一种薄膜晶体管、显示面板以及显示装置的制作方法

技术特征：
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：基板；半导体层，叠置于所述基板；第一导电层，叠置于所述半导体层；第二导电层，叠置于所述半导体层，所述第二导电层与第一导电层之间具有间隙，以使所述第一导电层和第二导电层绝缘；绝缘层，叠置于所述半导体层；栅极，叠置于所述绝缘层；漏极，与所述第一导电层电连接；源极，与所述第二导电层电连接。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一导电层和第二导电层的材料均为导电金属。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述绝缘层位于所述间隙。4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括屏蔽层，所述屏蔽层叠置于所述基板，所述半导体层叠置于所述屏蔽层。5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体层叠置与所述屏蔽层的中部，所述屏蔽层的两侧区域裸露，裸露的所述屏蔽层的两侧区域为可挠区域。6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括层间绝缘层，所述层间绝缘层叠置于所述可挠区域、第一导电层、第二导电层和栅极。7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述层间绝缘层设置第一通孔和第二通孔，所述漏极和源极均叠置于所述层间绝缘层，所述漏极穿过所述第一通孔后与所述第一导电层电连接，所述源极穿过所述第二通孔后与所述第二导电层电连接。8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括钝化层和平坦化层；所述钝化层和平坦化层依次叠置于所述层间绝缘层、漏极和源极；所述平坦化层远离所述基板的一表面与所述基板远离所述平坦化层的一表面平行。9.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-8中任意一项所述的薄膜晶体管；阳极，与所述薄膜晶体管的漏极电连接；像素定义层，叠置于所述阳极，所述像素定义层设置像素口，以使所述阳极于所述像素口处裸露；支撑层，叠置于所述像素定义层。10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求9所述的显示面板。11.一种制作如权利权利要求1-8中任意一项所述的薄膜晶体管的方法，其特征在于，包括：在基板上依次形成半导体层、绝缘层和栅极；对所述栅极和绝缘层进行图案化处理，以使所述半导体层部分裸露；在所述半导体层裸露的区域分别形成第一导电层和第二导电层，所述第一导电层和第二导电层通过所述绝缘层绝缘；设置漏极和源极，其中，所述漏极与所述第一导电层电连接，所述源极与所述第二导电
层电连接。12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，经图案化处理后的所述栅极和绝缘层位于所述半导体层的中部，所述第一导电层和第二导电层分别形成于所述半导体层的两侧区域，所述对所述栅极和绝缘层进行图案化处理，以使所述半导体层部分裸露的步骤，进一步包括：在所述栅极上涂覆光刻胶；在所述光刻胶上形成光刻胶保留层和光刻胶不保留层；对所述光刻胶进行曝光显影，以去除所述光刻胶不保留层，所述光刻胶保留层远离所述栅极的一端在第一方向上具有第一尺寸，所述光刻胶保留层靠近所述栅极的另一端在第一方向上具有第二尺寸，所述第一尺寸大于第二尺寸，其中，所述第一方向为所述第一导电层的中心和第二导电层的中心的连线方向；对所述栅极进行刻蚀，在所述第一方向上，所述光刻胶保留层的一端与经刻蚀的所述栅极齐平，或者所述光刻胶保留层的一端凸出于经刻蚀的所述栅极；对所述绝缘层进行刻蚀，以使所述半导体层的两侧区域裸露，其中，在所述第一方向上，经刻蚀后的所述绝缘层与所述光刻胶保留层的一端齐平，或者经刻蚀后的所述绝缘层凸出于所述光刻胶保留层的一端。13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述在所述半导体层裸露的区域分别形成第一导电层和第二导电层的步骤，进一步包括：在所述半导体层和光刻胶保留层上沉积导电材料；去除所述光刻胶保留层上沉积的导电材料以及去除所述光刻胶保留层，所述半导体层上沉积的导电材料即为所述第一导电层和第二导电层。14.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述光刻胶为负性光阻，所述在所述光刻胶上形成光刻胶保留层和光刻胶不保留层的步骤，进一步包括：采用掩膜板对所述光刻胶的两侧区域进行覆盖以形成所述光刻胶不保留层，所述光刻胶的中部即为所述光刻胶保留层。15.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述光刻胶包括第一光阻层和第二光阻层，所述第二光阻层和第一光阻层依次叠置于所述栅极，所述第一光阻层和第二光阻层均为正性光阻，所述第一光阻层具有第一显影速率，所述第二光阻层具有第二显影速率，所述第一显影速率小于所述第二显影速率，所述在所述光刻胶上形成光刻胶保留层和光刻胶不保留层的步骤，进一步包括：采用掩膜板对所述光刻胶的中部进行覆盖以形成所述光刻胶保留层，所述光刻胶的两侧区域即为所述光刻胶不保留层。16.根据权利要求11-15中任意一项所述的方法，其特征在于，所述在基板上依次形成半导体层、绝缘层和栅极的步骤，进一步包括：在所述基板上形成屏蔽层；在所述屏蔽层上依次形成所述半导体层、绝缘层和栅极。17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，所述在所述屏蔽层上依次形成所述半导体层、绝缘层和栅极的步骤，进一步包括：在所述屏蔽层上形成半导体层；
对所述半导体层进行图案化处理，以使所述屏蔽层的两侧区域裸露，裸露的所述屏蔽层的两侧区域为可挠区域；在经图案化处理的所述半导体层上依次形成所述绝缘层和栅极。18.根据权利要求17所述的方法，其特征在于，所述设置漏极和源极的步骤，进一步包括：在所述可挠区域、第一导电层、第二导电层和栅极上形成层间绝缘层；在所述层间绝缘层形成第一通孔和第二通孔；在所述层间绝缘层上形成漏极和源极，所述漏极穿过所述第一通孔后与所述第一导电层电连接，所述源极穿过所述第二通孔后与所述第二导电层电连接。19.根据权利要求18所述的方法，其特征在于，还包括：在所述层间绝缘层、漏极和源极上依次形成钝化层和平坦化层，其中，所述平坦化层远离所述基板的一表面与所述基板远离所述平坦化层的一表面平行。

技术总结
本申请实施例涉及一种薄膜晶体管、显示面板以及显示装置，薄膜晶体管包括基板；半导体层，叠置于基板；第一导电层，叠置于半导体层；第二导电层，叠置于半导体层，第二导电层与第一导电层之间具有间隙，以使第一导电层和第二导电层绝缘；绝缘层，叠置于半导体层；栅极，叠置于绝缘层；漏极，与第一导电层电连接；源极，与第二导电层电连接。通过在半导体层形成第一导电层和第二导电层，漏极和第一导电层电连接，源极和第二导电层电连接，则不需要将半导体层进行导体化处理，因此，不存在漏区和源区向中间的半导体区扩散的现象，在不对栅极施加电压的情况下，第一导电层和第二导电层不会导通，本申请提供的薄膜晶体管的电学特性好，且使用寿命长。使用寿命长。使用寿命长。


技术研发人员：陈晓妮 晏国文 陈明 黄德猛
受保护的技术使用者：深圳市柔宇科技股份有限公司
技术研发日：2021.03.02
技术公布日：2022/9/1