晶圆用高压射流洗设备的制作方法

1.本实用新型涉及半导体技术领域，具体设计一种半导体晶圆清洗过程使用的高压射流清洗设备。


背景技术：

2.授权公告号为cn209190607u的中国实用新型专利，提供了一种“一种多尺寸晶片旋转夹持机构”，其具有呈阶梯结构的夹持块，以兼容多种尺寸晶片夹持。在晶圆清洗过程中，晶圆通常采用真空吸附的方式固定并承载，相较于现有技术中依靠机械夹具夹持的方式，避免了机械夹具对晶圆边缘的磨损，并减少了颗粒污染物在晶圆边缘的聚集，能够提高了晶圆产品的良率。在晶圆完成bga制程后，清洗晶圆表面残留的sn珠时，需要使用由氮气和纯水构成的高压二相流体喷淋清洗去除。并且在清洗过程中，喷头从中间往边缘循环运动。
3.但由于sn与晶圆表面金属层结合力较大，需要较喷射压力才可以将其去除。当喷头运动至晶圆边缘位置时，由于压力较大，晶圆较薄，晶圆会产生上下的高频振荡，该振荡会导致裂片，使本清洗制程中晶圆的裂片率上升。


技术实现要素：

4.针对现有技术中存在不足，本实用新型提供了一种晶圆用高压射流洗设备，以减少高压射流清洗过程中晶圆的破裂，降低裂片率。
5.本实用新型是通过以下技术手段实现上述技术目的的。
6.一种晶圆用高压射流洗设备，其特征在于，包括与真空系统连通的真空吸附盘，位于真空吸附盘上方的高压射流喷嘴和限位装置；
7.所述真空吸附盘可拆卸的安装在真空旋转主轴上，直径r为晶圆直径的0.75-0.90倍；所述高压射流喷嘴至少与高压清洗水源连通；
8.所述限位装置用于限制所述高压射流喷嘴的运动范围。
9.进一步地，所述高压射流喷嘴的运动范围在所述真空吸附盘对应的面积范围内。
10.进一步地，所述限位装置为距离传感器，距离传感器设置在真空吸附盘所吸附的晶圆边缘上方。
11.进一步地，所述高压射流喷嘴还与氮气气流源连通。
12.本实用新型根据不同的晶圆尺寸合理的定制真空吸附盘的尺寸大小，提高晶圆与载具的接触面积，能够有效地防止晶圆的裂片。在此基础上，可以进一步提升高压喷淋水洗的压力，使用较短的时间得到更好的清洗效果，提升生产效率。
13.本实用新型改造方案简单有效，对于晶圆无任何不良影响，方便推广，尤其适用于大尺寸超薄晶圆高压清洗工序。
附图说明
14.图1为本实用新型所述晶圆用高压射流洗设备的结构示意图。
15.图中：1.晶圆，2.真空吸附盘，3.高压射流喷嘴，4.距离传感器。
具体实施方式
16.下面结合附图以及具体实施例对本实用新型作进一步的说明，但本实用新型的保护范围并不限于此。
17.如图1所示，本发明所述的晶圆用高压射流洗设备，包括与真空系统连通的真空吸附盘 2，位于真空吸附盘2上方的高压射流喷嘴3和限位装置。所述真空吸附盘2直径r为晶圆1 直径的0.75-0.90倍，可拆卸的安装在真空旋转主轴上。所述高压射流喷嘴3至少与高压清洗水源连通。在清洗残留sn的时候，所述高压射流喷嘴3还与氮气气流源连通，利用水与氮气的高压二相流进行清洗工作。
18.所述限位装置用于限制所述高压射流喷嘴3的运动范围。在本实施例中，所述限位装置为距离传感器4，距离传感器4设置在真空吸附盘2所吸附的晶圆1边缘上方。当高压射流喷嘴3运动到距离所述距离传感器4的极限位置时，将终止高压射流的喷射。
19.较佳地，所述高压射流喷嘴3的运动范围在所述真空吸附盘2对应的面积范围内，即高压射流喷嘴3的运动范围距离l≤r/2。
20.根据所需要清洗的晶圆1尺寸的大小来更换不同尺寸的所真空吸附盘2，以保证大的吸附面积，提高晶圆1与载具的接触面积，有效地防止晶圆1的裂片。在此基础上，可以进一步提升高压喷淋水洗的压力，使用较短的时间得到更好的清洗效果，提升生产效率。
21.所述实施例为本实用新型的优选的实施方式，但本实用新型并不限于上述实施方式，在不背离本实用新型的实质内容的情况下，本领域技术人员能够做出的任何显而易见的改进、替换或变型均属于本实用新型的保护范围。


技术特征：
1.一种晶圆用高压射流洗设备，其特征在于，包括与真空系统连通的真空吸附盘(2)，位于真空吸附盘(2)上方的高压射流喷嘴(3)和限位装置；所述真空吸附盘(2)可拆卸的安装在真空旋转主轴上，直径r为晶圆(1)直径的0.75-0.90倍；所述高压射流喷嘴(3)至少与高压清洗水源连通；所述限位装置用于限制所述高压射流喷嘴(3)的运动范围。2.根据权利要求1所述的晶圆用高压射流洗设备，其特征在于，所述高压射流喷嘴(3)的运动范围在所述真空吸附盘(2)对应的面积范围内。3.根据权利要求1所述的晶圆用高压射流洗设备，其特征在于，所述限位装置为距离传感器(4)，距离传感器(4)设置在真空吸附盘(2)所吸附的晶圆(1)边缘上方。4.根据权利要求1所述的晶圆用高压射流洗设备，其特征在于，所述高压射流喷嘴(3)还与氮气气流源连通。

技术总结
本实用新型提供了一种晶圆用高压射流洗设备，包括与真空系统连通的真空吸附盘，位于真空吸附盘上方的高压射流喷嘴和限位装置；所述真空吸附盘可拆卸的安装在真空旋转主轴上，直径R为晶圆直径的0.75-0.90倍；所述高压射流喷嘴至少与高压清洗水源连通；所述限位装置用于限制所述高压射流喷嘴的运动范围。本实用新型根据不同的晶圆尺寸合理的定制真空吸附盘的尺寸大小，提高晶圆与载具的接触面积，能够有效地防止晶圆的裂片，降低了裂片率。降低了裂片率。降低了裂片率。


技术研发人员：徐浩 陈胜 许红权 李双 庞兴忠
受保护的技术使用者：苏州科阳半导体有限公司
技术研发日：2022.02.16
技术公布日：2022/8/30