光的方法包括但不必须限于，将具有发射线在euv范围内的元素(例如，氙(xe)、锂(li)或锡(sn))的材料转换为等离子体状态。例如，在一个这种方法(被称为激光产生等离子体(lpp))中，可以通过用放大光束(其可被称为驱动激光器)辐照例如以材料的液滴、板、带、流或簇形式的目标材料(其在lpp源的背景下可互换地称为燃料)来产生等离子体。对于这个过程，等离子体通常在密封容器(例如，真空室)中产生，并且使用各种类型的量测装备进行监控。
6.另一光刻系统是没有图案形成装置的干涉式光刻系统。相反，干涉式光刻系统将光束分成两个束，并且通过使用反射系统使两个束在衬底的目标部分处发生干涉。所述干涉使得线被形成在衬底的目标部分处。
7.在光刻操作期间，不同的处理步骤可能需要将不同的层顺序地形成在衬底上。因此，可能需要相对于形成在衬底上的先前图案以高精确度来定位衬底。通常，对准标记被放置在衬底上，以相对于第二物体进行对准和定位。光刻设备可以使用对准设备来检测对准标记的位置，并且使用对准标记来对准衬底以确保掩模的准确曝光。将两个不同层处的对准标记之间的未对准测量为重叠误差。
8.为了监控光刻过程，对图案化衬底的参数进行测量。例如，参数可以包括在图案化
衬底中或上形成的连续层之间的重叠误差，以及所显影的光致抗蚀剂的临界线宽。可以对产品衬底、专用量测目标或两者执行这种测量。存在用于对在光刻过程中形成的微观结构进行测量的各种技术，包括使用扫描电子显微镜和各种专用工具。快速且非侵入性形式的专用检查工具是将辐射束引导到衬底的表面上的目标并且测量散射束或反射束的性质的散射仪。通过比较束在被衬底反射或散射之前和之后的性质，可以确定衬底的性质。例如，这可以通过将反射束与存储在与已知衬底性质相关联的已知测量的库中的数据进行比较来完成。光谱散射仪将宽带辐射束引导到衬底上，并且测量散射到特定窄角度范围内的辐射的光谱(作为波长的函数的强度)。相比之下，角度分辨散射仪使用单色辐射束，并且测量作为角度的函数的散射辐射强度。
9.这种光学散射仪可以用于测量参数，诸如所显影的光致抗蚀剂的临界尺寸或者形成于图案化衬底中或图案化衬底上的两个层之间的重叠误差。可以通过比较束在被衬底反射或散射之前和之后的照射束的性质来确定衬底的性质。
10.期望在衬底台的表面上形成和保持摩擦学特性(例如，摩擦、硬度、磨损)。在一些情况下，晶片夹具可以设置在衬底台的表面上。衬底台或附接到衬底台的晶片夹具具有由于光刻和量测过程的精度要求而难以满足的表面水平容差。相比于其表面区域(例如，》100.0mm的宽度)相对薄(例如，《1.0毫米(mm)的厚度)的晶片(例如，半导体衬底)对衬底台的不均匀性特别敏感。另外，彼此接触的超平滑表面可能粘附在一起，这可能在衬底必须从衬底台脱离时出现问题。为了降低与晶片界面接合的表面的平滑度，衬底台或晶片夹具的表面可以包括通过图案化和蚀刻玻璃衬底而形成的玻璃突节。然而，这些玻璃突节仅具有大约6.0千兆帕斯卡(gpa)的硬度，因此，可能在光刻设备的操作期间被由于所夹持的晶片而堵塞到玻璃突节中的粒子压碎，因而破裂。此外，常规夹具通常使用阳极键合串行地来制造(例如，以接合玻璃和金属)，该过程可能花费一年以上的时间完成。


技术实现要素：

11.本公开描述了用于经由包括形成顶部夹具、并行形成芯部、以及进一步平行形成底部夹具，随后将顶部夹具安装到芯部并且将芯部安装到底部夹具的并行过程来制造不包括阳极键合的静电夹具的系统、设备和方法的各个方面。
12.在一些方面中，本公开描述了一种用于制造设备的方法。该方法包括：在包括第一时间的第一持续时间期间形成顶部夹具。该顶部夹具可以包括第一表面，与第一表面相对设置的第二表面，横向设置在第一表面与第二表面之间的第一组电极，以及设置在第一表面上方的多个突节。该方法还可以包括：在包括第二时间的第二持续时间期间形成芯部，第二时间与第一时间重叠。该芯部可以包括第三表面，与第三表面相对设置的第四表面，设置在第三表面和第四表面之间并且被配置成承载热调节流体的多个流体通道。该方法还可以包括：在包括第三时间的第三持续时间期间形成底部夹具，第三时间与第一时间和第二时间重叠。该底部夹具可以包括第五表面，与第五表面相对设置的第六表面，以及横向设置在第五表面与第六表面之间的第二组电极。
13.在一些方面中，本公开描述用于制造设备的另一方法。该方法可以包括：在包括第一时间的第一持续时间期间形成顶部夹具，该顶部夹具包括第一表面。该方法还可以包括：在包括第二时间的第二持续时间期间形成芯部，该芯部包括第二表面和与第二表面相对设
置的第三表面，第二时间与第一时间重叠。该方法还可以包括：在包括第三时间的第三持续时间期间形成底部夹具，该底部夹具包括第四表面，第三时间与第一时间和第二时间重叠。该方法还可以包括：在没有阳极键合的情况下，将顶部夹具的第一表面安装到芯部的第二表面。该方法还可以包括：在没有阳极键合的情况下，将芯部的第三表面安装到底部夹具的第四表面。
14.在一些方面中，本公开描述了一种设备。该设备可以包括顶部夹具、芯部和底部夹具。顶部夹具可以包括第一组电极和多个突节。芯部可以包括被配置成承载热调节流体的多个流体通道。底部夹具可以包括第二组电极。在一些方面中，顶部夹具、芯部和底部夹具均不包括阳极键合。在一些方面中，该设备不包括阳极键合。
15.下面参考附图详细描述其它特征以及各个方面的结构和操作。应注意，本公开不限于本文描述的特定方面。在本文中呈现这些方面仅是出于说明性目的。基于本文中包含的教导，其他方面对于相关领域技术人员将是显而易见的。
附图说明
16.并入本文中并且形成说明书的一部分的随附附图与描述一起说明本公开，并且还用于解释本公开的各方面的原理并且使相关领域的技术人员能够实施和使用本公开的各方面。
17.图1a是根据本公开的一些方面的示例性反射型光刻设备的示意图。
18.图1b是根据本公开的一些方面的示例性透射型光刻设备的示意图。
19.图2是根据本公开的一些方面的图1a中所示的反射型光刻设备的更详细示意图。
20.图3是根据本公开的一些方面的示例性光刻单元的示意图。
21.图4是根据本公开的一些方面的示例性衬底台的示意图。
22.图5是根据本公开的一些方面的示例性静电夹具的区域的横截面示图。
23.图6是根据本公开的一些方面的另一示例性静电夹具的区域的横截面示图。
24.图7a是根据本公开的一些方面的示例性静电夹具的分解横截面图的示意图。
25.图7b是根据本公开的一些方面的示例性静电夹具的横截面图的示意图。
26.图8是用于制造根据本公开的一些方面的设备或其部分的示例性方法。
27.根据以下结合附图阐述的详细描述，本公开的特征和优点将变得更加显而易见，其中相似的附图标记始终标识相应的元件。在附图中，除非另有说明，否则相似的附图标记通常表示相同的、功能类似的和/或结构类似的元件。此外，通常，附图标记的最左侧数字标识首次出现该附图标记的附图。除非另有说明，否则在整个公开中提供的附图不应被解释为按比例绘制的附图。
具体实施方式
28.本说明书公开了包括本公开的特征的一个或多个实施例。所公开的实施例仅描述本公开。本公开的范围不限于所公开的实施例。本公开的广度和范围由本公开所附的权利要求和它们的等同方案来限定。
29.在说明书中所描述的实施例以及对“一个实施例”、“实施例”、“示例性实施例”等的参考表示所描述的实施例可以包括特定特征、结构或特性，但是每个实施例不必包括该
特定特征、结构或特性。而且，这些措辞不一定指的是相同的实施例。另外，当与实施例结合来描述特定特征、结构或特性时，应当理解，结合其它实施例来实现这样的特征、结构或特性在本领域技术人员的知识范围内，无论所述其它实施例是否被明确地描述。
30.为便于描述，可以在本文中使用诸如“在
…
之下”、“下方”、“下面”、“在
…
之上”、“上方”、“上面”之类的空间相对术语来简单描述如在附图中示出的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。空间相对术语旨在涵盖装置或器件在使用或操作中的除了附图中描绘的方向之外的不同方向。可以以其它方式来定向设备(旋转90度或以其它方向定向)，并且本文中使用的空间相对描述符也可以被相应地解释。
31.如本文中使用的术语“大大约或大约”指示给定量的值，该值可以基于特定技术而变化。基于特定技术，术语“大大约或大约”可以表示在例如值的10％-30％(例如，值的
±
10％、
±
20％、或
±
30％)内变化的给定量的值。
32.综述
33.使用euv辐射源的常规光刻设备通常需要在光刻操作期间将euv辐射束路径(或者其至少大部分)保持处于真空中。在光刻设备的这种真空区域中，可以使用静电夹具将物体(诸如，图案形成装置(例如，掩模或掩模版)或衬底(例如，晶片))分别夹持到光刻设备的结构(诸如，图案形成装置台或衬底台)。常规的静电夹具可以包括在静电夹具的一个表面处的电极以及设置在静电夹具的相对表面上的多个突节。当静电夹具被激励(例如，使用夹持电压)，并且拉动与突节接触的掩模版或晶片时，导电的突节顶部可以处于与掩模版或晶片背面不同的电位。在接触时刻，由于两个电位被均衡，因此这种电位差引起了放电机制。此外，常规晶片夹具通常包括通过对玻璃衬底图案化和蚀刻而形成的玻璃突节。这些玻璃突节仅具有大约6.0gpa的硬度，因此可能在光刻设备的操作期间被由于所夹持的晶片而堵塞到玻璃突节中的粒子压坏产生裂缝或破裂。另外，这些常规静电夹具通常包括几次阳极键合，并且制造时间可能超过70周，这太长了。
34.与这些常规系统相比，本公开提供了用于制造静电夹具的方法，所述方法包括并行处理技术，所述并行处理技术通过(i)并行地运行关键任务并且(ii)使用光学方式结合，将顶部夹具接合到芯部，以便具有模块化设计，使得如果顶部夹具上的突节断裂，则可以相当容易地移除及替换顶部夹具，来允许快速生产和获得最终静电夹具的较高良率。以光学方式结合足够坚固，以在光刻设备的操作期间支持静电夹具的加速，并且以光学方式结合是可逆的，使得顶部夹具可以被移除和替换。另外，通过将该结构(例如，芯部和底部夹具)烘烤至450摄氏度，并且使粘合剂灰化，也可以相对容易地移除底部夹具。可选地，在一些方面中，可以没有阳极键合的情况下制造静电夹具，所述阳极键合是不可逆的并且包含高水平的应力。然而，在其他方面中，可以使用一个或多个阳极键合制造静电夹具，诸如，将芯部保持在一起的阳极键合，和/或芯部与底部夹具之间的阳极键合以及芯部与顶部夹具之间的以光学方式结合。
35.在一些方面中，本公开提供用于制造静电夹具的方法，所述静电夹具包括顶部夹具、芯部以及底部夹具，但是所述静电夹具不包括任何阳极键合。在本文中所描述的一些方面中，一种用于制造静电夹具的示例方法可以包括：形成顶部夹具，并行地形成芯部，进一步地，并行形成底部夹具。随后，示例方法可以包括：将顶部夹具安装到芯部，并且将芯部安装到底部夹具。通过在没有阳极键合操作的情况下并行地形成顶部夹具、芯部以及底部夹
具，本文中所描述的方法可以比使用串行或系列过程和阳极键合的常规技术快得多地生产静电夹具。例如，常规的静电夹具可能花费一年以上来制造，而本文中公开的静电夹具可能花费少于三个月来制造，使得制造时间减少大约百分之七十五或更多。
36.另外，本公开提供了一种用于修复静电夹具的方法，其中顶部夹具由于具有断裂的玻璃突节而从现场被返回。该方法包括：从芯部移除顶部夹具(例如，顶部夹具可以被以光学方式结合到芯部)，修复断裂的突节或制造新的顶部夹具以及将新的或修复的顶部夹具以光学方式结合到芯部，从而保留和再次使用现有的芯部和底部夹具。因此，本公开提供了在无需丢弃静电夹具的部件中的所有元件的情况下修复静电夹具。
37.在一些方面中，本发明提供了一种产生静电夹具的方法，该静电夹具在功能上与常规晶片夹具相当，但是是经由并行的并且不涉及阳极键合的过程。此外，本文中公开的静电夹具可以比常规静电夹具(它们的顶部夹具被阳极键合到它们的芯部)更容易重新加工。例如，现场故障通常涉及顶部夹具的表面上的断裂突节。通过将顶部夹具以光学方式结合到芯部，本文所公开的静电夹具允许从芯部脱离顶部夹具，然后将重新加工的或新制造的顶部夹具与芯部重新接触。
38.在一些方面中，本公开提供了一种用于制造静电夹具的方法，所述方法包括以下三个并行生产流程。
39.1.生产用于顶部夹具的0.5mm厚的硼硅酸盐玻璃夹具。该结构包含电极和突节，并且可以与抛光的sisic芯部的表面光学接触。
40.2.生产8.0mm厚的sisic芯部。该结构包含冷却气体分布、抛光的顶表面、以及在其背面的长突节。在一些方面中，可以在没有阳极键合的情况下生产芯部。在其他方面中，可以在使用一个或多个阳极键合的情况下生产芯部。
41.3.生产用于底部夹具的0.5mm厚的硼硅酸盐玻璃夹具。该结构包含电极以及孔，芯部长突节将穿过该孔。该底部夹具可以用环氧树脂结合到芯部。
42.本文中公开的制造技术和静电夹具有许多优点和益处。本公开提供以比常规技术更简单、更快速且更便宜的方式来制造静电夹具，并且比常规技术具有更好的生产良率。此外，本公开提供了以比常规技术更简单、更快速且更便宜的方式来修复静电夹具，并且比常规技术具有更好的修复率。例如，本公开提供了通过并行地并且没有阳极键合操作地形成静电夹具的部分(例如，顶部夹具、芯部和底部夹具)等，来以显著更短的持续时间(例如，制造常规静电夹具所需的时间的大约四分之一或更少)制造静电夹具。在另一示例中，本公开提供了包括硬度大于大约6.0gpa(在一些方面中大于大约20.0gpa)的硬突节的晶片夹具和静电夹具。这些硬突节提供了比常规玻璃突节增加的耐磨性以及摩擦特性，这有助于在光刻设备的操作期间在不会破裂或断裂的情况下，接合和脱离衬底或图案形成装置。进一步地，本公开便于重新加工已经从现场返回的具有断裂的突节的夹具。作为本公开中描述的技术的结果，相比于先前的技术，相关的光刻设备可以被更快、更便宜和更可靠地返回以进行服务。在一些方面中，本公开便于将经重新加工的、具有在光刻操作期间不会如此容易断裂的更硬的突节的夹具返回至现场。
43.然而，在更详细地描述这些方面之前，呈现可以实施本公开的方面的示例性环境是有指导性的。
44.示例性光刻系统
45.图1a和图1b分别是光刻设备100和光刻设备100’的示意图，可以在光刻设备100和光刻设备100’中实施本公开的方面。如图1a和1b所示，以垂直于xz平面(例如，x轴指向右侧和z轴指向上方)的视角(例如，侧视图)示出光刻设备100和光刻设备100’，而以垂直于xy平面(例如，x轴指向右侧和y轴指向上方)的另外视角(例如，俯视图)呈现图案形成装置ma和衬底w。
46.光刻设备100和光刻设备100’每一个包括以下：照射系统(照射器)il，该照射系统il被配置成调节辐射束b(例如，深紫外(duv)辐射或极紫外(euv)辐射)；支撑结构mt(例如，掩模台)，该支撑结构mt被配置成支撑图案形成装置ma(例如，掩模、掩模版、或动态图案形成装置)，并且连接至被配置成准确地定位图案形成装置ma的第一定位器pm；以及衬底保持件(诸如，衬底台wt(例如，晶片台))，所述衬底保持件被配置成保持衬底w(例如，涂覆有抗蚀剂的晶片)，并且连接至被配置成准确地定位衬底w的第二定位器pw。光刻设备100和光刻设备100’还具有投影系统ps，投影系统ps被配置成将由图案形成装置ma赋予至辐射束b的图案投影至衬底w的目标部分c(例如，包括一个或多个管芯的部分)上。在光刻设备100中，图案形成装置ma和投影系统ps是反射型。在光刻设备100’中，图案形成装置ma和投影系统ps是透射型。
47.照射系统il可以包括用于引导、整形或控制辐射束b的各种类型的光学部件，诸如折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件，或其任何组合。
48.支撑结构mt以依赖于图案形成装置ma相对于参考框架的方向、光刻设备100和100’中的至少一个的设计、和其它条件(诸如图案形成装置ma是否被保持在真空环境中)的方式来保持图案形成装置ma。支撑结构mt可以使用机械、真空、静电或其它夹持技术来保持图案形成装置ma。支撑结构mt可以是例如框架或台，支撑结构mt可以根据需要是固定的或可移动的。通过使用传感器，支撑结构mt可以确保图案形成装置ma例如相对于投影系统ps而处于期望位置。
49.术语“图案形成装置”ma应广义地解释为是指，可以用以在辐射束b的横截面中向辐射束b赋予图案，以便在衬底w的目标部分c中形成图案的任何装置。赋予至辐射束b的图案可以对应于目标部分c中所产生的用以形成集成电路的器件中的特定功能层。
50.图案形成装置ma可以是透射型(如图1b的光刻设备100’中那样)或反射型(如图1a的光刻设备100中那样)。图案形成装置ma的示例包括掩模版、掩模、可编程反射镜阵列，或可编程lcd面板。掩模包括诸如二元、交替相移或衰减式相移的掩模类型，以及各种混合掩模类型。可编程反射镜阵列的示例使用小反射镜的矩阵布置，小反射镜中的每个小反射镜可以被单独地倾斜，以便使入射辐射束在不同方向上反射。被倾斜的反射镜在由小反射镜的矩阵所反射的辐射束b中赋予图案。
51.术语“投影系统”ps可以涵盖适于所使用的曝光辐射或适于诸如浸没液体在衬底w上的使用或真空的使用的其它因素的任何类型的投影系统，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型和静电型光学系统，或其任何组合。由于其它气体可能吸收过多的辐射或电子，因此，可以针对euv或电子束辐射使用真空环境。因此，通过借助于真空壁和真空泵，可以为整个束路径提供真空环境。
52.光刻设备100和/或光刻设备100’可以是具有两个(双台)或更多个衬底台wt(和/
或两个或更多个掩模台)的类型。在这种“多台”机器中，可以并行地使用附加的衬底台wt，或者可以在对一个或多个台执行预备步骤的同时，将一个或多个其它衬底台wt用于曝光。在一些情况下，附加的台可以不是衬底台wt。
53.光刻设备也可以属于以下类型：其中衬底的至少一部分可以由具有相对高折射率的液体(例如，水)覆盖，以便填充投影系统与衬底之间的空间。也可以将浸没液体施加至光刻设备中的其它空间，例如掩模与投影系统之间的空间。浸没技术用于增大投影系统的数值孔径。本文中所使用的术语“浸没”不意味着结构(诸如，衬底)必须浸没在液体中，而是仅意味着在曝光期间液体位于投影系统与衬底之间。
54.参考图1a和图1b，照射系统il接收来自辐射源so的辐射束b。例如，当辐射源so是准分子激光器时，辐射源so与光刻设备100、100’可以是分立的物理实体。在这种情况下，不认为辐射源so形成光刻设备100或100’的一部分，并且辐射束b是借助于包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统bd(例如，在图1b中示出)而从辐射源so传递至照射系统il。在其它情况下，例如，当辐射源so是汞灯时，辐射源so可以是光刻设备100或100’的组成部分。辐射源so和照射器il连同束传递系统bd(在需要时)可以被称为辐射系统。
55.照射系统il可以包括用于调整辐射束的角强度分布的调整器ad(例如，在图1b中示出)。通常，可以调整照射器的光瞳平面中的强度分布的至少外部径向范围和/或内部径向范围(通常分别被称为“σ-外部”和“σ-内部”)。另外，照射系统il可以包括各个其它部件(例如，在图1b中示出)，诸如积分器in和辐射收集器co(例如，聚光器或收集器光学器件)。照射系统il可以被用于调节辐射束b，以在其横截面中具有期望的均一性和强度分布。
56.参考图1a，辐射束b入射到被保持在支撑结构(例如，掩模台)mt上的图案形成装置(例如，掩模)ma上，并且通过图案形成装置ma而被图案化。在光刻设备100中，辐射束b被从图案形成装置ma反射。在被从图案形成装置ma反射之后，辐射束b穿过投影系统ps，投影系统ps将辐射束b聚焦至衬底w的目标部分c上。借助于第二定位器pw和位置传感器ifd2(例如，干涉量测装置、线性编码器、或电容性传感器)，可以准确地移动衬底台wt(例如，以便将不同的目标部分c定位在辐射束b的路径中)。类似地，可以使用第一定位器pm和另一位置传感器ifd1(例如，干涉量测装置、线性编码器、或电容性传感器)来相对于辐射束b的路径准确地定位图案形成装置ma。可以使用掩模对准标记m1、m2和衬底对准标记p1、p2来对准图案形成装置ma和衬底w。
57.参考图1b，辐射束b入射在保持在支撑结构mt上的图案形成装置ma上，并且由图案形成装置ma图案化。在穿过图案形成装置ma之后，辐射束b穿过投影系统ps，投影系统ps将束聚焦到衬底w的目标部分c上。投影系统具有针对照射系统光瞳ipu的光瞳共轭ppu。辐射的一部分来自照射系统光瞳ipu处的强度分布，并且穿过掩模图案而不受掩模图案处的衍射的影响，并且在照射系统光瞳ipu处产生强度分布的图像。
58.投影系统ps将掩模图案mp的图像mp’投影到涂覆在衬底w上的光致抗蚀剂层上，其中图像mp’是由衍射束形成的，该衍射束通过来自强度分布的辐射从掩模图案mp产生。例如，掩模图案mp可以包括线和间隔的阵列。阵列处的且不同于零阶衍射的辐射衍射产生被转向的衍射束，所述被转向的衍射束具有在垂直于线的方向上的方向的改变。未衍射束(即，所谓的零阶衍射束)在传播方向上没有任何改变的情况下穿过图案。零阶衍射束穿过投影系统ps的上透镜或上透镜组(位于投影系统ps的光瞳共轭ppu的上游)，以到达光瞳共
轭ppu。强度分布中的在光瞳共轭ppu的平面中且与零阶衍射束相关联的部分，是照射系统il的照射系统光瞳ipu中的强度分布的图像。孔阑装置pd例如被设置在或大致设置在包括投影系统ps的光瞳共轭ppu的平面处。
59.投影系统ps被布置成通过透镜或透镜组l，不仅捕获零阶衍射束，而且还捕获一阶衍射束或者一阶和更高阶衍射束(未示出)。在一些方面中，用于对在垂直于线的方向上延伸的线图案进行成像的偶极照射可以被用于利用偶极照射的分辨率增强效应。例如，在衬底w的水平处，一阶衍射束与相应的零阶衍射束发生干涉，以产生具有最高可能的分辨率和过程窗口(即，可用焦深与可容许曝光剂量偏差)的掩模图案mp的图像。在一些方面中，可以通过在照射系统光瞳ipu的相对象限中提供辐射极(未示出)来减少像散像差。另外，在一些方面中，可以通过阻挡投影系统的光瞳共轭ppu中的、与相对象限中的辐射极相关联的零阶束来减少像散像差。这在2009年3月31日发布的专利号为7,511,799的美国专利中进行了更详细地描述，其通过引用整体并入本文。
60.借助于第二定位器pw和位置传感器ifd(例如，干涉量测装置、线性编码器、或电容性传感器)，可以准确地移动衬底台wt(例如，以便将不同的目标部分c定位在辐射束b的路径中)。类似地，可以使用第一定位器pm和另一位置传感器(图1b中未示出)来相对于辐射束b的路径精确地定位图案形成装置ma(例如，在从掩模库进行机械检索之后或在扫描期间)。
61.通常，可以借助于形成第一定位器pm的部分的长行程定位器(粗定位)和短行程定位器(精定位)来实现支撑结构mt的移动。类似地，可以使用形成第二定位器pw的部分的长行程定位器和短行程定位器来实现衬底台wt的移动。在步进器(相对于扫描器)的情况下，支撑结构mt可以仅连接至短行程致动器，或可以是固定的。可以使用掩模对准标记m1、m2和衬底对准标记p1、p2来对准图案形成装置ma与衬底w。虽然衬底对准标记(如所示出的)占据专用目标部分，但这些标记可以位于目标部分之间的空间中(例如，划线对准标记)。类似地，在多于一个管芯被设置在图案形成装置ma上的情形中，掩模对准标记可以位于管芯之间。
62.支撑结构mt和图案形成装置ma可以处于真空室v中，可以使用真空内机器人ivr来将图案形成装置(诸如掩模)移动到真空室之中和之外。可选地，当支撑结构mt和图案形成装置ma在真空室之外时，可以使用真空外机器人来进行各种运输操作，这类似于真空内机器人ivr。在一些情况中，为了将任何有效负载(例如，掩模)平稳传递到转移站的固定运动支架，真空内机器人和真空外机器人都需要被校准。
63.可以以下模式中的至少一种模式使用光刻设备100和100’：
64.1.在步进模式中，在将赋予至辐射束b的整个图案一次性投影至目标部分c上时，使支撑结构mt和衬底台wt保持基本上静止(即，单次静态曝光)。然后，使衬底台wt在x方向和/或y方向上移位，使得可以曝光不同的目标部分c。
65.2.在扫描模式中，在将赋予至辐射束b的图案投影至目标部分c上时，同步地扫描支撑结构mt和衬底台wt(即，单次动态曝光)。可以通过投影系统ps的放大率(缩小率)和图像反转特性来确定衬底台wt相对于支撑结构mt(例如，掩模台)的速度和方向。
66.3.在另一模式中，在将赋予至辐射束b的图案投影至目标部分c上时，使支撑结构mt保持基本上静止，从而保持可编程图案形成装置ma，并且移动或扫描衬底台wt。可以使用脉冲辐射源so，并且在衬底台wt的每次移动之后或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据
需要来更新可编程图案形成装置。这种操作模式可以易于应用于利用可编程图案形成装置ma(诸如可编程反射镜阵列)的无掩模光刻术。
67.也可以采用所描述的使用模式的组合和/或变型或完全不同的使用模式。
68.在其他方面中，光刻设备100包括euv源，该euv源被配置成产生用于euv光刻的euv辐射束。通常，euv源被配置在辐射系统中，并且相应的照射系统被配置成调节euv源的euv辐射束。
69.图2更详细地示出了光刻设备100，包括辐射源so(例如，源收集器设备)、照射系统il和投影系统ps。如图2中所示，以垂直于xz平面(例如，x轴指向右侧和z轴指向上方)的视角(例如，侧视图)示出光刻设备100。
70.辐射源so被构造和布置成使得可以在封闭结构220中维持真空环境。辐射源so包括源室211和收集器室212，并且被配置成产生和透射euv辐射。euv辐射可以由气体或蒸气(例如，氙(xe)气、锂(li)蒸气、或锡(sn)蒸气)产生，其中euv辐射发射等离子体210被产生，以发射在电磁光谱的euv范围内的辐射。可以例如通过放电或激光束来产生至少部分电离的euv辐射发射等离子体210。可以使用例如大约10帕斯卡(pa)分压的xe气、li蒸气、sn蒸气或任何其它合适的气体或蒸气来有效地产生辐射。在一些方面中，提供被激发的锡的等离子体来产生euv辐射。
71.由euv辐射发射等离子体210发射的辐射从源室211经由可选的气体屏障或污染物陷阱230(例如，在一些情况下也称为污染物屏障或翼片阱)而进入收集器室212，气体屏障或污染物陷阱230被定位在源室211的开口中或后面。污染物陷阱230可以包括通道结构。污染物陷阱230还可以包括气体屏障或者气体屏障与通道结构的组合。在本文中，污染物陷阱230被另外指示为至少包括通道结构。
72.收集器室212可以包括辐射收集器co(例如，聚光器或收集器光学器件)，辐射收集器co可以是所谓的掠入射收集器。辐射收集器co具有上游辐射收集器侧251和下游辐射收集器侧252。穿过辐射收集器co的辐射可以被光栅光谱滤光器240反射出以聚焦在虚拟源点if处。虚拟源点if通常被称为中间焦点，并且源收集器设备被布置成使得虚拟源点if被定位在封闭结构220的开口219处或附近。虚拟源点if是euv辐射发射等离子体210的图像。光栅光谱滤光器240尤其用于抑制红外(ir)辐射。
73.随后，辐射穿过照射系统il，照射系统il可以包括琢面场反射镜装置222和琢面光瞳反射镜装置224，它们被布置成在图案形成装置ma处提供辐射束221的期望角度分布以及在图案形成装置ma处提供期望的辐射强度均一性。通过辐射束221在图案形成装置ma(由支撑结构mt保持)处反射，图案化束226被形成，并且通过投影系统ps经由反射元件228、229将被成像在由晶片台或衬底台wt保持的衬底w上。
74.通常可以在照射系统il和投影系统ps中存在比所示出的更多的元件。可选地，光栅光谱滤光器240可以依赖于光刻设备的类型存在。此外，可以存在比图2中所示的反射镜更多的反射镜。例如，相比于图2中所示的，可以在投影系统ps中存在一个至六个另外的反射元件。
75.如图2中所示的辐射收集器co被描绘为具有掠入射反射器253、254和255的巢状收集器，这仅仅是收集器(或收集器反射镜)的示例。掠入射反射器253、254和255被设置为围绕光轴o轴向对称，并且这种类型的辐射收集器co优选地与放电产生等离子体(dpp)源结合
使用。
76.示例性光刻单元
77.图3示出了光刻单元300，光刻单元300有时也被称为光刻单元或簇。如图3中所示，以垂直于xy平面(例如，x轴指向右侧和y轴指向上方)的视角(例如，俯视图)示出光刻单元300。
78.光刻设备100或100’可以形成光刻单元300的一部分。光刻单元300还可以包括用于在衬底上执行预曝光过程和后曝光过程的一个或多个设备。例如，这些设备可以包括用于沉积抗蚀剂层的旋涂器sc、用于显影曝光抗蚀剂的显影剂de、激冷板ch和烘烤板bk。衬底处理装置(或机器手)ro从输入/输出端口i/o1、i/o2拾取衬底，在不同处理设备之间移动衬底，并且将衬底输送到光刻设备100或100’的装载台lb。这些装置(通常也统称为轨道)受轨道控制单元tcu的控制，轨道控制单元tcu本身由管理控制系统scs控制，管理控制系统scs也可经由光刻控制单元lacu来控制光刻设备。因此，可以操作不同的设备来使生产量和处理效率最大化。
79.示例性衬底台
80.图4示出了根据本公开的一些方面的示例性衬底台400的示意图。在一些方面中，示例性衬底台400可以包括衬底台402、支撑块404、一个或多个传感器结构406、任何其他合适的部件、或其任何组合。在一些方面中，衬底台402包括夹具(例如，晶片夹具、掩模版夹具、静电夹具)以保持衬底408。在一些方面中，一个或多个传感器结构406中的每个包括透射型图像传感器(tis)板。tis板是包括一个或多个传感器和/或标记的传感器单元，所述传感器和/或标记用于tis感测系统中，tis感测系统用于相对于光刻设备(例如，参考图1a、图1b和图2描述的光刻设备100和光刻设备100’)中的投影系统(例如，参考图1a、图1b和图2描述的投影系统ps)和掩模(例如，参考图1a、图1b和图2描述的图案形成装置ma)的位置来准确定位晶片。虽然在本文中为了说明而示出了tis板，但是本文的方面不限于任何特定的传感器。衬底台402设置在支撑块404上。一个或多个传感器结构406设置在支撑块404上。
81.在一些方面中，当示例性衬底台400支撑衬底408时，衬底408可以设置在衬底台402上。
82.术语“平坦”、“平坦度”等在本文中可以用于相对于表面的一般平面描述结构。例如，弯曲或不平整的表面可以是不符合平坦平面的表面。表面上的突起和凹陷也可以是特征在于偏离“平坦”平面。
83.术语“平滑”、“粗糙度”等在本文中可以用于指表面的局部变化、微观偏差、颗粒度或纹理。例如，术语“表面粗糙度”可以指表面轮廓离开平均线或平面的微观偏差或偏离。该偏差或偏离通常被测量(以长度为单位)为幅度参数，诸如均方根(rms)或算术平均偏差(ra)(例如，1nm rms)。
84.在一些方面中，上述的衬底台(例如，图1a和图1b中的衬底台wt、图4中的衬底台402)的表面可以是平坦的或具有突节的。当衬底台的表面平坦时，粘附在衬底台与晶片之间的任何微粒或污染物将使得污染物印制贯通(through)晶片，从而导致在其附近发生光刻误差。因此，污染物降低了器件良率并且增加了生产成本。
85.在衬底台上设置突节有助于减少对平坦衬底台的不期望影响。当将晶片夹持到具有突节的衬底台时，在晶片不与衬底台接触的区域中存在空的空间。该空的空间用作污染
物的袋，以便防止发生印制误差。另一优点在于，由于突节所引起的负载的增大，所以位于突节上的污染物更可能被压碎。压碎污染物还有助于减少印制-贯通误差。在一些方面中，突节的组合表面积可以是衬底台的表面积的大大约百分之一至百分之五。在本文中，突节的表面积是指与晶片接触的表面(例如，不包括侧壁)；并且，衬底台的表面积是指衬底台的突节所在的表面的跨度范围(例如，不包括衬底台的侧面或背面)。当将晶片夹持到具有突节的衬底台上，相比于平坦的衬底台，负载增加100倍，这足以压碎大多数污染物。尽管本文中的示例使用衬底台，但是该示例不旨在进行限制。例如，本公开的各方面可以在掩模版台上实现、用于各种夹持结构(例如，静电夹具、夹持膜)，以及用于各种光刻系统(例如，euv、duv)。
86.在一些方面中，突节到晶片界面控制衬底台的功能性能。当衬底台的表面平滑时，在衬底台的平滑表面与晶片的平滑表面之间可能产生粘附力。两个平滑表面接触粘紧在一起的现象被称为挤紧(wringing)。由于高摩擦现象和晶片中的平面内应力，挤紧可能引起器件制造中的问题(例如，重叠问题)(在对准期间容易地使晶片滑动是最佳的)。
87.具有硬突节的示例性表面
88.图5示出了示例性静电夹具500的区域，诸如示例性静电夹具500的顶部夹具的一部分(或者，在一些方面中，示例性静电夹具700或701的示例性顶部夹具702的一部分)的横截面示图。示例性静电夹具500可以包括第一层502(例如，玻璃衬底、硼硅酸盐玻璃衬底、碱土硼铝硅酸盐衬底、sio2层)，第一层502包括第一表面502a。
89.示例性静电夹具500还可以包括第二层504(例如，诸如cr层、al层、si层、或任何其他合适材料层的粘附层)，第二层504包括第二表面504a和与第二表面504a相对的第三表面504b。第二层504的第三表面504b可设置在第一层502的第一表面502a上。在一些方面中，作为最终(或接近最终)步骤，可以图案化第二层504。
90.示例性静电夹具500还可以包括设置在第一层502的第一表面502a上方的多个突节506(例如，dlc突节)。例如，多个突节506可以设置在第二层504的第二表面504a上。多个突节506的子集的硬度可以大于大约6.0gpa，并且在一些情况下，大于大约10.0gpa、大约15.0gpa或甚至大约20.0gpa。多个突节506的厚度可以大于大约2.0微米，并且在一些情况下，大于大约5.0微米、7.5微米或甚至大约10.0微米。多个突节506中的每个的半径可以是大约200.0微米。在一些方面中，多个突节506可以包括至少大约三万个突节。在一些方面中，可以通过图案化和蚀刻第三层(例如，dlc层)以形成多个突节506来形成多个突节506。
91.示例性静电夹具500还可以包括设置在多个突节506上方的多个突节顶部507(例如，crn突节顶部)。可以通过图案化和蚀刻第四层(例如，crn层)以形成多个突节顶部507来形成多个突节顶部507。在一些方面中，多个突节506、多个突节顶部507或两者可以是导电的。
92.多个突节506中的每个突节可以包括第四表面506a和与第四表面506a相对的第五表面506b。突节的第五表面506b可以设置在第二层504的第二表面504a上。多个突节顶部507中的每个突节顶部可以包括第六表面507a和与第六表面507a相对的第七表面507b。突节顶部的第七表面507b可以设置在突节的第四表面506a上。
93.可选地，物体508(例如，晶片w或图案形成装置ma)可以位于多个突节顶部507上方。例如，物体508的第八表面508a可以可移除地设置(例如，放置、定位)在多个突节顶部
507中的一个或多个的第六表面507a上。
94.图6示出了示例性静电夹具600的区域，诸如示例性静电夹具600的顶部夹具的一部分(或者，在一些方面中，示例性静电夹具700或701的示例性顶部夹具702的一部分)的横截面示图。示例性静电夹具600可以包括第一层602(例如，玻璃衬底、硼硅酸盐玻璃衬底、碱土硼铝硅酸盐衬底、sio2层)，第一层602包括第一表面602a。
95.示例性静电夹具600还可以包括设置在第一层602的第一表面602a上方的多个突节606(例如，crn、aln或sin突节)。例如，多个突节606可以设置在第一层602的第一表面602a上。多个突节606的子集的硬度可以大于大约6.0gpa，并且在一些情况下，大于大约10.0gpa、大约15.0gpa、或甚至大约20.0gpa。多个突节606的厚度可以大于大约2.0微米，并且在一些情况下，大于大约6.0微米、7.5微米、或甚至大约10.0微米。在一些方面中，多个突节606可以包括至少大约三万个突节。在一些方面中，可以通过图案化和蚀刻第二层(例如，crn、aln或sin层)以形成多个突节606，来形成多个突节606。
96.多个突节606中的每个突节可以包括第二表面606a和与第二表面606a相对的第三表面606b。突节的第三表面606b可以设置在第一层602的第一表面602a上。
97.可选地，物体608(例如，晶片w或图案形成装置ma)可以位于多个突节606上方。例如，物体608的第四表面608a可以可移除地设置(例如，放置、定位)在多个突节606中的一个或多个的第二表面606a上。在一些方面中，多个突节606可以是导电的。
98.示例性静电夹具
99.图7a是根据本公开的一些方面的示例性静电夹具700的分解横截面图的示意图。例如，示例性静电夹具700可以包括示例性顶部夹具702、示例性芯部704、示例性底部夹具706、任何其他合适的部件或其任何组合。在一些方面中，示例性静电夹具700、示例性顶部夹具702、示例性芯部704、示例性底部夹具706、或其组合可以在没有阳极键合的情况下被形成。在一些方面中，示例性顶部夹具702可以具有大约0.5毫米的第一厚度，示例性芯部704可以具有大约8.0毫米的第二厚度，并且示例性底部夹具706可以具有大约0.5毫米的第三厚度。
100.示例性顶部夹具702可以包括层720(例如，玻璃衬底、硼硅酸盐玻璃衬底、碱土硼铝硅酸盐)、层724(例如，玻璃衬底、硼硅酸盐玻璃衬底、碱土硼铝硅酸盐衬底、sio2层)、以及一个或多个层722，该一个或多个层722设置在层720和层724之间并且在层720和层724之间形成一个或多个电极。一个或多个层722可以包括结构的任何组合，诸如一个或多个复合层，其中一个或多个复合层中的每个包括一个或多个导电层和一个或多个绝缘层，它们以交替的配置布置。
101.在一些方面中，示例性顶部夹具702的层724可以被减薄至大约100.0微米的厚度。在层724被减薄至小于大约100.0微米的厚度的一些方面中，sio2层(例如，大约5.0微米)可以经由气相沉积(例如，pecvd)被沉积在层724的表面上。在层724是玻璃(例如，硼硅酸盐玻璃)的层的一些方面中，可以通过图案化和蚀刻所述层724以形成多个第一玻璃突节，来形成多个第一玻璃突节728。
102.可选地，示例性顶部夹具702可以包括设置在层724的表面上(包括但不限于沉积在层724的表面上的sio2层的表面上)的层726(例如，诸如cr、al、si或任何其他合适的材料的层的粘附层)。层726可以包括参考第二层504或任何其他合适的层或材料描述的任何方
面。在一些方面中，作为最终(或接近最终)步骤，可以图案化层726。
103.示例性顶部夹具702还可以包括设置在层724上方的多个第一突节728。在一些方面中，多个第一突节728可以由选自由玻璃(例如，sio2)、dlc、aln、sin或crn组成的组中的至少一种材料形成。在其他方面中，可以通过图案化和蚀刻层724来形成多个第一突节728。在一些方面中，多个第一突节728可以包括参考多个突节506、多个突节606、或任何其他合适的突节或材料描述的任何方面。
104.可选地，示例性顶部夹具702还可以包括设置在多个第一突节728上方的多个突节顶部730。在一些方面中，多个突节顶部730可以由任何合适的材料形成，诸如crn。在一些方面中，多个突节顶部730可以包括参考多个突节顶部507或任何其他合适的突节顶部或材料描述的任何方面。
105.示例性芯部704可以包括层740、层742和被配置成承载热调节流体的多个流体通道744。层740和层742中的一个或两者可以包括硅化碳化硅(sisic)(也称为反应结合碳化硅)或具有高刚度和热导率的任何其他合适的材料。
106.在一些方面中，如图7a所示，可以通过图案化和蚀刻层740来形成多个流体通道744。在其他方面中(图7a中未示出)，可以通过图案化和蚀刻层742或任何其他合适的层或材料来形成多个流体通道744。
107.示例性芯部704还可以包括层748(例如，经由pecvd或任何其他合适的技术所沉积的sic)，以及可选地包括层750(例如，经由物理气相沉积(pvd)、pecvd或任何其他合适的技术沉积的sio2)，以增强与示例性顶部夹具702的以光学方式结合。在一些方面中，可以使用合适的抛光技术对层748的表面进行抛光，并且随后可以将层750沉积(例如，通过pvd)在层748的抛光表面上。在一些方面中，可以使用合适的抛光技术来抛光层750的表面750a。
108.示例性芯部704还可包括设置在层740下方的多个第二突节746。在一些方面中，可以通过图案化和蚀刻层740来形成多个第二突节746。在一些方面中，多个第二突节746可以包括参考多个突节506、多个突节606、多个第一突节728或任何其他合适的突节或材料描述的任何方面。在一些方面中，多个第一突节728可以被称为“短”突节，多个第二突节746可以被称为“长”突节。在一个说明性示例中，多个第一突节728的第一子集可以具有大约10.0微米的第一厚度，并且多个第二突节746的第二子集可以具有大约1,000微米的第二厚度。换言之，多个第二突节746的厚度可以大于多个第一突节728的厚度。在一些方面中，多个第二突节728可以包括至少大约100个突节、大约200个突节或大约300个突节。
109.示例性底部夹具706可以包括层760(例如，玻璃衬底、硼硅酸盐玻璃衬底、碱土硼铝硅酸盐)、层764(例如，玻璃衬底、硼硅酸盐玻璃衬底、碱土硼铝硅酸盐衬底、sio2层)、以及设置在层760和层762之间并且在层760和层762之间形成一个或多个电极的一个或多个层762。一个或多个层762可以包括结构的任何组合，诸如一个或多个复合层，其中一个或多个复合层中的每个包括以交替配置布置的一个或多个导电层和一个或多个绝缘层。
110.示例性底部夹具706还可以在层764中限定多个孔766。多个孔766可以被配置成接收示例性芯部704的多个第二突节746。在一些方面中，多个孔766可以是在层764中钻出的多个孔。在其他方面中，多个孔766可以是图案化并且蚀刻到层764中的多个开口。
111.在一些方面中，示例性顶部夹具702、示例性芯部704和示例性底部夹具706中的每个可以在没有阳极键合的情况下形成。在一些方面中，在没有阳极键合的情况下，通过将示
例性顶部夹具702安装到示例性芯部704，并且在前地、同时地或随后地，在没有阳极键合的情况下，将示例性芯部704安装到示例性底部夹具706，在没有阳极键合的情况下形成示例性静电夹具700。
112.在一些方面中，如箭头792所示，可以在没有阳极键合的情况下，将示例性顶部夹具702安装到示例性芯部704。例如，示例性顶部夹具702的表面720a可以可移除地附接(例如，以光学方式结合)到示例性芯部704的表面750a。短语“可移除地附接到”和“可移除地附接的”可以指以光学方式结合或任何其他合适的可逆或半可逆附接技术。在一些方面中，在将示例性顶部夹具702的表面720a以光学方式结合到示例性芯部704的表面750a之前，可以抛光示例性芯部704的表面750a。
113.在一些方面中，如箭头794所示，可以在没有阳极键合的情况下，将示例性芯部704安装到示例性底部夹具706。例如，示例性芯部704的表面可以固定地附接到示例性底部夹具706的表面。短语“可固定地附接到”和“可固定地附接的”可以指粘合剂结合技术(例如，使用两部分环氧树脂粘合剂的环氧树脂结合)、粘合技术、焊接技术或任何其他合适的不可逆附接技术。在一些方面中，在将示例性芯部704的表面粘附地结合到示例性底部夹具706的表面之前，可以将多个第二突节746中的每个插入到多个孔766中的相应孔中。
114.在一些方面中，如箭头796所示，示例性顶部夹具702可以被配置成接收待被夹持到示例性静电夹具700上的物体708(例如，衬底w或图案形成装置ma)。示例性顶部夹具702的多个第一突节728以及，在一些方面中，多个突节顶部730可以被配置成在夹持操作期间与物体708接触。多个第一突节728以及，在一些情况下，多个突节顶部730可以有助于提供物体708和示例性顶部夹具702之间的较少污染性接触。
115.图7b是已根据本发明的一些方面制造的示例性静电夹具701的横截面图的示意图。在一些方面中，如上参考示例性静电夹具700所描述的，可以在没有阳极键合的情况下制造示例性静电夹具701。
116.用于制造静电夹具的示例性过程
117.图8是用于制造根据本公开的一些方面的设备或该设备的部分的示例性方法800。可以通过或根据在本文中描述的系统、设备、部件、技术、或其组合(诸如上面参考图1-7描述的那些)中的任一个，来执行参考示例性方法800描述的操作。
118.在操作802处，该方法可以包括：在包括第一时间的第一持续时间期间形成顶部夹具(例如，示例性顶部夹具702)。顶部夹具可以包括第一表面(例如，层720的表面，诸如表面720a)、与第一表面相对设置的第二表面(例如，层724或层726的表面)、横向设置在第一表面和第二表面之间的第一组电极(例如，在一个或多个层722中实现的一个或多个电极)、以及设置在第一表面上方的多个突节(例如，多个第一突节728)。在一些方面中，形成顶部夹具可以包括：在没有阳极键合的情况下形成顶部夹具。在一些方面中，形成顶部夹具可以包括：形成硼硅酸盐玻璃的顶部夹具的至少一部分。在一些方面中，形成顶部夹具可以包括：形成厚度为大约0.5毫米的顶部夹具。在一些方面中，形成多个突节可以包括：形成选自由sio2、dlc、aln、sin或crn组成的组的至少一种材料的多个突节。在一些方面中，形成顶部夹具可以包括：根据参考图1-7描述的任何方面或方面的组合来形成顶部夹具。
119.在操作804处，该方法可以包括：在包括第二时间的第二持续时间期间形成芯部(例如，示例性芯部704)，第二时间与第一时间重叠。芯部可以包括第三表面(例如，层742、
层748或层750的表面，诸如表面750a)、与第三表面相对设置的第四表面(例如，层740或多个第二突节746的表面)、以及设置在第三表面和第四表面之间并且被配置成承载热调节流体的多个流体通道(例如，多个流体通道744)。在一些方面中，形成芯部可以包括在没有阳极键合的情况下形成芯部。在一些方面中，形成芯部可以包括形成sisic的芯部的至少一部分。在一些方面中，形成芯部可以包括形成厚度为大约8.0毫米的芯部。在一些方面中，为了增强随后的以光学方式结合，形成芯部可以包括：向芯部的经抛光的第三表面施加涂层(例如，通过pvd沉积的sio2层)。在一些方面中，形成芯部可以包括形成设置在第四表面下方的多个突节(例如，多个第二突节746)。在一些方面中，在操作802处形成的多个突节是多个第一突节并且在操作804处形成的多个突节是多个第二突节的情况下，在操作802处形成顶部夹具可以包括：将多个第一突节的第一子集形成为第一厚度(例如，大约10.0微米)，并且在操作804处形成芯部可以包括：将多个第二突节的第二子集形成为第二厚度(例如，大约1,000.0微米),第二厚度大于第一厚度。在一些方面中，形成多个突节可以包括由层740形成多个突节，诸如通过图案化和蚀刻层740。在其他方面中，形成多个突节可以包括由设置在层740的表面上的层(例如，玻璃衬底、硼硅酸盐玻璃衬底、碱土硼铝硅酸盐衬底、sio2层)形成多个突节，诸如过图案化和蚀刻设置在层740的表面上的层。在一些方面中，形成芯部可以包括根据参考图1-7描述的任何方面或方面的组合来形成芯部。
120.在操作806处，该方法可以包括：在包括第三时间的第三持续时间期间形成底部夹具(例如，示例性底部夹具706)，第三时间与第一时间和第二时间重叠。底部夹具可包括第五表面(例如，层764或多个孔766的表面)、与第五表面相对设置的第六表面(例如，层760的表面)，以及横向设置在第五表面和第六表面之间的第二组电极(例如，在一个或多个层762中实现的一个或多个电极)。在一些方面中，形成底部夹具可以包括在没有阳极键合的情况下形成底部夹具。在一些方面中，形成底部夹具可以包括形成硼硅酸盐玻璃的底部夹具的至少一部分。在一些方面中，形成底部夹具可以包括形成厚度为大约0.5毫米的底部夹具。在一些方面中，底部夹具可包括通孔(例如，孔766)，所述通孔被布置成使得设置在芯部上的多个第二突节穿过底部夹具。在一些方面中，底部夹具的表面可以距设置在芯部上的多个第二突节的表面大约10微米。换言之，多个第二突节的表面可以比底部夹具的表面突出10微米。在一些方面中，形成底部夹具可以包括根据参考图1-7描述的任何方面或方面的组合来形成底部夹具。
121.在操作808处，该方法可以包括在没有阳极键合的情况下，将顶部夹具的第二表面安装到芯部的第三表面。在一些方面中，将顶部夹具的第二表面安装到芯部的第三表面可以包括：将顶部夹具的第二表面可移除地附接到芯部的第三表面。在一些方面中，将顶部夹具的第二表面可移除地附接到芯部的第三表面可以包括：将顶部夹具的第二表面以光学方式结合到芯部的第三表面。在一些方面中，该方法还可以包括在将顶部夹具的第二表面以光学方式结合到芯部的第三表面之前抛光芯部的第三表面。在一些方面中，将顶部夹具安装到芯部可以包括：根据参考图1-7描述的任何方面或方面的组合来将顶部夹具安装到芯部。
122.在操作810处，该方法可以包括在没有阳极键合的情况下，将芯部的第四表面安装到底部夹具的第五表面。在一些方面中，将芯部的第四表面安装到底部夹具的第五表面可以包括：将芯部的第四表面固定地附接到底部夹具的第五表面。在一些方面中，将芯部的第
四表面固定地附接到底部夹具的第五表面可以包括：将芯部的第四表面用粘合剂结合到底部夹具的第五表面。在一些方面中，将芯部的第四表面用粘合剂结合到底部夹具的第五表面可以包括：使用双组分环氧树脂粘合剂，将芯部的第四表面环氧树脂结合到底部夹具的第五表面。在一些方面中，将芯部的第四表面固定地附接到底部夹具的第五表面可以包括：将芯部的第四表面焊接到底部夹具的第五表面。在一些方面中，底部夹具可以限定多个孔(例如，多个孔766)，所述孔被配置成接收多个突节(例如，多个第二突节746)，并且将芯部的第四表面安装到底部夹具的第五表面可以包括：将多个第二突节中的每个插入到多个孔中的相应孔中。在一些方面中，将芯部安装到底部夹具可以包括：根据参考图1-7描述的任何方面或方面的组合来将芯部安装到底部夹具。
123.在一些方面中，如图7b所示，多个第二突节可以突出在层760之外。突出的多个第二夹具可以用于接触可移动晶片台。可以使用多个第二突节的结构来形成和保持如本文所述的摩擦特性。以这种方式，当底部夹具706通电时，整个夹具组件可以被夹持到可致动的晶片台上，使得它可以利用它们之间的特别设计的摩擦相互作用而与晶片台一起移动。
124.在操作812处，该方法可以包括形成静电夹具(例如，示例性静电夹具701)。在一些方面中，形成静电夹具可以包括基于完成操作808和810两者而形成静电夹具。在一些方面中，形成静电夹具可以包括根据参考图1-7所描述的任何方面或方面的组合来形成静电夹具。
125.可以使用以下条项来进一步描述实施例：
126.1.一种用于制造设备的方法，所述方法包括：
127.在包括第一时间的第一持续时间期间形成顶部夹具，所述顶部夹具包括：
128.第一表面，
129.第二表面，所述第二表面与所述第一表面相对设置，
130.第一组电极，所述第一组电极横向设置在所述第一表面与所述第二表面之间，以及
131.多个突节，所述多个突节设置在所述第一表面上方；
132.在包括第二时间的第二持续时间期间形成芯部，所述第二时间与所述第一时间重叠，所述芯部包括：
133.第三表面
134.第四表面，所述第四表面与所述第三表面相对设置，
135.多个流体通道，所述多个流体通道设置在所述第三表面和所述第四表面之间并且被配置成承载热调节流体；并且
136.在包括第三时间的第三持续时间期间形成底部夹具，所述第三时间与所述第一时间和所述第二时间重叠，所述底部夹具包括：
137.第五表面；
138.第六表面，所述第六表面与所述第五表面相对设置；以及
139.第二组电极，所述第二组电极横向设置在所述第五表面与所述第六表面之间。
140.2.根据条项1所述的方法，其中，形成所述顶部夹具包括在没有阳极键合的情况下形成所述顶部夹具。
141.3.根据条项1所述的方法，其中，形成所述芯部包括在没有阳极键合的情况下形成
所述芯部。
142.4.根据条项1所述的方法，其中，形成所述底部夹具包括在没有阳极键合的情况下形成所述底部夹具。
143.5.根据条项1所述的方法，其中，形成所述顶部夹具包括形成硼硅酸盐玻璃的顶部夹具的至少一部分。
144.6.根据条项1所述的方法，其中，形成所述芯部包括形成硅化碳化硅(sisic)的芯部的至少一部分。
145.7.根据条项1所述的方法，其中，形成所述底部夹具包括形成硼硅酸盐玻璃的底部夹具的至少一部分。
146.8.根据条项1所述的方法，其中：
147.形成所述顶部夹具包括将所述顶部夹具形成为大约0.5毫米的第一厚度；
148.形成所述芯部包括将所述芯部形成为大约8.0毫米的第二厚度；并且
149.形成所述底部夹具包括将所述底部夹具形成为大约0.5毫米的第三厚度。
150.9.根据条项1所述的方法，其中，形成所述多个突节包括：形成选自由类金刚石碳(dlc)、氮化铝(aln)、氮化硅(sin)或氮化铬(crn)组成的组中的至少一种材料的多个突节。
151.10.根据条项1所述的方法，进一步包括：在没有阳极键合的情况下，将所述顶部夹具的所述第二表面安装到所述芯部的所述第三表面。
152.11.根据条项10所述的方法，其中，将所述顶部夹具的所述第二表面安装到所述芯部的所述第三表面包括：将所述顶部夹具的所述第二表面可移除地附接到所述芯部的所述第三表面。
153.12.根据条项11所述的方法，其中，将所述顶部夹具的所述第二表面可移除地附接到所述芯部的所述第三表面包括：将所述顶部夹具的所述第二表面以光学方式结合到所述芯部的所述第三表面。
154.13.根据条项12所述的方法，进一步包括：在将所述顶部夹具的所述第二表面以光学方式结合到所述芯部的所述第三表面之前，抛光所述芯部的所述第三表面。
155.14.根据条项1所述的方法，其中；
156.所述多个突节是多个第一突节；
157.形成所述芯部包括：形成设置在所述第四表面下方的多个第二突节；
158.形成所述顶部夹具包括：将所述多个第一突节的第一子集形成为第一厚度；并且
159.形成所述芯部包括：将所述多个第二突节的第二子集形成为第二厚度，所述第二厚度大于所述第一厚度。
160.15.根据条项14所述的方法，进一步包括：在没有阳极键合的情况下，将所述芯部的所述第四表面安装到所述底部夹具的所述第五表面，其中：
161.所述底部夹具限定多个孔，所述多个孔被配置成接收所述多个第二突节；并且
162.将所述芯部的所述第四表面安装到所述底部夹具的所述第五表面包括：将所述多个第二突节中的每个插入到所述多个孔中的相应孔中。
163.16.根据条项1所述的方法，其中，将所述芯部的所述第四表面安装到所述底部夹具的所述第五表面包括：将所述芯部的所述第四表面固定地附接到所述底部夹具的所述第五表面。
164.17.根据条项16所述的方法，其中，将所述芯部的所述第四表面固定地附接到所述底部夹具的所述第五表面包括：将所述芯部的所述第四表面用粘合剂结合到所述底部夹具的所述第五表面。
165.18.根据条项17所述的方法，其中，将所述芯部的所述第四表面用粘合剂结合到所述底部夹具的所述第五表面包括：使用双组分环氧树脂粘合剂将所述芯部的所述第四表面环氧树脂结合到所述底部夹具的所述第五表面。
166.19.一种用于制造设备的方法，所述方法包括：
167.在包括第一时间的第一持续时间期间形成顶部夹具，所述顶部夹具包括第一表面；
168.在包括第二时间的第二持续时间期间形成芯部，所述芯部包括第二表面和与所述第二表面相对设置的第三表面，所述第二时间与所述第一时间重叠，
169.在包括第三时间的第三持续时间期间形成底部夹具，所述底部夹具包括第四表面，所述第三时间与所述第一时间和所述第二时间重叠；
170.在没有阳极键合的情况下，将所述顶部夹具的所述第一表面安装到所述芯部的所述第二表面；并且
171.在没有阳极键合的情况下，将所述芯部的所述第三表面安装到所述底部夹具的所述第四表面。
172.20.一种设备，包括：
173.顶部夹具，所述顶部夹具包括第一组电极和多个突节；
174.芯部，所述芯部包括被配置成承载热调节流体的多个流体通道；以及
175.底部夹具，所述底部夹具包括第二组电极，
176.其中，所述顶部夹具不包括阳极键合，
177.其中，所述芯部不包括阳极键合，
178.其中，所述底部夹具不包括阳极键合。
179.结论
180.尽管在本文中可以具体地参考光刻设备在ic制造中的使用，但是应当理解，本文中描述的光刻设备可以具有其它应用，诸如制造集成光学系统、用于磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、lcd、薄膜磁头等。本领域技术人员将理解，在此类替代应用的情境下，术语“晶片”或“管芯”在本文中的任何使用可以认为分别与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。可以在曝光之前或之后在例如轨道单元(通常将抗蚀剂层施加到衬底并使曝光后的抗蚀剂显影的工具)、量测单元和/或检查单元中处理本文中提及的衬底。在适用的情况下，可以将本文的公开内容应用于这些和其它衬底处理工具。另外，可以将衬底处理一次以上，例如以便形成多层ic，使得本文中使用的术语“衬底”也可以指已经包含多个处理后的层的衬底。
181.应当理解，本文中的措辞或术语是为了描述而非限制的目的，使得本说明书的术语或措辞将由相关领域技术人员根据本文中的教导进行解释。
182.如本文所使用的术语“衬底”描述了其上添加有材料层的材料。在一些方面中，衬底本身可以被图案化，并且添加在衬底的顶部上的材料也可以被图案化，或者可以被保持而不进行图案化。
183.本文公开的示例是说明性的，而非限制本公开的实施例。对于本领域中通常遇到的各种条件和参数的其它合适修改和调整(并且相关领域的技术人员将明白这些修改和调整)将落入本公开的精神和范围内。
184.尽管在本文中可以具体地参考设备和/或系统在ic的制造中的使用，但应当明确理解，这种设备和/或系统具有许多其它可能的应用。例如，可用于制造集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、lcd面板、薄膜磁头等。本领域技术人员将理解，在此类替代应用的情境下，术语“掩模版”、“晶片”或“管芯”在本文中的任何使用应当认为可以分别被更上位的术语“掩模”、“衬底”和“目标部分”替代。
185.虽然上面已经描述了本公开的特定方面，但是应当理解，本公开可以以不同于所描述的方式来实践。所述描述并非旨在限制本公开的实施例。
186.应当理解，具体实施方式部分(而不是背景技术、发明内容和摘要部分)旨在用于解释权利要求。发明内容和摘要部分可以阐述发明人所设想的一个或多个示例性实施例，但不是全部示例性实施例，因此发明内容和摘要部分不旨在以任何方式限制所呈现的实施例和所附权利要求。
187.上面已经借助于功能构建块描述了本公开的一些方面，所述功能构建块示出了特定功能的实现及其关系。为了便于描述，已经在本文中任意地定义了这些功能构建块的边界。只要适当地执行特定功能及其关系，就可以定义替代边界。
188.本公开的具体方面的上述描述将充分地揭示各方面的一般性质，使得其他人可以通过应用本领域技术内的知识而容易地修改和/或调整这些具体方面的各种应用，而无需过度实验，并且不会偏离本公开的一般概念。因此，基于本文所呈现的教导和指导，这种修改和调整旨在落入所公开方面的等同方案的含义和范围内。
189.本公开的广度和范围不应受任何上述示例性方面或实施例的限制，而应仅根据随附权利要求及其等同方案来限定。