一种欧姆接触层、发光二极管外延片及其制备方法与流程

技术特征：
1.一种欧姆接触层，用于发光二极管外延片，其特征在于，所述欧姆接触层包括依次层叠的第一子层、第二子层、第三子层以及第四子层；所述第一子层为in
a
n
1-a
层，所述第二子层为h2处理层，所述第三子层包括周期性层叠的n极性面in
x
ga
1-x
n层与mg
z
n
1-z
层，所述第四子层包括周期性层叠的掺杂mg的gan层与n极性面in
y
ga
1-y
n层。2.根据权利要求1所述的欧姆接触层，其特征在于，所述in
a
n
1-a
层的厚度为3-8nm，0.2≤a≤0.3。3.根据权利要求1所述的欧姆接触层，其特征在于，所述n极性面in
x
ga
1-x
n层的厚度为0.5-2nm，0.1≤x≤0.2，所述mg
z
n
1-z
层的厚度为3-6nm，0.2≤z≤0.3，所述第三子层的周期数为1-6。4.根据权利要求1所述的欧姆接触层，其特征在于，所述掺杂mg的gan层的厚度为1-2nm，所述n极性面in
y
ga
1-y
n层的厚度为1-2nm，0.01≤y≤0.1，所述第四子层的周期数为1-6。5.一种发光二极管外延片，包括上述权利要求1-4任意一项所述的欧姆接触层，其特征在于，还包括依次层叠的衬底、缓冲层、不掺杂的u-gan层、n型gan层、多量子阱有源层、电子阻挡层以及p型gan层，所述欧姆接触层层叠于所述p型gan层上。6.一种发光二极管外延片制备方法，用于制备上述权利要求5所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述方法包括：获取一衬底；在所述衬底上依次生长缓冲层、不掺杂的u-gan层、n型gan层、多量子阱有源层、电子阻挡层以及p型gan层；在所述p型gan层上依次生长第一子层、第二子层、第三子层以及第四子层以生成所述欧姆接触层；其中，所述第一子层为in
a
n
1-a
层，所述第二子层为h2处理层，所述第三子层包括周期性层叠的n极性面in
x
ga
1-x
n层与mg
z
n
1-z
层，所述第四子层包括周期性层叠的掺杂mg的gan层与n极性面in
y
ga
1-y
n层。7.根据权利要求6所述的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，在生长所述第一子层时，控制生长温度为700-800℃，控制生长压力为300-600torr，打开in源及n源，在纯n2的载气下生长in
a
n
1-a
层；其中，所述in
a
n
1-a
层的厚度为3-8nm，0.2≤a≤0.3。8.根据权利要求6所述的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，在生长所述第二子层时，控制生长温度为800-900℃，控制生长压力为300-600torr，关闭in源及n源，在纯h2或者n2/h2混合的载气下对所述第一子层进行刻蚀处理10~30s，以形成h2处理层。9.根据权利要求6所述的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，在生长所述第三子层时，所述方法包括：先控制生长温度为800-900℃，控制生长压力为300-600torr，控制v/iii比为500-1000，打开in源、ga源及n源，在纯n2的载气下生长一层n极性面in
x
ga
1-x
n层；再控制生长温度为800-900℃，控制生长压力为300-600torr，控制v/iii比为500-1000，关闭in源及ga源，并打开mg源及n源，在纯n2的载气下生长一层mg
z
n
1-z
层；
其中，所述n极性面in
x
ga
1-x
n层的厚度为0.5-2nm，0.1≤x≤0.2，所述mg
z
n
1-z
层的厚度为3-6nm，0.2≤z≤0.3，所述第三子层的周期数为1-6。10.根据权利要求6所述的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，在生长所述第四子层时，所述方法包括：先控制生长温度为950-1000℃，控制生长压力为100-200torr，控制v/iii比为100-300，打开mg源、ga源及n源，在n2/h2混合的载气下生长一层掺杂mg的gan层；再控制生长温度为950-1000℃，控制生长压力为100-200torr，控制v/iii比为500-1000，关闭mg源，并打开in源、ga源及n源，在n2/h2混合的载气下生长一层n极性面in
y
ga
1-y
n层；其中，所述n极性面in
y
ga
1-y
n层的厚度为1-2nm，0.01≤y≤0.1，所述掺杂mg的gan层的厚度为1-2nm，所述第四子层的周期数为1-6。

技术总结
本发明提供一种欧姆接触层、发光二极管外延片及其制备方法，欧姆接触层包括依次层叠的第一子层、第二子层、第三子层及第四子层；第一子层为In


技术研发人员：张彩霞 印从飞 程金连 胡加辉 金从龙
受保护的技术使用者：江西兆驰半导体有限公司
技术研发日：2022.07.26
技术公布日：2022/8/26