一种PVT法生长碳化硅晶体的方法与流程

技术特征：
1.一种pvt法生长碳化硅晶体的方法，其包括以下步骤：将放置有碳化硅原料和籽晶的坩埚置于生长炉内；其中，所述碳化硅原料放置在坩埚底部，所述籽晶固定于坩埚盖顶部的籽晶托上；对生长炉抽真空并加热，通入保护气体；生长碳化硅晶体；其中，所述保护气体为含有甲烷的气体，甲烷的流量为1-200ml/h。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述保护气体为纯甲烷气体，纯甲烷气体的流量在1-200ml/h。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述保护气体为甲烷气体和惰性气体的混合气，所述甲烷气体的流量在1-200ml/h，甲烷气体在混合气中的体积百分含量为0.1-10％。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述生长碳化硅晶体的温度在2300-2450℃，压力在200-2000pa。5.根据权利要求1所述的方法，其中所述生长碳化硅晶体的时间在90-100小时。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述碳化硅晶体的微管平均密度小于0.04个/cm2、刃位错平均密度小于2200个/cm2。

技术总结
本申请提供了一种PVT法生长碳化硅晶体的方法，其包括以下步骤：将放置有碳化硅原料和籽晶的坩埚置于生长炉内；对生长炉抽真空并加热，通入含有甲烷的保护气体；生长碳化硅晶体。本申请通过引入含有甲烷的保护气体，调整碳化硅晶体生长过程中硅组分和碳组分的比例，避免碳化硅晶体在富硅气氛下出现碳包裹体、微管、位错等缺陷，进而生长出高质量的碳化硅晶体。进而生长出高质量的碳化硅晶体。


技术研发人员：魏华阳 赵小玻 李勇 周振翔 倪代秦 王玉宝 李宏凯 李丹 田龙
受保护的技术使用者：中材人工晶体研究院（山东）有限公司
技术研发日：2022.06.08
技术公布日：2022/8/19