使用ALE和选择性沉积蚀刻衬底的制作方法

使用ale和选择性沉积蚀刻衬底
本技术是申请号为201710291502.8，申请日为2017年4月28日，申请人为朗姆研究公司，发明创造名称为“使用ale和选择性沉积蚀刻衬底”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明总体上涉及半导体领域，更具体地涉及使用ale和选择性沉积蚀刻衬底。


背景技术：

1.图案化方法对于半导体处理至关重要。特别地，已经探索了极紫外(euv)光刻技术，以将光刻技术扩展到其光学极限之外，并取代当前的光刻方法来图案化小的关键尺寸特征。当前的euv光刻方法导致可能最终使衬底无用的差的边缘粗糙度和弱图案化。


技术实现要素：

2.本发明提供了用于处理半导体衬底的方法和装置。一方面涉及一种处理衬底的方法，所述方法包括：(a)使包含第一含碳材料的衬底暴露于氧化剂，并以第一偏置功率点燃第一等离子体，以使所述第一含碳材料的表面改性；以及(b)使经改性的表面暴露于第二偏置功率下的第二等离子体，并持续足以在不溅射的情况下除去经改性的所述表面的持续时间。在多种实施方式中，所述方法还包括(c)将第二含碳材料选择性地沉积在所述衬底上以填充在所述第一含碳材料上的缝隙。在多种实施方式中，所述方法还包括重复(a)-(c)多个循环。在多种实施方式中，所述第二偏置功率可以介于约30v和约100v之间。
3.在一些实施方式中，所述氧化剂是强氧化剂。例如，所述强氧化剂是氧。在一些实施方式中，所述第一等离子体使用介于约15w和约500w之间的等离子体功率产生。所述第一偏置功率可以介于约5v和50v之间。
4.在一些实施方式中，所述氧化剂是弱氧化剂。例如，所述弱氧化剂可以是二氧化碳、一氧化碳、二氧化硫、一氧化氮、氮和氨中的任何一种或多种。在一些实施方式中，使用介于约30w和约500w之间的等离子体功率产生所述第一等离子体。所述第一偏置功率介于约30v和约100v之间。
5.在多种实施方式中，将所述第二含碳材料选择性沉积在所述衬底上包括以介于约5v和约15v之间的功率施加自偏置，并且使用介于约30w至约500w之间的等离子体功率点燃等离子体。在一些实施方式中，将所述第二含碳材料选择性沉积在所述衬底上还包括引入甲烷。所述将第二含碳材料选择性沉积在所述衬底上还可以包括引入诸如氮、氦、氩、氢及其组合中的任何一种或者多种之类的稀释剂。
6.在多种实施方式中，所述第一含碳材料是光致抗蚀剂、无定形碳和石墨烯中的任何一种或者多种。在一些实施方式中，所述第一含碳材料是通过极紫外光刻图案化的光致抗蚀剂。
7.在一些实施方式中，(c)包括将所述衬底暴露于甲烷以将成层的甲烷吸附到所述第一含碳材料的所述表面并将所述衬底暴露于第三等离子体。
8.可以通过引入诸如氦、氢、氮、氩和氖中的任何一种或者多种之类的惰性气体并点燃等离子体来产生所述第三等离子体。
9.在多种实施方式中，使包含所述第一含碳材料的所述衬底暴露于所述氧化剂还包括将所述衬底暴露于稀释惰性气体，所述稀释惰性气体例如氦、氩、氖、氪和氙中的任何一种或者多种。
10.在(b)中的所述第二等离子体可以通过引入诸如氢、氦、氮、氩和氖中的任何一种或者多种之类的惰性气体并点燃等离子体而产生。
11.在多种实施方式中，所述方法还包括在执行(a)和执行(b)之间清扫容纳所述衬底的室，以从所述室中除去多余的氧化剂。
12.在一些实施方式中，所述方法还包括重复(a)和(b)多个循环。
13.所述衬底可以搁置在设置在介于约0℃和约120℃之间的温度下的基座上。
14.另一方面涉及一种用于处理衬底的装置，所述装置包括：一个或多个处理室，每个处理室包括卡盘；通向所述处理室内的一个或多个气体入口以及相关的流量控制硬件；和具有存储器和至少一个处理器的控制器，使得所述至少一个处理器和所述存储器彼此通信地连接，所述至少一个处理器至少与所述流量控制硬件操作性地连接，并且所述存储器存储用于控制所述至少一个处理器的计算机可执行指令，以至少通过以下步骤来控制所述流量控制硬件：(i)将氧化剂引入所述处理室并以第一偏置功率点燃第一等离子体；以及(ii)引入第一惰性气体并以第二偏置功率点燃第二等离子体，使得(i)和(ii)在不破坏真空的情况下进行。
15.在多种实施方式中，所述存储器还包括用于以下操作的指令：(iii)将含碳前体引入所述处理室以形成吸附到被容纳在所述一个或多个处理室内的衬底的所述表面的所述含碳前体的吸附层；以及(iv)引入第二惰性气体并点燃第三等离子体。
16.在多种实施方式中，所述指令还包括用于在(iii)中引入所述含碳前体时以介于约5v至约15v之间的功率接通自偏置的指令。
17.在多种实施方式中，所述指令还包括用于引入选自氮、氦、氩、氢及其组合中的稀释剂的指令。
18.在多种实施方式中，所述氧化剂是氧。所述第一偏置功率可以介于约5v和约50v之间。在多种实施方式中，所述第一等离子体被设置为介于约15w和500w之间的等离子体功率。
19.在多种实施方式中，所述氧化剂是二氧化碳、一氧化碳、二氧化硫、一氧化氮、氮和氨中的任何一种或者多种。在一些实施方式中，所述第一偏置功率介于约30v和约100v之间。在一些实施方式中，所述第一等离子体被设置为介于约30w和500w之间的等离子体功率
20.具体而言，本发明的一些方面可以阐述如下：1.一种处理衬底的方法，所述方法包括：(a)使包含第一含碳材料的衬底暴露于氧化剂，并以第一偏置功率点燃第一等离子体，以使所述第一含碳材料的表面改性；以及(b)使经改性的所述层暴露于第二偏置功率下的第二等离子体，并持续足以在不溅射的情况下除去经改性的所述表面的持续时间。2.根据条款1所述的方法，其还包括(c)将第二含碳材料选择性地沉积在所述衬底
上以填充在所述第一含碳材料上的缝隙。3.根据条款1所述的方法，其中所述第二偏置功率能够介于约30v和约100v之间。4.根据条款1所述的方法，其中所述氧化剂是强氧化剂。5.根据条款4所述的方法，其中所述强氧化剂是氧。6.根据条款4所述的方法，其中所述第一等离子体使用介于约15w和约500w之间的等离子体功率产生。7.根据条款4所述的方法，其中所述第一偏置功率介于约5v和50v之间。8.根据条款1所述的方法，其中所述氧化剂是弱氧化剂。9.根据条款8所述的方法，其中所述弱氧化剂选自二氧化碳、一氧化碳、二氧化硫、一氧化氮、氮和氨。10.根据条款8所述的方法，其中使用介于约30w和约500w之间的等离子体功率产生所述第一等离子体。11.根据条款8所述的方法，其中所述第一偏置功率介于约30v和约100v之间。12.根据条款2所述的方法，其中将所述第二含碳材料选择性沉积在所述衬底上包括以介于约5v和约15v之间的功率施加自偏置，并且使用介于约30w至约500w之间的等离子体功率点燃等离子体。13.根据条款12所述的方法，其中将所述第二含碳材料选择性沉积在所述衬底上还包括引入甲烷。14.根据条款13所述的方法，其中将所述第二含碳材料选择性沉积在所述衬底上还包括引入选自氮、氦、氩、氢及其组合中的稀释剂。15.根据条款1-14中任一项所述的方法，其中所述第一含碳材料选自光致抗蚀剂、无定形碳和石墨烯。16.根据条款1-14中任一项所述的方法，其中所述第一含碳材料是通过极紫外光刻图案化的光致抗蚀剂。17.根据条款2所述的方法，其中(c)包括将所述衬底暴露于甲烷以将成层的甲烷吸附到所述第一含碳材料的所述表面并将所述衬底暴露于第三等离子体。18.根据条款17所述的方法，其中通过引入选自氦、氢、氮、氩和氖中的惰性气体并点燃等离子体来产生所述第三等离子体。19.根据条款1-14中任一项所述的方法，其中使包含所述第一含碳材料的所述衬底暴露于所述氧化剂还包括将所述衬底暴露于稀释惰性气体，所述稀释惰性气体选自氦、氩、氖、氪和氙。20.根据条款1-14中任一项所述的方法，其中(b)中的所述第二等离子体通过引入选自氢、氦、氮、氩和氖中的惰性气体并点燃等离子体而产生。21.根据条款1-14中任一项所述的方法，其还包括在执行(a)和执行(b)之间清扫容纳所述衬底的室，以从所述室中除去多余的氧化剂。22.根据条款1-14中任一项所述的方法，其还包括循环重复(a)和(b)。23.根据条款2所述的方法，其还包括以循环重复(a)-(c)。24.根据条款1-14中任一项所述的方法，其中所述衬底容纳在设置在介于约0℃和约120℃之间的温度下的基座上。
25.一种用于处理衬底的装置，所述装置包括：(a)一个或多个处理室，每个处理室包括卡盘；(b)通向所述处理室内的一个或多个气体入口以及相关的流量控制硬件；和(c)具有至少一个处理器和存储器的控制器，其中所述至少一个处理器和所述存储器彼此通信地连接，所述至少一个处理器至少与所述流量控制硬件操作性地连接，并且所述存储器存储用于控制所述至少一个处理器的计算机可执行指令，以至少通过以下步骤来控制所述流量控制硬件：(i)将氧化剂引入所述处理室并以第一偏置功率点燃第一等离子体；以及(ii)引入第一惰性气体并以第二偏置功率点燃第二等离子体，其中(i)和(ii)在不破坏真空的情况下进行。26.根据条款25所述的装置，其中所述存储器还包括用于以下操作的指令：(iii)将含碳前体引入所述处理室以形成吸附到被容纳在所述一个或多个处理室内的衬底的表面的所述含碳前体的吸附层；以及(iv)引入第二惰性气体并点燃第三等离子体。27.根据条款26所述的装置，其中所述指令还包括用于在(iii)中引入所述含碳前体时以介于约5v至约15v之间的功率接通自偏置的指令。28.根据条款26所述的装置，其中所述指令还包括用于引入选自氮、氦、氩、氢及其组合中的稀释剂的指令。29.根据条款25-28中任一项所述的装置，其中所述氧化剂是氧。30.根据条款29所述的装置，其中所述第一偏置功率介于约5v和约50v之间。31.根据条款29所述的装置，其中所述第一等离子体被设置为介于约15w和500w之间的等离子体功率。32.根据条款25-28中任一项所述的装置，其中所述氧化剂选自二氧化碳、一氧化碳、二氧化硫、一氧化氮、氮和氨。33.根据条款32所述的装置，其中所述第一偏置功率介于约30v和约100v之间。34.根据条款32所述的装置，其中所述第一等离子体被设置为介于约30w和500w之间的等离子体功率。
21.下面参照附图进一步描述这些和其他方面。
附图说明
22.图1是原子层刻蚀衬底上的膜的示例的示意图。
23.图2是在具有突起的抗蚀剂上进行原子层蚀刻的示例的示意图。
24.图3是原子层蚀刻期间的除去操作的示例的示意图。
25.图4是可以根据某些公开的实施方式使用的选择性沉积循环的示意图。
26.图5是根据所公开的实施方式执行的操作的处理流程图。
27.图6是用于执行某些公开的实施方式的示例性处理室的示意图。
28.图7是用于执行某些公开的实施方式的示例性处理装置的示意图。
29.图8a是在实验中使用的衬底的图像。
30.图8b是来自实验的衬底的图像。
31.图8c-8e是根据某些公开的实施方式进行的实验的所得衬底的图像。
32.图9a-9c是衬底的各种视图。
33.图10a-10c和11a-11c是来自根据某些公开的实施方式进行的实验的衬底的各种视图。
具体实施方式
34.在下面的描述中，阐述了许多具体细节以提供对所呈现的实施方式的透彻理解。在没有这些具体细节中的一些或全部的情形下可以实施所公开的实施方式。在其他情形下，未详细描述众所周知的处理操作，以避免不必要地模糊所公开的实施方式。虽然将结合具体的实施方式描述所公开的实施方式，但是应理解的是这并非意在限制所公开的实施方式。
35.薄膜在半导体处理中的图案化在半导体器件的制造和制备中使用。常规图案化涉及光刻，例如193nm光刻。在光刻中，图案通过将光子从光子源发射到掩模上来印刷并将图案印刷到光敏性光致抗蚀剂上，由此在光致抗蚀剂中引起化学反应，从而除去光致抗蚀剂的某些部分以形成图案。随着器件的缩小，对印刷较小特征的需求增加。虽然已经开发了用于与常规光刻一起使用的多种图案化技术，但多重图案化使用多层沉积和蚀刻工艺。先进的半导体集成电路(ic)和其他器件的特征的缩放已经驱动光刻技术来通过移动到更小的成像源波长来提高分辨率。
36.已经开发了极紫外(euv)光刻技术，以便在前沿光刻工具(也被称为扫描仪)中使用约13.5nm波长的euv光源在光致抗蚀剂上印刷更小的图案。虽然下一代euv在2006年首次预计将支持45nm技术节点制造，但由于若干生产率问题，这种发展已经长期推迟。euv生产率的一个挑战因为创造和聚焦13.5nm光子的固有困难而已经一直在产生足够的功率来执行图案化。系统吞吐量以及因此总体成本和生产率由晶片上传送的光子与成像光致抗蚀剂所需的光子的比率确定。尽管在过去十年中开发了旨在修改源的方法，但是方法尚未使用于45nm技术节点的以使得能有效使用euv技术的250w的源功率得以实现。用于执行euv的源功率随着器件缩小由于散粒噪声和抗蚀剂模糊性而增大，以便在5nm技术节点中执行euv，使用500w-1000w的源功率与现有图案化技术具有成本竞争力。
37.(特别是对于通孔成像)源功率不足导致图案化图像的边缘粗糙度以及定义的关键尺寸两方面的图案保真度的损失。这除了其他原因之外，还由于可用于每个通孔成像的光子数量少，每个特征中光子数量以及每个光子在产生光致酸中的效率的随机变化导致孔尺寸的随机变化(也称为局部关键尺寸均匀性，或在本文称为“lcdu”)和边缘粗糙度(也称为线边缘粗糙度或在本文称为“ler”)。
38.用于图案化用于小型关键尺寸器件的光致抗蚀剂的现有技术包括使光致抗蚀剂硬化、平滑和从光致抗蚀剂除去残留物的反应离子蚀刻(“rie”)工艺。然而，目前的rie工艺无法解决ler或lcdu。例如，已由rie处理的光致抗蚀剂可能还包括特征之间的小起皱物以及在特征底部上的抗蚀剂浮渣。
39.本文提供了蚀刻衬底(诸如光致抗蚀剂)以在光刻之后在成像特征中产生均匀蚀刻且平滑的边缘的方法。这样的技术如本文所述改进了ler和lcdu。公开的实施方式减少了对使用高源功率来执行euv应用的需求，从而提高了euv扫描器的生产率。公开的实施方式
适用于蚀刻衬底以形成诸如与源极/漏极区域接触的触头、3-d接触孔等之类的结构。
40.方法涉及原子层蚀刻(ale)和选择性沉积，以轻缓地蚀刻和平滑诸如含碳材料之类的材料。可以使用所公开的实施方式蚀刻的示例性的含碳材料包括光致抗蚀剂(例如在euv或浸渍中使用的那些)和无定形碳
41.ale是使用顺序的自限反应除去材料薄层的技术。一般而言，可使用任何合适的技术执行ale。原子层蚀刻技术的示例在2014年11月11日公告的美国专利no.8,883,028、2014年8月19日公告的美国专利no.8,808,561和2017年2月21日公告的美国专利no.9,576,811中进行了描述，这些专利在此通过引用并入本文，以用于描述示例性原子层蚀刻和蚀刻技术的目的。在多个实施方式中，ale可以利用等离子体进行，或者可以利用热方式进行。
42.ale可以循环进行。“ale循环”的构思与本文的多个实施方式的讨论相关。通常，ale循环是用于实施一次蚀刻工艺(例如蚀刻单层)的最小的一组操作。一个循环的结果是蚀刻在衬底表面上的至少一些膜层。通常，ale循环包括形成反应层的改性操作，随后是仅除去或蚀刻此改性层的除去操作。该循环可包括某些辅助操作，例如扫除反应物或副产物之一。通常，循环包括独特系列的操作的一个示例。举例而言，ale循环可包括以下操作：(i)输送反应物气体(吸附)，(ii)从室清扫反应物气体，(iii)输送除去气体和任选的等离子体(解吸)，以及(iv)清扫室。
43.图1示出了ale循环的两个示例性示意图和选择性聚合物沉积的示意图。图1中的171a-171e示出了一示例性的ale循环。在171a中，提供了衬底。
44.在多种实施方式中，所述衬底可以是硅晶片，例如，200mm的晶片、300mm的晶片或450mm的晶片，包括具有一个或多个材料层的晶片，该材料例如沉积在其上的电介质、导体材料的或半导体材料。在一些实施方式中，所述衬底包括硅(例如无定形硅)的覆盖层，或锗的覆盖层。所述衬底可以包括预先沉积并被图案化在衬底上的图案化掩模层。例如，掩模层可沉积并被图案化在包括非晶硅覆盖层的衬底上。在一些实施方式中，衬底表面包括光致抗蚀剂、或石墨烯、或无定形碳。
45.在一些实施方式中，衬底上的层可以被图案化。衬底可以可具有“特征”，例如通孔或接触孔，其可表征为一个或多个狭窄的和/或内凹的(re-entrant)开口、特征内收缩部和高深宽比。所述特征可以在一个或多个上述层中形成。特征的一个示例是半导体衬底或该衬底上的层中的孔或通孔。另一个示例是衬底或层中的线或空间限定的沟槽。在多个实施方式中，所述特征可以具有下层，例如阻挡层或粘合层。下层的非限制性实施例包括介电层和导电层，例如，硅氧化物、硅氮化物、硅碳化物、金属氧化物、金属氮化物、金属碳化物和金属层。在一些实施方式中，衬底的表面可以包括多于一种类型的材料，例如如果衬底被图案化的话。衬底包括至少一种待使用所公开的实施方式蚀刻和平滑化的材料。该材料可以是上述金属、电介质、半导体材料等中的任何一种。在各种实施方式中，可以制备这些材料以用于制造触点、通孔、栅极等。在一些实施方式中，待蚀刻的材料是硬掩模材料，例如无定形碳。另外的示例性材料包括氮化铝镓、硅、氮化镓，钨和钴。
46.在171b中，使衬底的表面改性。在171c中，在用以除去多余的非吸附前体的清扫操作之后，改性层保留。在171d中，改性层被蚀刻。在171e中，除去改性层。
47.类似地，图1中的172a-172e示出了用于蚀刻含碳膜的ale循环的示例。在172a中，提供了包含含碳材料的衬底，其包含许多碳原子。在多种实施方式中，衬底包括含碳层，例
如光致抗蚀剂或无定形碳层。
48.在172b中，将氧化剂引入衬底，其修饰衬底的表面。氧化剂可以是强氧化剂，例如氧(o2)，或弱氧化剂，如二氧化碳(co2)。氧化剂的选择可能取决于衬底上的含碳材料的类型。例如，在一些实施方式中，强氧化剂可以是适于蚀刻硬的含碳材料(如无定形碳或石墨烯)的氧化剂。在另一示例中，在一些实施方式中，弱氧化剂可以是适于蚀刻通过euv(极紫外)光刻或浸渍光刻图案化的光致抗蚀剂的氧化剂。
49.例如，172b中的示意图示出了一些氧化剂被吸附到衬底的表面上。改性操作形成薄的反应性表面层，其厚度在随后的除去操作中比未改性材料更容易除去。为了蚀刻含碳材料，可以在改性或吸附操作期间使用含氧等离子体。含氧等离子体可以通过使含氧改性化学物质(例如氧(o2))或弱氧化剂(如二氧化碳(co2))流动并点燃等离子体而产生。其他弱氧化剂包括一氧化碳(co)、氮氧化物(no)和二氧化硫(so2)。另外的反应物可以包括氮、氢和氨化合物以及可以与抗蚀剂表面反应地结合并随后使用亚溅射阈值离子轰击挥发的物质。这些强和弱氧化剂可以单独或组合使用，包括与稀释惰性气体(如氦(he)、氩(ar)、氖(ne)、氪(kr)、氙(xe)及其组合)一起使用。该操作使几埃厚的含碳材料表面改性，以形成比主体含碳材料具有较弱的键能的改性层。在多种实施方式中，将弱氧化剂作为无偏置或有低偏置的等离子体提供给衬底。例如，在多种实施方式中，将弱氧化剂引入等离子体处理室，并且打开等离子体源功率以点燃等离子体，从而促进弱氧化剂吸附到含碳材料的表面上。该偏压可以以低功率或电压(例如约5v至约15v或高达约50v之间的自偏置)施加。等离子体功率可设定在约15w至约300w之间的功率。应理解的是，术语“偏置功率”和“偏置电压”在本文中可互换使用以描述当偏置施加到基座时基座被设置的电压。如本文所述的偏置功率或偏压以伏特进行计量，伏特是由单位“v”或“vb”表示，其中b指偏置。
50.在172c中，从室清扫弱氧化剂。在172d中，引入含有方向性等离子体的除去气体氩气，如ar

等离子体物质和箭头所示，并进行离子轰击以除去衬底的改性的碳表面。在该操作过程中，将偏置施加在衬底上以吸引离子朝向它。在解吸操作中，可以使用惰性气体等离子体(例如he、ar、xe或n2)来除去改性层。尽管在172d中描绘了氩气，但是应当理解，可以使用任何合适的惰性气体来产生用于该操作的等离子体。在多种实施方式中，在移除期间施加的偏置功率可以介于约30v至约100v之间。可以选择偏置功率使得提供给衬底的能量小于溅射衬底所需的能量，但大于用于从衬底除去改性层的能量。等离子体功率可以设定在约30w至约500w之间的功率。
51.在172e中，清扫室并除去副产物。在多种实施方式中，可以在一个循环中除去介于约和约之间的材料。如果使用较强的氧化剂，则蚀刻速率可能会大于使用较弱的氧化剂时的蚀刻速率。例如，对于强氧化剂如氧气(o2)，惰性等离子体气体可以是ar，且可以除去约10埃至约30埃的抗蚀剂材料。在一些实施方式中，如果使用的弱氧化剂是二氧化碳，并且用于除去改性层的惰性气体等离子体是氦气，则每个循环可以蚀刻介于约2埃到3埃之间的材料。含碳材料的后蚀刻表面通常在ale处理后是平滑的。例如，在一些实施例中，ale处理之后的表面的均方根粗糙度可以小于约0.5nm(rrms《0.5nm)。
52.图2显示了该操作如何可以减少光致抗蚀剂上的突起的存在。光致抗蚀剂上的突起的尺寸可以在直径和/或高度上介于约1埃和约30埃之间。提供具有抗蚀剂材料和突起299的示例性衬底200。弱氧化剂201被提供并吸附到衬底200上，其使衬底200的表面改性以
形成改性的表面202。然后将改性表面202除去；虚线203示出了先前的含碳材料在衬底200上的位置，该位置现在产生衬底210。该处理250可以构成一个ale氧化循环。处理260示出了具有暴露于弱氧化剂221的突起298的衬底220。弱氧化剂221吸附到衬底220上，其使衬底220的表面改性以形成改性表面222。弱氧化剂231吸附到衬底230上以形成改性层(未示出)，并且进一步除去改性层以产生衬底270，其包括虚线275，虚线275示出了先前含碳材料在衬底230上的位置。
53.不受特定理论的约束，相信，突起的尺度在原子水平上，使得由于突起具有表面比体积的更大的比率，因此当含碳材料被吸附到突起的表面上并且除去了单层或两层突起时，相对于从表面的相邻相对平坦部分移除的材料，突起的尺寸显著减小。这可能是由于较多的含碳材料被吸附在由突起提供的较大表面积上。
54.图3示出了除去操作如何可以改善正被蚀刻的材料的平滑化。惰性等离子体物质在172d中与低偏置一起使用，使得等离子体物质具有足够的能量以除去吸附到衬底表面上的碳原子的弱氧化物改性表面，但是没有足够的能量从衬底的表面溅射掉下面的未改性的碳原子。在多种实施方式中，偏置可以介于约30v和约100v之间，或小于约50v。在一些实施方式中，改性层可以是约0.5nm厚，其可以包括约3至4个原子层。在一些实施方式中，如图3所示，可以在改性层和无定形材料之间存在相界。图3所示的惰性等离子体物质(例如ar )可以是亚阈值的、非反应性离子物质，其中亚阈值意味着惰性等离子体物质的能量不足以溅射改性层下面的材料，但足够高以除去改性层。阈值偏置功率或阈值偏置电压是指在基座上的衬底的表面上的材料被溅射之前施加到基座上的偏置的最大电压。因此，阈值偏置功率部分地取决于待蚀刻的材料、用于产生等离子体的气体、用于点燃等离子体的等离子体功率和等离子体频率。在每个循环之后，表面可以“复位”，使得表面包括要被除去的材料，而在表面上没有许多或者任何改性材料。
55.2015年9月4日提交的名称为“ale smoothness:in and outside semiconductor industry”的美国临时专利申请no.62/214,813以及于2016年8月31日提交的名称为“ale smoothness:in and outside semiconductor industry”的美国专利申请公布no.2017/0069462中描述了使用ale技术平滑化衬底的进一步描述，其全部内容通过引用并入本文。不受特定理论的束缚，相信，通过所公开的实施方式，由于逐层机制，因而可以使衬底平滑，ale通过该逐层机制在每个循环期间蚀刻材料，从而蚀刻和平滑化衬底表面上的突起。例如，要平滑化的材料的表面上的突起可以在突起的表面上被改性和蚀刻，使得当突起被蚀刻时，突起的尺寸随着每个蚀刻循环而收缩，从而使材料的表面平滑化。
56.虽然ale处理可以平滑侧壁或线边缘粗糙度，但它不能改变cd变化，例如，线宽或孔/柱直径。为此，使用选择性含碳材料沉积工艺来选择性地在光致抗蚀剂结构上进行沉积，并且优先地以进入不同尺寸的特征中的不同沉积速率用含碳材料填充特征。在多种实施方式中，孔或柱的直径在衬底上是均匀的，并且改善了lcdu。例如，在一些实施方式中，可以使用甲烷(ch4)。
57.回到图1，182a-182c示出了根据某些公开的实施方式可以执行的选择性沉积工艺的示例性示意图。对于选择性聚合物沉积，182a显示具有碳原子的衬底。在182b中，碳暴露于含碳化学物质，如甲烷(ch4)，使得碳材料选择性地沉积到衬底的表面上。尽管以甲烷为示例，但可以使用其它含碳化学物质，其可以具有化学式c
xhy
，其中x和y是大于或等于1的整
数。选择性碳沉积可以以低偏置(例如，自偏置功率＝约5v至约15v)和在约30w至约500w的范围内的低rf等离子体功率进行。在一些实施方式中，含碳化学物质可以与一种或多种稀释剂组合以产生等离子体。示例性稀释剂包括氮、氦、氩、氢及其组合。在182c中，清扫室以除去多余的聚合物。聚合物保留在碳衬底的表面上。
58.图4显示了选择性聚合物沉积如何可以减少光致抗蚀剂上的裂缝和突起的存在。在182b期间，含碳化学物质(如甲烷)被输送到衬底并吸附到衬底上的含碳材料的表面。在存在缝隙(例如图4的光致抗蚀剂衬底400中所示的缝隙450)的多种实施方式中，使用如本文所述的自限工艺沉积含碳材料401，以在这些缝隙450中填充含碳材料，从而使表面平滑。如图4所示，选择性沉积还可以包括在突起(499)上(诸如光致抗蚀剂上)的沉积。不受特定理论的束缚，相信，由于含碳材料的表面上的裂缝的尺度可以在原子水平上，因此将含碳材料沉积到这些缝隙中，使得含碳材料均匀地吸附到衬底的表面将导致在裂缝中比在衬底的相邻的相对平坦的表面上沉积更多的材料，从而通过每个沉积循环减少缝隙的存在。
59.在一些实施方式中，在将衬底暴露于含碳化学物质之后，衬底也可以暴露于惰性等离子体。惰性等离子体可以通过使氢、氦、氮、氩和氖中的任何一种或多种流过并点燃等离子体来产生。等离子体可以使用约30w至约500w之间的等离子体功率点燃。不受特定理论的约束，相信将衬底暴露于惰性等离子体使得在衬底上的含碳材料(例如光致抗蚀剂)的相邻表面被能被稍微蚀刻和/或刷新以防止沉积，因此导致选择性沉积。向含碳化学和惰性等离子体的暴露可以在一个或多个循环中进行。
60.使用如本文所述的ale技术和选择性沉积的组合，可以处理衬底上的含碳材料以产生平滑的均匀特征，特别是对于euv应用。
61.图5是执行ale和选择性碳沉积的实施方式的工艺流程图。图5的操作可以在室压强为介于约5mtorr至约100mtorr之间的室内进行。图5的操作可以在介于约0℃和约120℃之间或介于约20℃和约60℃之间的衬底温度进行。衬底温度应被理解为指将保持衬底的基座或晶片保持器处所设定的温度。图5所示的操作总结了如上参照图1所述执行的操作。例如，在操作402中，将包括含碳材料的衬底被提供给室。如上所述，含碳材料可以包括光致抗蚀剂、或石墨烯、或无定形碳。操作402可以对应于图1的171a和172a中所描绘的示意图。在操作403中，将衬底暴露于诸如强或弱氧化剂之类的改性化学物质以使衬底的表面改性。在多种公开的实施方式中，表面上的含碳材料被改性。该操作可以对应于图1和图2的171b和172b所描绘的示意图。在操作405中，任选地清扫室以从室除去过量的改性化学物质(例如弱氧化剂，即co2)。该操作可以对应于图1和图3的172d。室可以通过抽空室或停止改性化学物质的流动并使诸如氦气或氩气之类的非反应性惰性气体流过来清扫，以除去过量气相改性化学物质。在操作407中，将衬底暴露于惰性气体等离子体以除去改性的表面。在操作407期间，施加偏置以产生用于惰性气体等离子体的足够的能量以除去改性的表面而不溅镀衬底。在操作409中，任选地吹扫室以从室中除去气相的改性材料。在操作411中，操作403-409可以任选地循环重复。在操作423中，将衬底暴露于含碳化学物质以将含碳材料层吸附到衬底上。在一些实施方式中，这可以用于填充衬底的含碳表面上的缝隙。该操作可以对应于图1和图4的182a。在操作424中，衬底任选地暴露于惰性气体等离子体以钝化衬底的区域并且使得能在随后的循环中进行选择性沉积。在一些实施方式中，可以在执行操作423和424之间清扫室。在一些实施方式中，在执行任何所描述的操作之间，可以清扫衬底一次或多次。
在多种实施方式中，操作423和424可以任选地循环重复，并且可以在具有或者不具有执行操作423和424之间的清扫操作的情况下执行循环。在操作425中，可以任选地清扫室。应当理解，可以使用任何合适的清扫技术，通过从室抽排气体、通过使一种或多种惰性气体流过或这两者的组合来执行如本文所述的吹扫操作。在操作498中，确定衬底是否已经被充分蚀刻以在衬底上形成所需的表面。如果不是，则可以任选地将操作403-498重复n个循环，其中n是等于或大于1的整数。在一些实施方式中，操作423-425仅在一些但不是全部重复的循环中重复，而在一些实施方式中，操作423-425在每个循环中重复。
62.通过组合ale工艺和选择性沉积工艺，光致抗蚀剂特征的lcdu和ler均得到改善。然后将该改善转移到下面的硬掩模(例如sio2/sin层)，并因此转移到感兴趣的结构，从而导致器件的改善的可变性和性能。
63.ale操作是温和的和精确的，每个循环除去数字量的材料，因此可以被容易地控制，以不过度蚀刻柔性抗蚀剂材料。类似地，基于碳的选择性沉积使用非常低的源功率(例如，变压器耦合等离子体或tcp)并且没有使用偏置，并且可以执行沉积而不损坏抗蚀剂。
64.在一些实施方式中，选择性碳沉积可以是任选的。例如，某些这样的实施方式可以用于可以容忍关键尺寸增加的应用中。
65.在某些实施方式中，如果在整个使用光致抗蚀剂的图案化工艺中将保持原始关键尺寸，则可以在含碳材料上使用所公开的ale操作和选择性碳沉积的组合以改善lcdu并恢复关键尺寸。装置
66.所公开的实施方式可以在任何合适的蚀刻室或装置中进行，例如在可从美国加利福尼亚州弗里蒙特市的lam research corporation获得的fx中进行。可以使用等离子体蚀刻室的另一个示例是可从加利福尼亚州弗里蒙特市的lam research corp.获得的flex
tm
反应性离子蚀刻工具。等离子体蚀刻室的进一步描述可以在美国专利no.6,841,943和no.8,552,334中找到，其全部内容通过引用并入本文。
67.在一些实施方式中，可以使用感应耦合等离子体(icp)反应器。图6中提供了一个示例。这种icp反应器也已于在2013年12月10日提交的、在2016年6月7日授权的、名称为“method for forming a mask by etching conformal film on patterned ashable hardmask,”的美国专利no.9,362,133中描述，其通过引用并入本文以用于描述用于实施本文描述的技术的合适的icp反应器。虽然本文描述了icp反应器，但在一些实施方式中，应当理解，也可以使用电容耦合等离子体反应器。示例性蚀刻室或装置可以包括具有室壁的室、用于保持要处理的衬底或晶片的卡盘、被配置为向线圈供电以产生等离子体的rf电源、以及如本文所述的用于输入气体的气体流入口，该卡盘可以包括用于夹紧和松开晶片并且可以使用rf电源充电的静电电极。例如，可以使改性化学气体和/或选择性沉积化学物质流入蚀刻室，以分别执行ale和/或选择性沉积。在一些实施方式中，装置可以包括多于一个的室，每个室可用于蚀刻、沉积或处理衬底。室或装置可以包括系统控制器，系统控制器用于控制室或装置的一些或全部操作，例如调节室压力、惰性气体流量、等离子体功率、等离子体频率、反应气体流量(例如，弱氧化剂气体、含碳气体等)；偏置功率、温度、真空设置；以及其他工艺条件。该室还可以用于将含碳材料选择性地沉积到衬底上。
68.图6示意性地示出了适于实施本文的某些实施方式的感应耦合等离子体集成蚀刻
和沉积装置600的横截面图，其示例是kiyo
tm
反应器，由加利福尼亚州弗里蒙特的lam research corp.生产。所述感应耦合等离子体装置600包括由室壁和窗611结构上限定的总处理室601。室壁可以由不锈钢或铝制成。窗611可以由石英或其他介电材料制成。任选的内部等离子体栅格650将总处理室601分为上副室602和下副室603。在大多数实施方式中，等离子体栅格650可以被移除，从而利用由副室602和603构成的室空间。卡盘617定位在下副室603中在底部内表面附近。卡盘617被配置成接收和保持在其上执行蚀刻和沉积工艺的晶片619。卡盘617可以是当晶片619存在时用于支撑晶片619的静电卡盘。在一些实施方式中，边缘环(未示出)围绕卡盘617，并具有大致与晶片619(当晶片存在于卡盘617上方时)的顶面在同一平面的上表面。卡盘617还包括用于夹紧和松开晶片的静电电极。可设置过滤器和dc钳位功率源(未示出)用于此目的。也可以提供其他的控制系统用于提升晶片619使其离开卡盘617。卡盘617可以用rf功率源623充电。rf功率源623通过连接件627被连接到匹配电路621。匹配电路621通过连接件625连接到卡盘617。以这种方式，rf功率源623被连接到卡盘617上。
69.用于等离子体产生的元件包括位于窗611上方的线圈633。在一些实施方式中，所公开的实施方式中未使用线圈。线圈633由导电材料制成，并包括至少一整匝。在图6中所示的线圈633的示例包括三匝。线圈633的横截面用符号示出，具有“x”符号的线圈表示线圈633旋转地延伸到页面内，相反，具有
“●”
符号的线圈表示线圈旋转地延伸出页面。用于等离子体产生的元件还包括被配置为提供rf功率至线圈633的rf功率源641。一般地，rf功率源641通过连接件645被连接到匹配电路639。匹配电路639通过连接件643连接到线圈633。以这种方式，rf功率源641被连接到线圈633。任选的法拉第屏蔽件649被定位在线圈633和窗611之间。法拉第屏蔽件649以相对于线圈633成隔开的关系被保持。法拉第屏蔽件649被设置在窗611的正上方。线圈633、法拉第屏蔽件649和窗611各自被配置为基本上彼此平行。法拉第屏蔽件可以防止金属或其它物质沉积在等离子体室601的介电窗611上。
70.工艺气体(例如氧气、二氧化碳、甲烷等)可以通过位于上副室602中的一个或多个主气体流入口660和/或通过一个或多个侧气体流入口670流入处理室601。同样，虽然未明确示出，但是类似的气流入口可用于向电容耦合等离子体处理室供应工艺气体。真空泵，例如，一级或两级干式机械泵和/或涡轮分子泵640，可用于将工艺气体从处理室601抽出并维持处理室601内的压强。例如，该泵可用于在ald清扫操作过程中排空室601。阀控制的导管可用于使真空泵流体连接在处理室601上，以便选择性地控制由真空泵提供的真空环境的应用。在操作等离子体处理过程中，这可以使用封闭环控制的流量限制装置例如节流阀(未示出)或钟摆阀(未示出)进行。同样，也可以使用受控地流体连接在电容耦合等离子体处理室上的真空泵和阀。
71.在装置的操作过程中，一种或多种工艺气体可通过气体流入口660和/或670供给。在某些实施方式中，工艺气体可以仅通过主气体流入口660供给，或者仅通过侧气体流入口670供给。在一些情况下，在图中所示的气体流入口可以由较复杂的气体流入口替代，例如，由一个或多个喷头替代。法拉第屏蔽件649和/或任选的栅格650可以包括使工艺气体能输送至室601的内部通道和孔。法拉第屏蔽件649和任选的栅格650中的一者或两者可以作为用于输送工艺气体的喷头。在一些实施方式中，液体蒸发和输送系统可位于室601的上游，使得一旦液体反应物或前体被蒸发，那么蒸发的反应物或前体通过气体流入口660和/或
670引入到室601中。
72.射频功率从rf功率源641供给到线圈633以使rf电流流过线圈633。流过线圈633的rf电流产生围绕线圈633的电磁场。电磁场产生在上副室602内的感应电流。所生成的各离子和自由基与晶片619的物理和化学相互作用选择性地在晶片上蚀刻特征和沉积层。
73.如果使用等离子体栅格使得存在上副室602和下副室603二者，则感应电流作用于存在于上副室602中的气体上以在上副室602中产生电子-离子等离子体。任选的内部等离子体栅格650限制下副室603中的热电子的量。在一些实施方式中，设计和操作所述装置使得存在于下副室603中的等离子体是离子-离子等离子体。
74.上部的电子-离子等离子体和下部的离子-离子等离子体二者可包含阳离子和阴离子，但是离子-离子等离子体将具有更大的阴离子:阳离子比率。挥发性的蚀刻和/或沉积的副产物可通过端口622从下副室603去除。本文所公开的卡盘617可在约10℃至约250℃之间的升高的温度范围内操作。该温度将取决于工艺操作和具体配方。
75.室601当安装在干净的房间或制造厂中时可耦合到设施(未示出)。设施包括管道，管道提供处理气体、真空、温度控制和环境微粒控制。这些设施当安装在目标制造厂时耦合到室601。此外，室601可耦合在传送室上，从而允许使用典型的自动化由机器人进出室601传送半导体晶片。
76.在一些实施方式中，系统控制器630(其可包括一个或多个物理或逻辑控制器)控制处理室的一些或所有操作。系统控制器630可包括一个或多个存储器器件和一个或多个处理器。在一些实施方式中，所述装置包括当进行所公开的实施方式时用于控制流速和持续时间的开关系统。在一些实施方式中，所述装置可具有高达约500ms或高达约750ms的切换时间。切换时间可取决于流动化学物质、配方选择、反应器的体系结构和其他因素。
77.处理室601或装置可以包括系统控制器，例如，在一些实施方式中，系统控制器630是系统的一部分，该系统可以是上述实例的一部分。这种系统可以包括半导体处理设备，其包括一个或多个处理工具、一个或多个处理室、用于处理的一个或多个平台和/或具体的处理组件(晶片基座、气流系统等)。这些系统可以与用于控制它们在处理半导体晶片或衬底之前、期间和之后的操作的电子器件一体化。电子器件可以称作“控制器”，该控制器可以控制一个或多个系统的各种元件或子部件。根据处理要求和/或系统的类型，系统控制器630可以被编程以控制本文公开的任何工艺，包括控制工艺气体输送、温度设置(例如，加热和/或冷却)、压强设置、真空设置、功率设置、射频(rf)产生器设置、rf匹配电路设置、频率设置、流速设置、流体输送设置、位置及操作设置、晶片转移进出工具和其他转移工具和/或与具体系统连接或通过接口连接的装载锁。
78.宽泛地讲，控制器630可以被定义为具有接收指令、发布指令、控制操作、启用清洁操作、启用端点测量等等的各种集成电路、逻辑、存储器和/或软件的电子器件。集成电路可以包括存储程序指令的固件形式的芯片、数字信号处理器(dsp)、定义为专用集成电路(asic)的芯片和/或一个或多个微处理器或执行程序指令(例如，软件)的微控制器。程序指令可以是以各种单独设置(或程序文件)的形式通信到控制器的指令，该设置定义用于在半导体晶片上或针对半导体晶片或系统执行特定处理的操作参数。在一些实施方式中，操作参数可以是由工艺工程师定义的用于在制备晶片的一个或多个(种)层、材料、金属、氧化物、硅、二氧化硅、表面、电路和/或管芯期间完成一个或多个处理步骤的配方(recipe)的一
部分。
79.在一些实现方式中，控制器630可以是与系统集成、耦合或者说是通过网络连接系统或它们的组合的计算机的一部分或者与该计算机耦合。例如，控制器630可以在“云”中或者是fab主机系统的全部或一部分，其可以允许远程访问晶片处理。计算机可以启用对系统的远程访问以监测制造操作的当前进程，检查过去的制造操作的历史，检查多个制造操作的趋势或性能标准，以改变当前处理的参数，设置处理步骤以跟随当前的处理或者开始新的工艺。在一些实例中，远程计算机(例如，服务器)可以通过网络给系统提供工艺配方，网络可以包括本地网络或互联网。远程计算机可以包括能够输入或编程参数和/或设置的用户界面，该参数和/或设置然后从远程计算机通信到系统。在一些实例中，该控制器接收数据形式的指令，该指令指明在一个或多个操作期间将要执行的每个处理步骤的参数。应当理解，参数可以针对将要执行的工艺类型以及工具类型，控制器被配置成连接或控制该工具。因此，如上所述，该控制器可以例如通过包括一个或多个分立的控制器而分布，这些分立的控制器通过网络连接在一起并且朝着共同的目标(例如，本文所述的工艺和控制)工作。用于这些目的的分布式控制器的实例可以是与结合以控制室内工艺的一个或多个远程集成电路(例如，在平台水平或作为远程计算机的一部分)通信的室上的一个或多个集成电路。
80.示例性的系统可以包括但不限于等离子体蚀刻室或模块、沉积室或模块、旋转清洗室或模块、金属电镀室或模块、清洁室或模块、倒角边缘蚀刻室或模块、物理气相沉积(pvd)室或模块、化学气相沉积(cvd)室或模块、原子层沉积(ald)室或模块、原子层蚀刻(ale)室或模块、离子注入室或模块、轨道室或模块、以及在半导体晶片的制备和/或制造中可以关联上或使用的任何其他的半导体处理系统。
81.如上所述，根据工具将要执行的一个或多个工艺步骤，控制器630可以与一个或多个其他的工具电路或模块、其他工具组件、群集工具、其他工具界面、相邻的工具、邻接工具、位于整个工厂中的工具、主机、另一个控制器、或者在将晶片的容器往来于半导体制造工厂中的工具位置和/或装载口搬运的材料搬运中使用的工具通信。
82.处理室601可以集成在如图7所示的多站式工具中。每个站可以用于处理不同的操作。例如，可以使用一个站来执行ale，而另一个站用于执行选择性沉积。可以在不破坏真空的情况下执行公开的实施方式，并且可以在相同的装置中执行。在多种实施方式中，ale和选择性沉积在不破坏真空的情况下进行。在多种实施方式中，ale和选择性沉积在相同的室中进行。
83.图7描述了半导体工艺集群结构，其中各个模块与真空传送模块738(vtm)接口。在多个存储设备和处理模块之间“传送”晶片的传送模块的配置可以被称为“集群工具架构”系统。气密模块730(也被称为装载锁或传送模块)在具有四个处理模块720a-720d的vtm 738中示出，四个处理模块720a-720d可以被单独优化以执行各种制造工艺。例如，处理模块720a-720d可以被实现以执行衬底蚀刻、沉积、离子注入、晶片清洁、溅射和/或其它半导体工艺。在一些实施方式中，ale和选择性沉积在相同的模块中进行。在一些实施方式中，ale和选择性沉积在相同工具中的不同模块中进行。衬底蚀刻处理模块中的一个或多个(720a-720d中的任意一个或多个)可以如本文所公开的被实施，即，用于执行ale，选择性沉积含碳材料，以及根据所公开的实施方式的其它合适的功能。气密模块730和处理模块720可以被
称为“站”。每个站具有将站与vtm 738连接的小面736(facet 736)。在每个小面内部，传感器1-18被用于在衬底726在各站之间移动时检测衬底726的通过。
84.机械手722将晶片726在各站之间传输。在一个实施方式中，机械手722具有一个臂，而在另一实施方式中，机械手具有两个臂，其中每个臂具有端部执行器724以拾取晶片(例如晶片726)以供运输。在大气传送模块(atm)740中，前端机械手732用于从在负载端口模块(lpm)742中的晶片盒或前开式标准盒(foup)734传送晶片726到气密模块730。处理模块720内的模块中心728是用于放置晶片726的一个位置。在atm 740中的对准器744用于对齐晶片。
85.在一示例性的处理方法中，晶片被放置在lpm 742中的多个foup 734中的一个中。前端机械手732将晶片从foup 734传送到对准器744，其允许晶片726在被蚀刻或处理之前适当地居中。对准后，晶片726由前端机械手732移动到气密模块730中。由于气密模块具有匹配atm和vtm之间的环境的能力，因此晶片726能够在两种压强环境之间移动而不被破坏。从气密模块730，晶片726通过机械手722移动通过vtm 738并进入处理模块720a-720d中的一个。为了实现这种晶片移动，机械手722在其每一个臂上使用端部执行器724。一旦晶片726已被处理，则通过机械手722将其从处理模块720a-720d移动到气密模块730中。晶片726可以从这里通过前端机械手732移动到多个foup 734中的一个中或到对准器744。
86.应当注意的是，控制晶片运动的计算机对于集群架构可以是本地的，或者它可以位于在制造工厂中的集群架构的外部，或在远程位置并通过网络连接到集群架构。如上参照图6所述的控制器可以用图7中的工具实施。实验实验1
87.对含碳光致抗蚀剂进行实验。蚀刻工艺之前的衬底如图8a所示。
88.常规的rie蚀刻是通过将衬底在20℃下暴露于hbr和900w的等离子体功率持续15秒进行的。所得到的衬底在图8b中。
89.在另一个试验中，将衬底在60℃暴露于10个循环的ale。操作包括暴露于co2等离子体、清扫、暴露于具有低偏置的氦等离子体和清扫。所得到的光致抗蚀剂具有平滑的侧壁和减小的粗糙度，并且具有改进的ler。起皱物减少，光致抗蚀剂的浮渣减少。所得到的衬底在图8c中。
90.在另一个试验中，将衬底在20℃暴露于10个循环的ale。操作包括暴露于co2等离子体、清扫、暴露于具有低偏置的氦等离子体和清扫。得到的衬底如图8d所示。
91.在另一个试验中，将衬底在60℃暴露于10个循环的ale。这些操作包括暴露于co2等离子体、清扫、暴露于具有低偏置的氦等离子体和清扫。所得到的衬底如图8e所示。
92.执行ale导致衬底具有明显更平滑的线条。这些结果表明ale可以在20℃下进行。实验2
93.进行实验，其中光致抗蚀剂的ale进行3个循环，以及进行5个循环。没有ale的衬底如图9a-9c所示。
94.将衬底暴露于三个周期的ale操作，其包括暴露于co2等离子体、清扫、暴露于具有低偏置的氦等离子体和清扫。3个循环后的衬底如图10a-10c所示。
95.将衬底暴露于5个循环的ale操作，其包括暴露于co2等离子体、清扫、暴露于具有
低偏置的氦等离子体和清扫。5个循环后的衬底如图11a-11c所示。结论
96.虽然为了清楚理解的目的已经相当详细地描述了前述的实施方式，但是显而易见的是，可在所公开的实施方式的范围内实施某些变化和修改。应当注意的是，具有实施本发明实施方式的工艺、系统和装置的许多替代方式。因此，本发明的实施方式应被视为是说明性的而不是限制性的，并且所述实施方式并不限于本文所给出的细节。