晶片间叠加前馈控制及批次间反馈控制的系统及方法与流程

1.本公开大体上涉及叠加控制系统，且更特定来说，涉及具有晶片间前馈控制及批次间反馈控制的叠加控制系统。


背景技术：

2.半导体装置通常包含由一系列处理步骤形成的经图案化层的堆叠，所述系列处理步骤包含沉积、所要图案的光刻曝光及蚀刻经曝光或未曝光部分。通常将用于给定层的曝光步骤划分成曝光场的栅格，使得光刻工具分别曝光每一场。
3.光刻叠加表示两个或两个以上层之间的对准误差或偏移。叠加误差可由各种来源所引起，例如来自制造工具(例如，光刻工具)的系统性偏差、随机误差、样本几何形状诱发的误差(例如，诱发误差)或样本变化。此外，对于每一曝光场，叠加误差可在整个样本上系统地或随机地改变。通常在生产期间通过严格控制用于每一曝光场的光刻工具的配置来减轻及/或补偿叠加误差。例如，光刻工具可基于已在样本上制造的对准目标的测量值来将光罩对准到样本。此外，光刻工具可基于叠加目标的叠加测量值而采用额外叠加校正。
4.随着半导体装置(晶片、样本)的尺寸继续减小，可接受的叠加误差也同样减小。用于缩小半导体装置的尺寸的主要方法的是使用“多重图案化”(例如，双重图案化、四重图案化及类似者)。这些方法可使得能够制造小于单图案化光刻分辨率的装置。然而，在多重图案化技术中所用的光刻步骤的数目显著增加，且多个光刻步骤之间的叠加变得更加关键。在双重图案化的情况下，可执行两个光刻步骤以获得单个光刻步骤可实现的最小装置的一半大小的装置结构。然而，双重图案化步骤的可接受叠加误差是单图案化光刻的可接受叠加误差的一半。因此，半导体装置的缩小尺寸及多重图案化技术的使用迫使需要更严格叠加控制。因此，可期望提供用于对对准及叠加参考层的多个配置提供稳定叠加控制的系统及方法。


技术实现要素：

5.公开一种叠加控制系统。在实施例中，所述系统可包含包括一或多个处理器的控制器，所述一或多个处理器经配置以执行存储于存储器中的一组程序指令，所述组程序指令经配置以致使所述一或多个处理器：基于记录计划(por)取样图在至少一个先前批次样本的一或多个样本的第二层上获取一组反馈叠加测量值；基于所述组反馈叠加测量值产生参考晶片叠加图；基于前馈取样图在当前批次样本的一组样本的第一层上获取一组前馈叠加测量值；基于所述组前馈叠加测量值产生用于所述当前批次样本的所述组样本的一组人工叠加向量图；及产生一或多个控制信号，所述一或多个控制信号经配置以致使光刻工具基于所述参考晶片叠加图及所述组人工叠加向量图制造所述当前批次样本的一或多个样本的第二层。
6.公开一种叠加控制系统。在实施例中，所述系统包含光刻工具。在额外实施例中，所述系统包含通信地耦合到所述光刻工具的控制器，所述控制器经配置以：基于记录计划
(por)取样图在至少一个先前批次样本的一或多个样本的第二层上获取一组反馈叠加测量值；基于所述组反馈叠加测量值产生参考晶片叠加图；基于前馈取样图在当前批次样本的一组样本的第一层上获取一组前馈叠加测量值；基于所述组前馈叠加测量值产生用于所述当前批次样本的每一样本的一组人工叠加向量图；及产生一或多个控制信号，所述一或多个控制信号经配置以致使所述光刻工具基于所述参考晶片叠加图及所述组人工叠加向量图制造所述当前批次样本的每一样本的第二层。
7.公开一种用于前馈及反馈叠加控制的方法。在实施例中，所述方法包含：基于记录计划(por)取样图在至少一个先前批次样本的一或多个样本的第二层上获取一组反馈叠加测量值；基于所述组反馈叠加测量值产生参考晶片叠加图；基于前馈取样图在当前批次样本的一组样本的第一层上获取一组前馈叠加测量值；基于所述组前馈叠加测量值产生用于所述当前批次样本的所述组样本的一组人工叠加向量图；及产生一或多个控制信号，所述一或多个控制信号经配置以致使光刻工具基于所述参考晶片叠加图及所述组人工叠加向量图制造所述当前批次样本的一或多个样本的第二层。
8.应理解，前文概述及下文详细描述两者仅为示范性及说明性且并不一定限制如所主张的本发明。并入说明书且构成说明书的一部分的附图说明本发明的实施例且连同概述一起用于说明本发明的原理。
附图说明
9.所属领域的技术人员通过参考附图可更好理解本公开的众多优点，其中：
10.图1a说明根据本公开的一或多个实施例的叠加控制系统的概念图。
11.图1b说明根据本公开的一或多个实施例的光刻子系统的概念图。
12.图1c说明根据本公开的一或多个实施例的检验子系统的概念图。
13.图2说明根据本公开的一或多个实施例的样本的简化概念图。
14.图3说明根据本公开的一或多个实施例的包含晶片间前馈控制及批次间反馈控制的叠加控制方法的流程图。
15.图4说明根据本公开的一或多个实施例的样本的记录计划(por)取样图。
16.图5说明根据本公开的一或多个实施例的用于选自记录计划(por)取样图的边缘取样的多个点。
17.图6说明根据本公开的一或多个实施例的样本的人工叠加向量图的一部分。
18.图7说明根据本公开的一或多个实施例的用人工叠加向量图选择性地修改参考晶片叠加图的流程图。
19.图8是根据本公开的一或多个实施例的叠加控制方法的流程图。
具体实施方式
20.现将详细参考附图中说明的所公开标的物。本公开已参考某些实施例及其特定特征而具体展示及描述。本文中所阐述的实施例应被视为阐释性而非限制性。所属领域的一般技术人员应易于明白，可在不脱离本公开的精神及范围的情况下作出形式及细节方面的各种改变及修改。
21.光刻叠加表示半导体装置的两个或两个以上层之间的对准误差或偏移。叠加误差
可由各种来源所引起，例如来自制造工具(例如，光刻工具)的系统性偏差、随机误差、样本几何形状诱发的误差(例如，诱发误差)或样本变化。随着半导体装置(晶片、样本)的尺寸继续减小，需要更严格叠加控制。
22.一些叠加控制系统可利用前馈叠加控制以便实现更严格叠加控制。前馈叠加控制/校正可用于控制/校正蚀刻偏差、光罩偏移及扫描器匹配。这些前馈技术全部希望校正由特定过程或装置所引起的系统性偏差。然而，常规前馈叠加控制通常依靠与每一特定工艺或装置相关联的背景内容信息(例如，扫描器id、光罩id、工艺工具id)，且必须从查询表计算正确前馈校正。因此，这些常规前馈控制技术依靠存储待施加到未来批次的校正项，而非所获取的测量值本身。这些常规前馈控制技术趋向于在获得新数据时被定期更新以便特性化偏差源的“静态”校正。
23.此外，这些常规前馈控制技术通常每批次样本到多提供两个前馈叠加校正(例如，针对光刻期间所使用的扫描器的每一阶段，一个前馈叠加校正)。因此，这些常规控制技术在减少及/或校正单个批次内的晶片间叠加变化方面提供有限效用。此外，常规前馈控制技术需要在样本的每一层处获取大量叠加测量值，从而增加叠加测量所需的时间，增加计量成本并降低处理量。
24.因此，本公开的实施例涉及解决上文所识别的先前方法的缺点中的一或多者的系统及方法。本公开的实施例涉及利用晶片间(逐样本)前馈控制及批次间反馈控制来改进叠加控制的叠加控制系统。本公开的组合的前馈控制及反馈控制可减少样本的两个层之间的叠加，同时减少计量过程所需的时间量。本公开的额外实施例涉及利用晶片间前馈控制及批次间反馈控制两者的叠加控制方法。
25.图1a说明根据本公开的一或多个实施例的叠加控制系统100的概念图。叠加控制系统100可包含(但不限于)光刻子系统102、检验子系统104以及包含一或多个处理器108及存储器110的控制器106。
26.在一个实施例中，叠加控制系统100包含用于使样本上的一或多个图案(例如，装置图案、计量图案或类似者)光刻曝光的光刻子系统102。光刻子系统102可包含所属领域中已知的任何光刻工具，包含(但不限于)扫描器、步进器及类似者。
27.在另一实施例中，检验子系统104可特性化样本上的一或多个经印刷图案，例如(但不限于)计量目标(例如，对准及/或叠加目标)。通过另一实例，检验子系统104可特性化图案掩模(例如，包含待通过光刻子系统102曝光到样本上的装置元件的图案的光罩)。在一般意义上，检验子系统104可使用所属领域中已知的任何方法测量任何计量量度(例如，叠加误差、图案置放误差、样本特征的尺寸、临界尺寸(cd)、侧壁角或类似者)。此外，检验子系统104可基于所属领域中已知的任何技术来测量计量量度。在一个实施例中，检验子系统104包含用以基于产生样本的一或多个图像(例如，通过直接对样本的部分进行成像，通过逐点扫描或类似者)来测量计量数据的基于图像的计量工具。在另一实施例中，检验子系统104包含用以基于从样本(例如，晶片、图案掩模或类似者)散射(反射、衍射、漫射散射或类似者)光测量计量数据的基于散射测量的计量系统。
28.在实施例中，光刻子系统102及/或检验子系统104可彼此通信地耦合及/或通信地耦合到控制器106。在另一实施例中，控制器106包含一或多个处理器108，其经配置以执行维持于存储器110中的一组程序指令，所述组程序指令经配置以使一或多个处理器108实行
本公开的各种步骤/功能。在此方面，控制器106的一或多个处理器108可执行贯穿本公开所描述的各种过程步骤中的任一者。例如，控制器106可经配置以产生前馈控制信号及反馈控制信号以便实现对样本的更严格叠加控制。
29.本文中应注意，系统100的一或多个组件可以所属领域中已知的任何方式通信地耦合到系统100的各种其它组件。例如，光刻子系统102、检验子系统104及控制器106可经由有线连接(例如，铜线、光纤电缆及类似者)或无线连接(例如，rf耦合、ir耦合、数据网络通信(例如，wifi、wimax、蓝牙、3g、4g、4g lte、5g及类似者))彼此通信地耦合及通信地耦合到其它组件。
30.在一个实施例中，一或多个处理器108可包含所属领域中已知的任一或多个处理元件。在此意义上，一或多个处理器108可包含经配置以执行软件算法及/或指令的任何微处理器型装置。在一个实施例中，如贯穿本公开所描述，一或多个处理器108可由台式计算机、大型计算机系统、工作站、图像计算机、平行处理器或经配置以执行经配置以操作系统100的程序的其它计算机系统(例如，网络化计算机)组成。应认识到，贯穿本公开所描述的步骤可由单个计算机系统或替代性地由多个计算机系统实行。此外，应认识到，贯穿本公开所描述的步骤可在一或多个处理器108中的任一或多者上执行。一般来说，术语“处理器”可经广泛定义以涵盖具有一或多个处理元件的任何装置，所述一或多个处理元件执行来自存储器110的程序指令。此外，系统100的不同子系统(例如，光刻子系统102、检验子系统104、控制器106)可包含适于实行贯穿本公开所描述的步骤的至少一部分的处理器或逻辑元件。因此，以上描述不应被解释为限制本公开而仅解释为说明。
31.存储器110可包含所属领域中已知的适于存储可通过相关联的一或多个处理器108执行的程序指令的任何存储媒体。例如，存储器110可包含非暂时性存储器媒体。例如，存储器110可包含(但不限于)只读存储器(rom)、随机存取存储器(ram)、磁性或光学存储器装置(例如，磁盘)、磁带、固态磁盘机及类似者。在另一实施例中，存储器110经配置以存储从光刻子系统102及/或检验子系统104接收的数据。应进一步注意，存储器110可与一或多个处理器108一起容置于共同控制器外壳中。在替代实施例中，存储器110可相对于处理器108、控制器106及类似者的物理位置而远程定位。在另一实施例中，存储器110维持用于引起一或多个处理器108实行贯穿本公开所描述的各种步骤的程序指令。
32.在另一实施例中，系统100可进一步包含通信地耦合到控制器106的用户接口。在一个实施例中，所述用户接口可包含(但不限于)一或多个台式计算机、平板计算机、智能电话、智能手表或类似者。在另一实施例中，用户接口包含用于向用户显示系统100的数据的显示器。用户接口的所述显示器可包含所属领域中已知的任何显示器。例如，显示器可包含(但不限于)液晶显示器(lcd)、基于有机发光二极管(oled)的显示器或crt显示器。所属领域的技术人员应认识到，能够与用户接口集成的任何显示装置适用于本公开中的实施方案。在另一实施例中，用户可响应于经由用户接口向所述用户显示的数据而输入选择及/或指令。
33.图1b说明根据本公开的一或多个实施例的光刻子系统102的概念图。在一个实施例中，光刻子系统102包含经配置以产生一或多个照明光束114的光刻照明源112。一或多个照明光束114可包含一或多个选定波长的光，包含(但不限于)紫外(uv)辐射、可见光辐射及红外(ir)辐射。
34.光刻照明源112可包含所属领域中已知的适于产生照明光束114的任何类型的照明源。例如，光刻照明源112可包含一或多个激光系统(例如，气体激光、二极管激光、自由电子激光、光纤激光、盘形激光或类似者)。通过另一实例，光刻照明源112可包含一或多个灯系统(例如，弧光灯或类似者)。通过另一实例，光刻照明源112包含等离子体照明源(例如，激光脉冲等离子体(lpp)源、放电泵浦等离子体(dpp)源、激光维持等离子体(lsp)源或类似者)。光刻照明源112可另外包含适于操纵照明光束114的一或多个方面的任何数目个光学元件，例如(但不限于)滤光器、偏光器、波板、透镜、漫射器、镜及类似者。
35.通过光刻照明源112产生的一或多个照明光束114可具有所属领域中已知的任何空间分布(例如，照明图案)。例如，光刻照明源112可产生其中照明沿着(或平行于)光学轴116传播的轴上照明光束114及/或其中照明以相对于光学轴116的角度传播的任何数目个离轴照明光束114。
36.在另一实施例中，光刻子系统102包含掩模支撑装置118。掩模支撑装置118经配置以固定包含待在制造期间曝光的元件的图案的图案掩模120(例如，光罩)。在另一实施例中，光刻子系统102包含一组投影光学器件122，所述组投影光学器件122经配置以将通过一或多个照明光束114照明的图案掩模120的图像投影到安置于样本载物台126上的样本124上，以便产生对应于图案掩模120的所述图像的经印刷图案元素。在另一实施例中，掩模支撑装置118可经配置以致动或定位图案掩模120。例如，掩模支撑装置118可将图案掩模120致动到相对于系统100的投影光学器件122的选定位置。
37.样本124可包含适于接收图案掩模120的图像的任何数目个光敏材料及/或材料层。例如，样本124可包含光致抗蚀剂层128。在此方面，投影光学器件122组可将图案掩模120的图像投影到光致抗蚀剂层128上以使光致抗蚀剂层128曝光，且后续蚀刻步骤可移除经曝光材料(例如，正型蚀刻)或未曝光材料(例如，负型蚀刻)以便提供样本124上的经印刷特征。
38.如贯穿本公开所使用，术语“样本124”通常是指由半导体或非半导体材料形成的衬底(例如，晶片或类似者)。例如，半导体或非半导体材料可包含(但不限于)单晶硅、砷化镓及磷化铟。样本124可包含一或多个层，包含(但不限于)光致抗蚀剂、电介质材料、导电材料及半导体材料。出于本公开的目的，术语样本及晶片应被解释为可互换。
39.控制器106可通信地耦合到光刻子系统102中的任何数目个元件。例如，控制器106可通信地耦合到用以将图案掩模120上的图案元素的曝光引导到样本124(例如，所述样本上的光致抗蚀剂层128或类似者)的掩模支撑装置118、光刻照明源112及/或样本载物台126。在此方面，可调整曝光条件，例如曝光剂量、样本在光刻子系统102内的焦点位置及类似者。
40.图1c说明根据本公开的一或多个实施例的检验子系统104的概念图。检验子系统104可包含(但不限于)经配置以沿着照明臂134将照明光束132引导到样本124的照明源130，及经配置以沿着收集臂144接收从样本124发出的照明的检测器组合件142。
41.在一个实施例中，检验子系统104包含用以产生照明光束132的照明源130。本文中应注意，光刻子系统102可共享照明源或可包含分开的照明源。在此方面，照明源130可与光刻照明源112相同，或可包含分开的照明源130。照明光束132可包含所属领域中已知的适于特性化样本124的任何类型的照明光束。例如，照明光束132可包含具有一或多个选定波长
(包含但不限于，x射线波长、紫外(uv)波长、可见光波长或红外(ir)波长)的电磁辐射的光束。通过另一实例，照明光束132可包含粒子束，例如(但不限于)电子束、离子束或中性粒子束。
42.在另一实施例中，照明源130经配置以经由照明臂134将照明光束132引导到样本124。如贯穿本公开所使用，术语“计量样本”通常是指待通过检验子系统104检验的物体。在此方面，检验子系统104可作为晶片检验系统操作。通过另一实例，样本124可包含图案掩模(例如，光罩)。在此方面，检验子系统104可作为光罩检验系统操作。
43.照明臂134可包含一或多个照明路径透镜136、经配置以将照明光束132聚焦到样本124上的物镜140，及适于修改及/或调节照明光束132的一或多个额外光学元件138。例如，一或多个光学元件138可包含(但不限于)偏光器、滤光器、光束分离器、漫射器、均质器、变迹器、光束成形器及类似者。例如，如图1c中所说明，检验子系统104可包含经定向使得物镜140可同时将照明光束132引导到样本124及收集从样本124发出的辐射的光束分离器148。在此方面，检验子系统104可在落射照明模式中配置。
44.在另一实施例中，照明光束132在样本124上的入射角是可调整的。例如，可调整照明光束132穿过光束分离器148及物镜140的路径以控制计量照明光束132在样本124上的入射角。在此方面，照明光束132可具有穿过光束分离器148及物镜140的标称路径，使得照明光束132在样本124上具有法向入射角。此外，可通过修改照明光束132在光束分离器148上的位置及/或角度(例如，通过可旋转镜、空间光调变器、自由形式照明源或类似者)来控制照明光束132在样本124上的入射角。在另一实施例中，照明源130经配置以依角度(例如，掠射角、45度角或类似者)将一或多个照明光束132引导到样本124。在此方面，检验子系统104可布置成所属领域中已知的任何配置，包含(但不限于)暗场配置、明场配置及类似者。
45.在另一实施例中，检验子系统104包含经配置以通过收集臂144捕获从样本124发出的辐射(照明)的检测器组合件142。收集臂144可包含适于捕获及/或修改从样本124发出的辐射的一或多个收集路径透镜146或额外光学元件，包含(但不限于)滤光器、波板、镜、偏光器、光束挡块及类似者。应注意，检测器组合件142可包含所属领域中已知的用于检测从样本124反射或散射的照明的任何传感器及检测器组合件。例如，检测器组合件142可包含(但不限于)ccd检测器、tdi检测器、光电倍增管(pmt)、雪崩光电二极管(apd)或类似者。在另一实施例中，检测器组合件142可包含适于识别从样本124发出的辐射的波长的光谱检测器。在另一实施例中，检验子系统104可包含用以促进通过检验子系统104的多个计量测量(例如，多个计量工具)的多个检测器142(例如，与通过一或多个光束分离器产生的多个光束路径相关联)。
46.在另一实施例中，检验子系统104的检测器组合件142经配置以基于从样本124反射或散射的照明来收集样本124的计量数据。在另一实施例中，检测器组合件142经配置以将经收集/获取图像及/或计量数据传输到控制器106。
47.图2说明根据本公开的一或多个实施例的样本124的简化概念图。样本124可包含(但不限于)参考层202、第一层204及第二层206。
48.本公开的实施例可涉及经配置以最小化测量到同一参考层的叠加的两个层之间的叠加误差的系统及方法。例如，如图2中所展示，样本124可包含参考层202(例如，“层0”)、第一层204(例如，“层1”)及第二层206(例如，“层2”)。在应用于本公开时，系统100可经配置
以测量第一层204及第二层206相对于参考层202的叠加。
49.本文中应注意，在用于制造第一层204及第二层206的光刻步骤之间，可能有很少工艺步骤具有大变化。本文中应进一步注意，常规叠加测量技术可需要在第二层206与参考层202之间进行大量叠加测量。然而，获取第二层206与参考层202之间的叠加测量可能具有挑战性且耗时的，从而增加叠加测量时间并降低处理量。因此，本公开的一些实施例希望通过利用第一层204的叠加测量以促进第二层206的叠加测量来减少晶片间(逐样本)变化并减少测量时间。特定来说，可在前馈控制方案中利用第一层204的叠加测量以促进第二层206处的叠加测量。此将在本文中参考图3进一步详细描述。
50.如本文中先前所提及，一或多个处理器108可经配置以执行存储于存储器110上的一组程序指令，所述组程序指令经配置以引起一或多个处理器108实行本公开的各种功能及步骤。在此方面，控制器106可经配置以：基于前馈取样图在批次样本的第一组样本的第一层上获取一组前馈叠加测量值；基于所述组前馈叠加测量值产生用于所述第一组样本的一组人工叠加向量图；产生一或多个控制信号，所述一或多个控制信号经配置以致使光刻工具制造所述批次样本的一或多个样本的第二层以形成一或多个参考样本；基于记录计划(por)取样图在所述一或多个参考样本的所述第二层上获取一组反馈叠加测量值；基于所述组反馈叠加测量值产生参考晶片叠加图；及产生一或多个控制信号，所述一或多个控制信号经配置以致使所述光刻工具基于所述参考晶片叠加图及所述组人工叠加向量图制造所述批次样本的第二层。
51.可参考图3进一步展示及描述控制器106的步骤/功能中的每一者。
52.图3说明根据本公开的一或多个实施例的包含晶片间前馈控制及批次间反馈控制的叠加控制方法300的流程图。本文中应注意，方法300的步骤可全部或部分通过系统100实施。然而，应进一步认识到，因为额外或替代系统级实施例可实行方法300的全部或部分步骤，因此方法300并不限于系统100。
53.在步骤302，可制造样本124的第一层204。例如，控制器106可经配置以产生控制信号，所述控制信号经配置以致使光刻子系统102的一或多个光刻工具在批次样本的每一样本124上制造第一层204。术语“批次样本”可是指经检验及/或制造的一或多个样本124的任何群组。例如，在半导体装置(样本124)制造工艺期间，可以近似两个与二十五个样本124之间的“批次”来制造样本124。例如，在包含二十五个样本124的第一批次样本种，控制器106可致使光刻子系统102在步骤302在所述第一批次样本的二十五个样本124中的每一者上制造第一层204。
54.在步骤304，检验在步骤302制造的批次样本的一或多个样本124以进行反馈控制。例如，控制器106可引起检验子系统104获取一或多个样本124的多个测量值(例如，反馈叠加测量值)及/或图像，且可从检验子系统104接收所述测量值及/或图像。此外及/或替代性地，控制器106可从所属领域中已知的任何来源(包含但不限于，存储器110、网络及类似者)接收一或多个反馈叠加测量值。在步骤304收集的反馈叠加测量值可为测量一或多个经检验样本124上在相应样本124的第一层204与参考层202之间的叠加误差的叠加测量值。
55.本文中应注意，术语“反馈叠加测量值”可是指样本124的将用于反馈控制及/或校正的一或多个叠加测量值。相反地，术语“前馈叠加测量值”可是指样本124的将用于前馈控制及/或校正的一或多个叠加测量值。
56.在实施例中，控制器106可引起检验子系统104(或其它图像/测量源)在步骤304基于记录计划(por)取样图获取反馈叠加测量值。此可参考图4进一步理解。
57.图4说明根据本公开的一或多个实施例的样本124的记录计划(por)取样图402。在实施例中，por取样图402可定义将在样本124上收集/获取反馈叠加测量值所处的多个点404a到404n。例如，在步骤304，控制器106可在由por取样图402定义的点404a到404n中的每一者处获取第一层204与参考层202之间的反馈叠加测量值。特定来说，在步骤304，控制器106可针对在步骤302制造的一或多个样本基于por取样图402获取反馈叠加测量值。
58.可自动地及/或手动地选择por取样图402内的点404a到404n的数目及/或定向。在一些实施例中，por取样图402可包含具有近似两百个到五百个点404a到404n的稀疏取样图。例如，por取样图402可包含跨每一样本124的整体分散的多个点404a到404n。例如，如图4中所展示，por取样图402可包含经布置以形成靠近样本124的中心的稀疏取样图及靠近样本124的边缘的较密集取样图的220个点404a到404n。por取样图402的点404a到404n可经选择使得其与样本124上的重要特征或位置(应针对其监测叠加误差)对应。
59.在步骤304获取参考样本的反馈叠加测量值之后，控制器106可经配置以基于经获取的反馈叠加测量值产生第一层204(层1)的参考晶片叠加图301。在实施例中，基于批次样本的测量产生的第一层204(层1)的参考晶片叠加图301可用于在后续批次样本上制造第一层204。在此方面，参考晶片叠加图301可用于反馈控制以在后续批次样本上制造第一层204以便实行反馈叠加校正。
60.例如，在应用于第一批次样本124时，可在步骤302在所述第一批次样本的每一样本124上制造第一层204。接着，可在步骤304基于por取样图402来检验第一批次样本的一或多个样本124。接着可使用第一批次样本的测量值来产生用于第一层204的第一参考晶片叠加图301。随后，可在步骤302在第二批次样本的每一样本124上执行第一层204。当制造所述第二批次样本的第一层204时，控制器106可致使光刻子系统102至少部分基于基于第一批次的反馈测量值形成的参考晶片叠加图301来制造第一层204。类似地，在用于第二批次样本的步骤304，可使用第二批次样本的反馈测量值来产生将用于在第三批次样本上制造第一层204的第二参考晶片叠加图301。
61.一般来说，当制造第n 1、第n 2、
…
、第n n批次样本124时，基于针对第n批次样本收集的反馈测量值产生的参考晶片叠加图301可用于供反馈控制。换句话说，可基于在一或多个先前批次样本上收集的反馈叠加测量值来产生用于当前批次样本的参考叠加图301。例如，可基于在第n-1批次样本(第一先前批次样本)、第n-2批次样本(第二先前批次样本)及第n-3批次样本(第三先前批次样本)上获取的反馈叠加测量值来产生用于第n批次样本的参考叠加图301。在步骤304产生的参考晶片叠加图301可表示在大批量制造中所见的批次样本的叠加特征。此外，使用参考晶片叠加图301制造后续批次样本的第一层204可促进返工产品叠加(opo)的确定。
62.除非本文中另有提及，否则术语“第n批次样本”可用于指“当前”批次样本(例如，当前在检验/制造中的批次样本)。术语“第n-1批次样本”及类似术语可用于指“先前”批次样本(例如，先前制造及/或检验的批次样本)。相反地，术语“第n 1批次样本”及类似术语可用于指“后续”批次样本(例如，将在当前批次样本之后制造及/或检验的批次样本)。
63.本公开的一些实施例希望收集样本124上的展现最高晶片间叠加变化的位置(例
如，点404)处的叠加测量值(例如，反馈叠加测量值、前馈叠加测量值)。在此方面，控制器106可经配置以识别样本124上的展现最高晶片间变化的点404。在实施例中，控制器106可经配置以对在步骤304获取的叠加数据执行一或多个主分量分析(pca)过程以便确定展现最多晶片间变化的点404。因此，控制器106可经配置以通过使用最占主导地位的主分量来重建晶片间的叠加测量值的变化以便识别高变化的区域(例如，点404)。在实施例中，控制器106可经配置以通过评估在各目标位置处(例如，在每一点404处)的经重建叠加特征的标准偏差来识别高变化的区域(例如，点404)。
64.通过对在多个样本124上收集的叠加测量值执行主分量分析过程，已发现，可更靠近样本124的边缘而非更靠近样本124的中心来找到最高晶片间叠加变化。在此方面，参考图4，已发现，具有最高晶片间变化的点404a到404n更有可能为接近于样本124的边缘定位的点。本文中应注意，控制器106可经配置以使用所属领域中已知的任何技术来识别展现最高晶片间变化的区域及/或点404a到404n，所述技术包含(但不限于)主分量分析(pca)、和方根(rss)分析、标准偏差分析、过程特征量化(psq)分析及类似者。
65.为实现有效前馈控制及促进批次样本124的第二层206的叠加测量，本公开的一些实施例涉及识别具有最高晶片间变化的区域/点404，获取这些点处的叠加测量值及使用所述经获取的叠加测量值用于前馈控制。例如，在步骤302b在批次样本的每一样本124上制造第一层204之后，控制器106可经配置以识别展现最高晶片间变化的多个点404a到404bn，及选择所述多个点的将用于前馈控制的子组点。此可参考图5进一步理解。
66.图5说明根据本公开的一或多个实施例的选自记录计划(por)取样图402的前馈取样图406。
67.如本文中先前所提及，前馈取样图406可包含选自por取样图402的子组点404。特定来说，前馈取样图406可包含por取样图402的展现最高晶片间叠加变化的子组点404。已发现，通常接近于样本124的边缘找到最大晶片间叠加变化。因此，前馈取样图406可包含接近于样本124的边缘的多个点404。可通过所属领域中已知的任何数学过程或技术从por取样图402选择及/或识别前馈取样图406的点，所述数学过程或技术包含(但不限于)主分量分析(pca)、和方根(rss)分析、标准偏差分析、过程特征量化(psq)分析及类似者。
68.本文中经考虑，利用包含展现最多晶片间变化的点的前馈取样图406可最小化前馈校正所需的叠加取样的增加。通过减少针对前馈校正必须测量的点的数目，可增加计量处理量，可降低计量成本且可减少计量测量所需的处理能力。
69.在一些实施例中，可以使得优化各种成本函数的方式来选择前馈取样图406的点404。例如，在识别por取样图402的展现最高晶片间变化的一组点404之后，控制器106可缩小选定点的范围以最小化前馈取样图406的点之间的距离。在此实例中，通过最小化前馈取样图406内的点之间的距离，控制器106可减少用于叠加测量的载物台组合件致动时间，且从而减少计量所需的时间。
70.前馈取样图406可包含任何数目个点404。例如，前馈取样图406可包含二十个点与五十个点之间。在一些实施例中，控制器106可经配置以选择前馈取样图406内的点404的数目，所述数目将不会引起过多计量处理量时间及/或过多处理负担。例如，控制器106可确定前馈取样图406可包含五十个点404，而不会引起过多计量处理负担(例如，n＝50)。在此实例中，控制器106可识别por取样图402的展现最多晶片间变化的百个点404(例如，2n＝
100)，且选择百个所识别点404中的将包含于前馈取样图406内的五十个点404。在此实例中，控制器106可以使得最小化及/或减少与前馈取样图406的点404相关联的各种成本函数的方式来缩小百个点404的组的范围。
71.在步骤302形成当前批次样本(例如，第n批次样本)的每一样本124上的第一层204及在步骤304产生用于后续批次的参考晶片叠加图301之后，方法300可继续进行到步骤306。在步骤306，控制器106可经配置以基于前馈取样图406在当前批次样本(第n批次样本)的第一组样本的第一层204上获取一组前馈叠加测量值。例如，控制器106可产生一或多个控制信号，所述一或多个控制信号经配置以引起检验子系统104基于前馈取样图406获取样本124的多个前馈叠加测量值及/或图像，且可从检验子系统104接收所述测量值及/或图像。此外及/或替代性地，控制器106可从所属领域中已知的任何来源(包含但不限于，存储器110、网络及类似者)接收一或多个前馈叠加测量值。在步骤306收集的前馈叠加测量值可包含测量批次样本的相应样本124的第一层204与参考层202之间的叠加误差的前馈叠加测量值。
72.在实施例中，系统100可基于前馈取样图406在批次样本的每个样本124上获取一组前馈叠加测量值。例如，如果批次样本(例如，当前/第n批次样本)内包含二十五个样本124，那么控制器106可获取二十五组前馈叠加测量值，针对第n批次内的每一样本124一组前馈叠加测量值。控制器106可经配置以将所述组的前馈叠加测量值存储于存储器110中。
73.在实施例中，控制器106可经配置以产生用于批次样本的每一样本124的人工叠加向量图303。用于特定样本124的人工叠加向量图303可基于与相应样本124相关联的所述组前馈叠加测量值来产生。例如，如果批次样本中具有二十五个样本124，那么控制器106可经配置以产生二十五个个别人工叠加向量图303，针对所述批次内的每一样本124一个人工叠加向量图303。控制器106可将所产生的人工叠加向量图303存储于存储器110中。
74.在实施例中，人工叠加向量图303可包含将用于相应批次样本的样本124的第二层206的前馈控制的前馈叠加校正。特定来说，人工叠加向量图303可用于批次内前馈校正。例如，当制造当前批次样本(第n批次样本)的第二层206时，通过测量所述当前批次样本(第n批次样本)的第一层204而产生的人工叠加向量图303a可用于前馈控制。通过另一实例，当制造第n 1批次样本的第二层206时，通过测量所述第n 1批次样本的第一层204而产生的人工叠加向量图303b可用于前馈控制。通过另一实例，当制造第n 2批次样本的第二层206时，通过测量所述第n 2批次样本的第一层204而产生的人工叠加向量图303c可用于前馈控制。
75.图6说明根据本公开的一或多个实施例的样本124的人工叠加向量图303的一部分。
76.在实施例中，人工叠加向量图303可包含用于前馈取样图406内的每一点404的叠加校正向量408。例如，如果前馈取样图406包含将针对其获取前馈叠加测量值的五十个点，那么人工叠加向量图303可包含五十个分开的叠加校正向量408，针对前馈取样图406的每一点404一个叠加校正向量408。例如，对于每个样本124，前馈取样图406的第一点404a可包含第一叠加校正向量408a，且前馈取样图406的第n点404n可包含第n叠加校正向量408n。叠加校正向量可指示减少/最小化前馈取样图406的每一相应点404处的叠加误差所需的前馈校正的位准。在此方面，特定点404处的叠加误差越大，与相应点404相关联的叠加校正向量越大。本文中可了解，相应叠加校正向量408a到408n(且因此人工叠加向量图303)可在批次
内的样本124之间改变，且无需为相同的。
77.将再次参考图3。在步骤306获取前馈叠加测量值及产生人工叠加向量图303之后，方法300可继续进行到步骤308。在步骤308，控制器106经配置以产生用于批次样本的每一样本124的经修改参考晶片叠加图307a到307n。
78.在实施例中，控制器106可经配置以基于当前批次样本(例如，第n批次样本)的人工叠加向量图303及至少一个先前批次样本(例如，第n-1批次样本、第n-2批次样本及类似者)的第二层206的参考晶片叠加图305产生经修改参考晶片叠加图307。例如，当制造当前批次样本(第n批次样本)时，步骤308可包含基于所述当前/第n批次样本的人工叠加向量图303(步骤306)及第n-1批次样本(即，先前批次样本)的参考晶片叠加图305(步骤312)产生用于当前/第n批次样本的每一样本的经修改参考晶片叠加图。在一些实施例中，可通过用当前批次样本(例如，第n批次样本)的人工叠加向量图303选择性地修改至少一个先前批次样本(例如，第n-1批次样本、第n-2批次样本)的参考晶片叠加图305来产生经修改参考晶片叠加图307a到307n。
79.如本文中先前所提及，应用于当前批次样本(第n批次样本)的反馈控制可基于在任何数目个先前批次样本(例如，第n-1批次样本、第n-2批次样本)上获取的反馈叠加测量值。此可参考图7进一步理解。
80.图7说明根据本公开的一或多个实施例的用人工叠加向量图303选择性地修改参考晶片叠加图305的流程图。
81.在一些实施例中，可通过以下来制造每一相应样本124的第二层206：用当前批次样本(例如，第n批次样本)的相应人工叠加向量图303选择性地修改来自至少一个先前批次样本(例如，第n-1批次样本、第n-2批次样本、
…
、第n-n批次样本)的参考晶片叠加图305以产生经修改参考晶片叠加图307，及基于经修改参考晶片叠加图307制造第二层206。
82.例如，当制造当前/第n批次样本的第一样本124a时，控制器106可用与所述当前/第n批次样本的第一样本124a相关联的第一人工叠加向量图303a选择性地修改经产生为第n-1批次样本及第n-2批次样本的经加权平均数的参考晶片叠加图305，以产生第一经修改参考晶片叠加图307a。随后，控制器106可致使光刻子系统102基于第一经修改参考晶片叠加图307a制造当前/第n批次样本的第一样本124a的第二层206。
83.例如，在获取第n-1批次样本、第n-2批次样本及第n-3批次样本(例如，第一、第二及第三先前批次样本)的反馈叠加测量值之后，控制器106可经配置以使用相应先前批次样本中的每一者的经加权平均数产生待用于对当前批次样本(第n批次样本)的反馈控制的参考晶片叠加图305。例如，对于当前批次的参考晶片叠加图305内的每一点404，控制器106可经配置以将所述特定点的叠加计算为((0.4＊n-1
th
) (0.3＊n-2
th
) (0.2＊n-3
th
))。在此实例中，在较新检验的批次上获取的较新测量值与较旧批次相比加权更重。
84.本文中应注意，控制器106可经配置以手动地及/或自动地选择将在产生待用于当前批次的参考晶片叠加图305时使用的任何数目或组合的先前批次。此外，控制器106可经配置以使用所属领域中已知的任何数学技术或加权方案以便将来自一或多个批次的反馈叠加测量值组合成单个参考晶片叠加图305。例如，控制器106可经配置以利用加权平均数、移动平均数(ma)、指数加权的移动平均数(ewma)、线性加权的移动平均数(lwm)及类似者。
85.在实施例中，可通过当前批次样本的每一相应人工叠加向量图303a到303n通过将
与前馈取样图406的每一点404相关联的叠加校正向量308应用于参考晶片叠加图305内来选择性地修改来自至少一个先前批次样本的参考晶片叠加图305。例如，当制造当前批次样本(第n批次样本)的第一样本124a时，控制器106可通过将与每一点404相关联的叠加校正向量308应用于与所述当前/第n批次样本的第一样本124a相关联的第一人工叠加向量图303a来选择性地修改经产生为在一或多个先前批次样本处获取的一组反馈叠加测量值的经加权平均数的参考晶片叠加图305，以产生第一经修改参考晶片叠加图307a。随后，控制器106可致使光刻子系统102基于第一经修改参考晶片叠加图307a制造当前/第n批次样本的第一样本124a的第二层206。
86.通过基于人工叠加向量图303a到303n修改先前批次样本的参考晶片叠加图305，所产生的经修改参考晶片叠加图307可与先前批次的参考晶片叠加图305相同，惟与前馈取样图(及叠加校正向量308)相关联的点除外。在此方面，可在用于每一样本124的每一点404处应用相同叠加测量值，只是与在相应批次内测量的前馈取样图内的点404中的每一者相关联的叠加差除外。换句话说，用于在步骤312制造第二层的经修改参考晶片叠加图307可在每个点404处展现相同叠加校正，惟前馈取样图内的点除外。
87.在步骤308计算经修改参考晶片叠加图307之后，方法300可继续进行到步骤310。在步骤310，基于经修改参考晶片叠加图307在当前批次样本的样本124上制造第二层206。在此方面，控制器106可基于先前批次样本的第二层206的参考晶片叠加图305及当前批次样本的相应人工叠加向量图303制造当前批次样本的第二层206中的每一者。例如，控制器106可产生控制信号，所述控制信号经配置以致使光刻子系统102的光刻工具在步骤308b基于第一经修改参考晶片叠加图307来制造第二层206，第一经修改参考晶片叠加图307是基于第二层206的参考晶片叠加图305及相应人工叠加向量图303来产生。
88.例如，当制造第n批次样本的第一样本124a时，控制器106可致使光刻子系统102基于第n-1批次样本的参考晶片叠加图305(来自步骤312)及与第n批次样本的第一样本124a相关联的人工叠加向量图303a(来自步骤306)制造第一样本124a的第二层206a。通过另一实例，当制造第n批次样本的第二样本124b时，控制器106可致使光刻子系统102基于第n-1批次样本的参考晶片叠加图305(来自步骤312)及与第n批次样本的第二样本124b相关联的人工叠加向量图303a(来自步骤306)制造第二样本124b的第二层206a。
89.在此方面，基于先前批次中的第二层206的por取样图402(例如，反馈叠加测量值)形成的参考晶片叠加图305可用于反馈控制以便在当前批次样本的样本124上制造第二层206。相反地，基于当前批次中的第一层204的前馈取样图406(例如，前馈叠加测量值)形成的人工叠加向量图303可用于前馈控制以便在当前批次样本的样本124上制造第二层206的其余者。
90.当在步骤310制造当前批次样本的样本124的第二层206时，控制器106可利用经修改参考晶片叠加图307且对各晶片运行一或多个高阶叠加建模方案，以便识别及校正晶片间变化。控制器106可经配置以执行所属领域中已知的任何叠加建模过程或模型，包含(但不限于)外推场间校正模型、高阶zernike模型及类似者。
91.在步骤312，检验包含当前批次的第二层206(在步骤310制造)的样本124。例如，控制器106可引起检验子系统104获取一或多个样本124的多个测量值(例如，反馈叠加测量值)及/或图像，且可从检验子系统104接收所述测量值及/或图像。此外及/或替代性地，控
制器106可从所属领域中已知的任何来源(包含但不限于，存储器110、网络及类似者)接收一或多个反馈叠加测量值。在步骤312收集的反馈叠加测量值可为测量当前批次样本的样本上的在相应样本的第二层206与参考层202之间的叠加误差的反馈叠加测量值。控制器106可将反馈叠加测量值存储于存储器110中。
92.在实施例中，控制器106可引起检验子系统104(或其它图像/测量源)在步骤312基于por取样图402获取反馈叠加测量值。例如，控制器106可在步骤304及步骤312利用相同por取样图402。在此方面，在步骤306用于前馈取样图406的点404可包含选自用于步骤312的por取样图402的点的子组点404。
93.在另一实施例中，控制器106可经配置以基于在步骤312获取的反馈叠加测量值产生第二层206(层2)的参考晶片叠加图305。参考晶片叠加图305可包含在步骤310制造的参考样本的第二层204的参考图，且可用于实行后续批次样本中的反馈叠加校正。例如，当在当前/第n批次样本上实行步骤312的检验时，控制器106可产生参考晶片叠加图305，在制造一或多个后续批次样本(例如，第n 1批次样本、第n 2批次样本、
…
、第n n批次样本)上的第二层206时，参考晶片叠加图305可用于反馈叠加校正。通过另一实例，当在第n 1批次样本上实行步骤312的检验时，控制器106可产生在制造第n 2批次样本的样本上的第二层206时可用于反馈叠加校正的参考晶片叠加图305。
94.参考晶片叠加图305可表示对当前及/或后续批次样本预期的经计算平均叠加，且可包含与por取样图402内的每一点404相关联的叠加误差值。在步骤312产生的参考晶片叠加图305可表示在大批量制造中所见的批次样本的叠加特征。此外，使用参考晶片叠加图305制造后续批次样本的样本124的第二层206可促进返工产品叠加(opo)的确定。
95.本文中经考虑，本公开的实施例可实现改进的叠加控制。特定来说，本公开的实施例可实现晶片间前馈叠加校正控制，如与仅可提供批次间及/或载物台间前馈能力的常规叠加控制系统相反。此外，已发现，本公开的系统100及方法300可导致每批次高达二十五个前馈校正，此相对于常规叠加控制系统所提供的每批次最大两个校正来说有很大改进。因此，已发现如相较于常规叠加控制系统，本公开的实施例有效地减小批次内(例如，晶片间)叠加变化。此外，如本文中先前所提及，本公开的实施例可实现改进的叠加控制，同时减少必须在第一层204处获取的叠加测量值的数目。实际上，系统100及方法300可实现更快计量处理量且减少计量及制造时间。
96.图8是根据本公开的一或多个实施例的叠加控制方法800的流程图。本文中应注意，方法800的步骤可全部或部分通过系统100实施。然而，应进一步认识到，因为额外或替代系统级实施例可实行方法800的全部或部分步骤，因此方法800并不限于系统100。
97.在步骤802，基于记录计划(por)取样图在至少一个先前批次样本(例如，第n-1批次样本)的一或多个样本的第二层上获取一组反馈叠加测量值。例如，如步骤312所展示，控制器106可引起检验子系统104基于por取样图402获取第n-1批次样本及/或第n-2批次样本的一或多个样本124的多个测量值(例如，反馈叠加测量值)及/或图像。在此实例中，第n-1批次样本可被视为第一“先前”批次样本，且第n-2批次样本可被视为第二“先前”批次样本。
98.在步骤804，基于所述组反馈叠加测量值产生参考晶片叠加图。例如，控制器106可基于在步骤802(步骤312)获取的所述组反馈叠加测量值产生用于至少一个先前批次样本(例如，第n-1批次样本、第n-1批次样本)的参考晶片叠加图305。
99.在步骤806，基于前馈取样图在当前批次样本(例如，第n批次样本)的一组样本的第一层上获取一组前馈叠加测量值。例如，如步骤306所展示，控制器106可经配置以基于前馈取样图406在当前/第n批次样本的第一组样本的第一层204上获取一组前馈叠加测量值。例如，控制器106可产生一或多个控制信号，所述一或多个控制信号经配置以引起检验子系统104基于前馈取样图406获取样本124的多个前馈叠加测量值及/或图像，且可从检验子系统104接收所述测量值及/或图像。在此实例中，第n批次样本可被视为“当前”批次样本。
100.在步骤808，基于所述组前馈叠加测量值产生用于当前/第n批次样本的样本组的一组人工叠加向量图。例如，如步骤306所展示，控制器106可经配置以产生用于当前/第n批次样本的每一样本124的人工叠加向量图303。可基于与当前/第n批次样本的相应样本124相关联的所述组前馈叠加测量值来产生用于特定样本124的人工叠加向量图303。在实施例中，人工叠加向量图303可包含用于前馈取样图406内的每一点404的叠加校正向量408。例如，如果前馈取样图406包含将对其获取前馈叠加测量值的50个点，那么人工叠加向量图303可包含50个分开的叠加校正向量408，对于前馈取样图406的每一点404一个叠加校正向量408。
101.在步骤810，基于参考晶片叠加图及所述组人工叠加向量图制造当前/第n批次样本的一或多个样本的第二层。例如，如步骤308及310所展示，可基于第n批次样本(当前批次样本)的人工叠加向量图303及基于至少一个先前批次样本(例如，第n-1批次样本、第n-1批次样本)的参考晶片叠加图305制造当前/第n批次样本的一或多个样本的第二层。
102.所属领域的技术人员将认识到，为概念上清楚起见，本文中所描述的组件(例如，操作)、装置、物体及伴随其论述是用作实例且预期各种配置修改。因此，如本文中所使用，所阐述的特定范例及所附论述希望表示其更一般类别。一般来说，使用任何特定范例希望表示其类别，且不包含特定组件(例如，操作)、装置及物体不应视为限制性。
103.所属领域的技术人员将了解，存在可实现本文中所描述的过程及/或系统及/或其它技术的各种载体(例如，硬件、软件及/或固件)，且优选载体将随着其中部署所述过程及/或系统及/或其它技术的背景内容而改变。例如，如果实施者确定速度及准确性是最重要的，那么所述实施者可选择主要硬件及/或固件载体；替代性地，如果灵活性是最重要的，那么实施者可选择主要软件实施方案；或又再次替代性地，实施者可选择硬件、软件及/或固件的某一组合。因此，存在可实现本文中所描述的过程及/或装置及/或其它技术的若干可能载体，所述载体中的任一者本质上并不优于另一者，因为待利用的任何载体是取决于其中将部署所述载体的背景内容及实施者的特定考量因素(例如，速度、灵活性或可预测性)的选择，所述背景内容及考量因素中的任一者可能改变。
104.呈现先前描述以使所属领域的一般技术人员能够制造并使用本发明，如在特定应用及其要求的背景内容中提供那样。如本文中所使用，方向性术语(例如“顶部”、“底部”、“上方”、“下方”、“上”、“向上”、“下”、“下面”及“向下”)希望出于描述目的提供相对位置，且并不希望指定绝对参考是。所属领域的技术人员将易于明白对所描述实施例的各种修改，且本文中所定义的一般原理可应用于其它实施例。因此，本发明并不希望限于所展示及描述的特定实施例，而应符合与本文中所公开的原理及新颖特征一致的最广泛范围。
105.关于本文中所使用的大体上任何复数及/或单数术语，所属领域的技术人员可根据背景内容及/或应用来将复数转化成单数及/或将单数转化成复数。为清楚起见，本文中
未明确阐述各种单数/复数排列。
106.本文中所描述的全部方法可包含将方法实施例的一或多个步骤的结果存储于存储器中。所述结果可包含本文中所描述的结果中的任一者且可以所属领域中已知的任何方式存储。存储器可包含本文中所描述的任何存储器或所属领域中已知的任何其它合适存储媒体。在已存储结果之后，所述结果可在存储器中存取且由本文中所描述的方法或系统实施例中的任一者使用；经格式化以向用户显示；由另一软件模块、方法或系统使用及类似者。此外，结果可“永久地”、“半永久地”、“暂时地”存储或存储一段时间。例如，存储器可为随机存取存储器(ram)，且结果可不一定无期限地留存于存储器中。
107.应进一步考虑，上文所描述的方法的实施例中的每一者可包含本文中所描述的任何其它方法的任何其它步骤。另外，上文所描述的方法的实施例中的每一者可通过本文中所描述的系统中的任一者执行。
108.本文中所描述的标的物有时说明含于其它组件内或与其它组件连接的不同组件。应理解，此类描绘架构仅为示范性，且事实上可实施实现相同功能性的许多其它架构。就概念来说，用于实现相同功能性的任何组件布置经有效“相关联”，使得实现所要功能性。因此，本文中经组合以实现特定功能性的任何两个组件可被视为彼此“相关联”，使得实现所要功能性，不论架构或中间组件如何。同样地，如此相关联的任何两个组件还可被视为彼此“连接”或“耦合”以实现所要功能性，且能够如此相关联的任何两个组件还可被视为彼此“可耦合”以实现所要功能性。可耦合的特定实例包含(但不限于)可物理配合及/或物理交互组件、及/或可无线交互及/或无线交互组件、及/或逻辑交互及/或可逻辑交互组件。
109.此外，应理解，本发明是由所附权利要求书定义。所属领域的技术人员将理解，通常，本文中且尤其所附权利要求书(例如，所附权利要求书的主体)中所使用的术语通常希望作为“开放式”术语(例如，术语“包含(including)”应被解释为“包含(但不限于)”，术语“具有”应被解释为“至少具有”，术语“包含(includes)”应被解释为“包含(但不限于)”及类似者)。所属领域的技术人员应进一步理解，如果希望特定数目个所介绍权利要求叙述，那么将在权利要求书中明确叙述此意图，且在缺乏此叙述的情况下不存在此意图。例如，为了辅助理解，下文所附权利要求书可含有介绍性短语“至少一个”及“一或多个”的使用以介绍权利要求叙述。然而，此类短语的使用不应被解释为暗含：由不定冠词“一”或“一个”介绍权利要求叙述将任何特定权利要求含有此所介绍权利要求叙述限于本发明仅含有一个此叙述，即使在同一权利要求包含介绍性短语“一或多个”或“至少一个”及例如“一”或“一个”的不定冠词(例如，“一”及/或“一个”通常应被解释为意味着“至少一个”或“一或多个”)时也如此；用来介绍权利要求叙述的定冠词的使用也是如此。另外，即使明确叙述特定数目个所介绍权利要求叙述，所属领域的技术人员仍将认识到，此叙述通常应被解释为意味着至少所叙述数目(例如，“两个叙述”的纯粹叙述而没有其它修饰词通常意味着至少两个叙述，或两个或两个以上叙述)。此外，在其中使用类似于“a、b及c中的至少一者，及类似者”的惯用表述的所述例子中，通常此构造希望具有所属领域的技术人员将理解所述惯用表述的意义(例如，“具有a、b及c中的至少一者的系统”将包含(但不限于)仅具有a、仅具有b、仅具有c、一起具有a及b、一起具有a及c、一起具有b及c及/或一起具有a、b及c，及类似者的系统)。在其中使用类似于“a、b或c中的至少一者，及类似者”的惯用表述的所述例子中，通常此构造希望具有所属领域的技术人员将理解所述惯用表述的意义(例如，“具有a、b或c中的至少一
者的系统”将包含(但不限于)仅具有a、仅具有b、仅具有c、一起具有a及b、一起具有a及c、一起具有b及c及/或一起具有a、b及c，及类似者的系统)。所属领域的技术人员将进一步理解，实际上无论在描述、权利要求书或图式中，呈现两个或两个以上替代术语的任何转折词及/或短语应被理解为预期包含所述术语中的一者、所述术语中的任一者或两个术语的可能性。例如，短语“a或b”将被理解为包含“a”或“b”或“a及b”的可能性。
110.据信，将通过前文描述来理解本公开及其许多伴随优点，且将显而易见的是，可在不背离所公开标的物或不牺牲其全部实质性优点的情况下对组件的形式、构造及布置进行各种改变。所描述的形式仅为解释性的，且所附权利要求书希望涵盖及包含此类改变。此外，应理解，本发明是由所附权利要求书定义。