喷头组件的制作方法

1.本公开内容的实施例总体上涉及喷头组件，并且更具体地，涉及用于基板处理系统中的喷头组件。


背景技术：

2.配置为与处理腔室一起使用的常规的喷头组件(诸如在微电子装置制造中使用的那些喷头组件)通常包括气体分配板，所述气体分配板具有与之耦接的背板。例如，可以使用一个或多个连接装置(例如螺栓、螺钉、夹具等)将背板连接到气体分配板。尽管这种连接装置适合用于将背板连接到气体分配板，但是在气体分配板组件使用一段时间之后，存在于连接装置处的扭矩和力矩有时会损害气体分配板和背板之间的连接，这进而导致气体分配板组件无法按预期运行。
3.因此，本文描述了改进的喷头组件及其制造方法。


技术实现要素：

4.在至少一些实施例中，例如，一种喷头组件，包括：气体分配板，气体分配板包括内部和外部，内部由单晶硅(si)制成，且外部由单晶si或多晶硅(poly-si)中的一者制成，其中结合层被设置在内部或外部中的至少一者的背面上；以及背板，背板由硅(si)和碳化硅(sic)作为所述背板的主要成分形成，其中背板结合到气体分配板的内部或外部中的至少一者的背面中的至少一者。
5.内部和外部可为由单晶硅si制成的均质的单一主体。结合层可包括至少一个同心环，至少一个同心环位于内部或外部中的至少一者的背面上的对应的同心凹槽内。结合层可由铝硅合金或铝制成，并且具有一百分比的钛(ti)。ti的百分比可以在约0.1％至约10％的范围内。气体分配板与背板之间的热膨胀系数(cte)可为大约2至大约7。
6.在至少一些实施例中，一种处理腔室包括喷头组件，喷头组件包括：气体分配板，气体分配板包括内部和外部，内部由单晶硅(si)制成，且外部由单晶si或多晶硅(poly-si)中的一者制成，其中结合层被设置在内部或外部中的至少一者的背面上；以及背板，背板由硅(si)和碳化硅(sic)作为所述背板的主要成分形成，其中背板结合到气体分配板的内部或外部中的至少一者的背面中的至少一者。
7.内部和外部可为由单晶硅si制成的均质的单一主体。结合层可包括至少一个同心环，至少一个同心环位于内部或外部中的至少一者的背面上的对应的同心凹槽内。结合层可由铝硅合金或铝制成，并且具有一百分比的钛(ti)。ti的百分比可以在约0.1％至约10％的范围内。气体分配板与背板之间的热膨胀系数(cte)可为大约2至大约7。
8.在至少一些实施例中，一种形成喷头组件的方法，包括：在气体分配板的背面上沉积结合层，气体分配板可以由单晶硅(si)或多晶硅(poly-si)中的至少一者制成；以及将背板结合到气体分配板的背面，背板由硅(si)和碳化硅(sic)作为所述背板的主要成分形成。
9.气体分配板包括内部与外部，且其中内部和外部是由单晶硅si制成的均质的单一
主体。结合层包括至少一个同心环，至少一个同心环位于内部或外部中的至少一者的背面上的对应的同心凹槽内。结合层由铝硅合金或铝制成，并且具有一百分比的钛(ti)。ti的百分比在约0.1％至约10％的范围内。
10.方法可进一步包括：在将背板结合到气体分配板的背面之前，在气体分配板的背面的顶上沉积硬掩模层。
11.方法可进一步包括：在将硬掩模层沉积在气体分配板的背面的顶上之后并且在将背板结合到气体分配板的背面之前，去除硬掩模层。
12.方法可进一步包括：使用扫描声学显微镜(sam)测量方法、声纳扫描、或声纳成像中的至少一者来检查气体分配板和背板之间的结合。
13.将背板结合到气体分配板的背面可包括：使用提供大约350摄氏度到大约750摄氏度的温度的炉工艺，以及在执行炉工艺的同时引入回流气体。
14.下面进一步说明本公开内容的其他和进一步的实施例。
附图说明
15.通过参照绘制于附图中的本公开内容的说明性实施例，可了解于上文简短总结并于下文更详细讨论的本公开内容的实施例。然而，附图仅示出了本公开内容的典型实施例，且因此不应被视为限制本公开内容的范围，这是因为公开内容可允许其他等效的实施例。
16.图1是根据本公开内容的至少一些实施例的处理腔室的截面图。
17.图2a是根据本公开内容的至少一些实施例的喷头组件的气体分配板和背板的侧剖视图。
18.图2b是根据本公开内容的至少一些实施例的图2a的气体分配板的侧剖视图。
19.图2c是根据本公开内容的至少一些实施例的图2a的气体分配板的分解俯视等距视图。
20.图2d是根据本公开内容的至少一些实施例的气体分配板的环体的俯视图。
21.图3是根据本公开内容的至少一些实施例的制造图2a至图2c的气体分配板和背板的方法的流程图。
22.图4a是根据本公开内容的至少一些实施例的喷头组件的气体分配板的横截面的俯视等距视图。
23.图4b是根据本公开内容的至少一些实施例的图4a的气体分配板的分解图。
24.图5是根据本公开内容的至少一些实施例的制造图4a至图4b的气体分配板和背板的方法的流程图。
25.图6是根据本公开内容的至少一些实施例的喷头组件的气体分配板和背板的侧剖视图。
26.图7是根据本公开内容的至少一些实施例的制造图6的气体分配板和背板的方法的流程图。
27.为促进了解，已尽可能使用相同的参考标号指示附图中共有的相同元素。附图并未按照比例绘制，并可被简化以为了清楚说明。一个实施例的元素和特征可被有益地并入其他实施例中，而无需进一步的叙述。
具体实施方式
28.本文提供了喷头组件及其制造方法，喷头组件包括气体分配板，气体分配板包括结合至所述气体分配板的连接器。更具体地，本文所述的气体分配组件包括气体分配板，气体分配板包括内部和外部，内部和外部分别由单晶硅(si)和单晶硅或多晶硅(poly-si)制成。另外，内部和外部中的一者或两者在其上结合有连接器，连接器由si和变化的量的碳化硅(sic)形成。结合的连接器用于将气体分配板连接至喷头组件的背板。与使用螺栓、螺钉、夹具等中的一者或多个将背板连接到气体分配板的常规气体分配板组件不同，提供在连接器与内部和/或外部之间的相对牢固的结合，保持了气体分配板在喷头组件工作期间存在的扭矩和力矩作用下连接到背板。另外，结合的连接器沿气体分配板提供均匀的负载分配。另外，耦合到连接器的护套(例如环体)允许将气体分配板从背板移除，以替换气体分配板(例如不需要拆离(debonding))。
29.图1是根据本公开内容的至少一个实施例的具有改进的喷头组件150的处理腔室100的截面图。如图所示，处理腔室100是适合于蚀刻诸如基板101之类的基板的蚀刻腔室。可以适于从本公开内容的实施例中受益的处理腔室的示例是处理腔室和mesa
tm
处理腔室，这些处理腔室可从位于美国加利福尼亚州圣克拉拉的应用材料公司(applied materials,inc.)商购获得。包括来自其他制造商的那些处理腔室在内的其他处理腔室可以适于从本公开内容的实施例中受益。
30.处理腔室100可以用于各种等离子体工艺。在一实施例中，处理腔室100可用于用一种或多种蚀刻剂执行干蚀刻。例如，处理腔室可以用于从前驱物cxfy(其中x和y可以是不同的允许的组合)、o2、nf3或其组合点燃等离子体。
31.处理腔室100包括腔室主体102、盖组件104和支撑组件106。盖组件104位于腔室主体102的上端。支撑组件106被公开为在由腔室主体102限定的内部容积108中。腔室主体102包括狭缝阀开口110，狭缝阀开口110形成在腔室主体102的侧壁中。狭缝阀开口126被选择性地打开和关闭，以允许由基板搬运机器人(未示出)进出内部空间108以进行基板传送。
32.腔室主体102可进一步包括围绕支撑组件106的衬垫112。衬垫112可以由诸如(al)的金属、陶瓷材料或任何其他与制程兼容的材料制成。在一或更多个实施例中，衬垫112包括形成于衬垫112中的一或更多个孔114与泵送通道116，泵送通道116与真空端口118流体连通。孔114提供流动路径以让气体进入泵送通道116。泵送通道116为处理腔室100内的气体提供了向真空端口118的出口。
33.真空系统120耦合到真空端口118。真空系统120可以包括真空泵122和节流阀124。节流阀124调节通过处理腔室100的气体的流量。真空泵122耦合到设置在内部容积108中的真空端口118。
34.盖组件104包括至少两个堆叠的组件，至少两个堆叠的组件构造成在其间形成等离子体容积或腔。在一个或多个实施例中，盖组件104包括垂直设置在第二电极(“下部电极”)128上方的第一电极(“上部电极”)126。第一电极126和第二电极128在其间限制等离子体腔130。第一电极126耦合到功率源132，诸如rf功率源。第二电极128接地，在第一电极126和第二电极128之间形成电容器。第一电极126与气体入口134流体连通，气体入口134连接至气体供应(未示出)，所述气体供应经由气体入口134向处理腔室100提供气体。一个或多个气体入口134的第一端通向等离子体腔130。
35.盖组件104还可包括将第一电极126与第二电极128电隔离的隔离环136。隔离环136可以由氧化铝(alo)或任何其他绝缘的、可处理的兼容材料制成。
36.盖组件104还可以包括喷头组件150和可选的阻挡板140。喷头组件150包括气体分配板138、背(气体)板139和冷却板151。第二电极128、气体分配板138、冷却板151和阻隔板140可以堆叠并设置在盖缘142上，盖缘142耦合至腔室主体102。
37.冷却板151构造成在处理期间调节气体分配板138的温度。例如，冷却板151可以包括穿过冷却板151中形成的一个或多个温度控制通道(未示出)，使得可以在温度控制通道中提供温度控制流体以调节气体分配板138的温度。
38.在一个或多个实施例中，第二电极128可包括形成在等离子体腔130下方的多个气体通道144，以允许来自等离子体腔130的气体流过其中。背板139包括一个或多个气体通道217和一个或多个气体输送通道219(例如，参见图2a)，因此允许气体从一个或多个气体通道217流入处理区域。类似地，气体分配板138包括多个孔146，多个孔146被配置为分配穿过其中的气流。阻隔板140可以可选地设置在第二电极128和气体分配板138之间。阻隔板140包括多个孔148，以提供从第二电极128到气体分配板138的多个气体通道。
39.支撑组件106可包括支撑构件180。支撑构件180被配置为支撑基板101以进行处理。支撑构件180可以通过轴184耦合至升降机构182，轴184延伸穿过腔室主体102的底表面。升降机构182可以通过波纹管186柔性地密封到腔室主体102，波纹管186防止真空从轴144周围泄漏。升降机构182允许支撑构件180在腔室主体102内在下部传送部分和多个升高的工艺位置之间垂直移动。另外，一个或多个升降销188可穿过支撑构件180设置。一个或多个升降销188被配置为延伸穿过支撑构件180，使得基板101可以被抬离支撑构件180的表面。一个或多个升降销188可以由升降环190启用。
40.处理腔室还可以包括控制器191。控制器191包括可编程中央处理单元(cpu)192，可编程中央处理单元(cpu)192可与存储器194及大量存储装置、输入控制单元以及显示单元(未示出)操作，诸如功率供应、时钟、高速缓存、输入输出(i/o)电路、以及衬垫，耦接至处理系统的各种部件以促进控制基板处理。
41.为了促进控制上文所说明的处理腔室100，cpu 192可为可用于工业设定中的任何形式的通用计算机处理器中的一种，诸如可编程逻辑控制器(plc)，以控制各种腔室与子处理器。存储器194耦接至cpu 192，且存储器194为非瞬态，并可为一个或多个可轻易取得的存储器，诸如随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、磁盘驱动、硬盘、或位于本地或远程的任何其他形式的数字存储器。支持电路196耦接至cpu 192以由常规方式支持处理器。带电物种生成(charged species generation)、加热及其他过程，被一般地存储在存储器194，通常作为软件例程。软件例程还可被由第二cpu(未示出)存储和/或执行，第二cpu位于由cpu 192控制的处理腔室100的远端处。
42.存储器194的形式为计算机可读取存储介质，此计算机可读取存储介质包括指令，所述指令在由cpu 192执行时促进处理腔室100的操作。存储器194中的指令的形式为程序产品，诸如实施本公开内容的方法的程序。程序代码可符合数种不同编程语言中的任一者。在一个示例中，本公开内容可被实施为存储在计算机可读取存储介质上用于与计算机系统一起使用的程序产品。程序产品的(多个)程序界定实施例的功能(包括本文所说明的方法)。说明性计算机可读取存储介质包括(但不限于)：(1)不可写入式存储介质(例如计算机
内的只读存储器装置(诸如由光盘驱动所读取的光盘)、闪存、rom芯片或任何类型的固态非易失性半导体存储器)，信息被永久性存储在此不可写入式存储介质上；以及(2)可写入式存储介质(例如磁盘驱动内的磁盘或硬盘驱动或任何类型的固态随机存取半导体存储器)，可改变的信息被存储在此可写入式存储介质上。此种非瞬态性计算机可读取存储介质在装载指示本文所述方法的功能的计算机可读取指令时，是本公开内容的实施例。
43.根据本公开内容的至少一些实施例，图2a是喷头组件150的气体分配板138和背板139的侧视图，图3是图2a至图2c的气体分配板138和背板139的制造方法300的流程图。如上所述，喷头组件150包括气体分配板138、位于气体分配板138的顶表面上的背板139、以及位于背板139的顶表面上的冷却板151(图2a至图2c中未示出)。气体分配板138包括内部202，内部202具有顶表面204和底表面206，底表面206面对处理腔室100的处理区域。类似地，气体分配板138的外部208包括顶表面210和底表面212，底表面212面对处理腔室100的处理区域。
44.在至少一些实施例中，当内部202和外部208由相同材料(例如单晶硅、多晶硅等)制成时，可以以单一主体地形成(例如，形成为均一的单一主体)。替代地或附加地，内部202和外部208可以经由一种或多种合适的连接装置或方法彼此连接。例如，在所示的实施例中，内部202和外部208通过使用压配合的机械界面(例如相应的凹口/棘爪)彼此连接，使得内部202和外部208可以彼此互锁。可以在机械界面处提供一个或多个热垫圈、o形圈或其他合适的(多个)装置，以确保在内部202和外部208之间提供密封。
45.内部202和外部208可以由一种或多种适于结合到一个或多个连接器201的材料制成。例如，内部202和外部208可以由单晶硅(si)和/或多晶硅(poly-si)制成。在至少一些实施例中，内部202可以由单晶硅(si)制成，而外部208可以由单晶硅或多晶硅中的一种制成。
46.一个或多个连接器201被配置为结合到气体分配板138的内部202和/或外部208，并且被配置为将气体分配板138连接到背板139，如将在下文中更详细说明(例如，参见图3中的302)。结合层(未明确示出)可以是有机结合材料或扩散结合材料。例如，在至少一些实施例中，结合层可以由一种或多种合适的材料制成，这些材料能够将一个或多个连接器201结合到气体分配板138的内部202和/或外部208。例如，在至少一些实施例中，结合层可以由al、铝硅合金(alsi)材料和/或钛(ti)制成。例如，结合材料可以包括al和/或alsi和一定百分比的ti，例如从大约0.1％到大约10％。在至少一些实施例中，ti的百分比可以为约2.5％。可以将一个或多个热垫圈与结合层结合使用。可以使用炉工艺(例如真空炉或其他合适类型的炉)将一个或多个连接器201结合到气体分配板138的内部202和/或外部208。例如，炉工艺可以向结合层提供约550摄氏度至约600摄氏度的温度。在至少一些实施例中，结合层可以具有大约2微米至40000微米的厚度。另外，结合工艺可具有约2小时至约4小时的停留时间和约3k/分钟至约7k/分钟的冷却速率。
47.在至少一些实施例中，气体分配板138(例如，si)和背板139(例如，sic)之间的热膨胀系数(cte)为大约2至大约7，并且在一些实施例中为大约3.1至大约3.3。
48.在至少一些实施例中，一个或多个连接器201包括一个或多个环体(参见图2和图2c)，环体可以结合到内部202和/或外部208。在所示的实施例中，内环体214(例如第一环体)从内部202的顶表面204延伸。可以在内部202上提供额外的环体。内环体214包括阶梯状构造(例如两阶)，阶梯状构造包括第一阶216和第二阶218，第一阶216和第二阶218之间具
有空间或空隙220。同样地，外环体222(例如第二环体)从内部202的顶表面210延伸，并且包括阶梯结构(例如两阶)，阶梯结构包括第一阶224和第二阶226，第一阶224和第二阶226之间具有空间或空隙228。可以在内部202和/或外部208上提供额外的环体。
49.在至少一些实施例中，内部202和外部208中的仅一个可以包括环体。例如，在至少一些实施例中，内部202可以设置有环体，而外部208可以不设置环体，或反之亦然。
50.内环体214和外环体222中的每一个都可以由一种或多种适于结合到内部202和外部208的材料制成。例如，在至少一些实施例中，内环体214和外环体222中的每一个可以由具有变化量的硅(si)的材料制成，其中碳化硅(sic)作为材料的主要成分(例如，sisic)。环体的si含量(体积％)可以为约20至约30，其余为sic。
51.尽管示出的内环体214和外环体222沿内环体214和外环体222的圆周具有连续或不间断的构造，但是本公开内容不限于此。例如，在至少一些实施例中，内环体214和外环体222中的一者或两者可以具有不连续或间断的构造。在这样的实施例中，可以沿着内环体214和/或外环体222的圆周设置一个或多个间隙或空间223。为了说明的目的，图2d示出了具有多个间隙223(例如，四个间隙223)的内环222的顶部。
52.继续参考图2a至图2c，由一种或多种合适的材料制成的相应的护套230、232覆盖内环体214和外环体222。护套230、232可以由al、不锈钢、sic、氮化铝(aln)等制成。例如，在所示的实施例中，护套230、232由al制成。
53.护套230、232被配置为经由机械界面耦合至相应的内环体214和外环体222。例如，环体214和外环体222具有形成在其中的一个或多个特征，并且护套230、232具有将环体214和外环体222锁定到护套230、232的一个或多个对应的配合(互锁)特征，从而防止环体214和外环体222在组装时分离。例如，在至少一些实施例中，护套230、232包括相应的阶梯状构造。对应的阶梯状构造允许护套230、232经由压配合(例如，彼此互锁)耦合到对应的内环体214和外环体222，例如参见图2b的细节234、236的指示区域。
54.沿着护套230、232的顶表面238、240设置的是多个螺纹孔242，螺纹孔242被构造成容纳对应的多个螺纹螺钉或螺栓(未示出)。多个螺钉或螺栓被驱动通过相应的多个孔244，孔244延伸穿过背板139的顶表面246，用于将背板139连接到气体分配板138(例如，参见图2a)。更特定而言，孔244与限定在背板139的底表面249中的环形槽248(图2a)垂直对准。环形槽248对应于内部202和外部208上的环体(例如，内环体214和外环体222)，并且被构造成接收环体。一旦被接收，多个螺纹螺钉或螺栓即被驱动穿过背板139的孔244并进入护套230、232的螺纹孔242，以将气体分配板138连接到背板139(例如参见图3中的304)。
55.一个或多个温度检测组件250(图2a和图2b)可以例如使用上述结合工艺中的一者，例如在内部202和外部208的顶表面上耦合到气体分配板138。为了说明的目的，示出了温度检测组件250，温度检测组件250耦合到内部202的顶表面204。温度检测组件250被配置为在处理期间监视气体分配板138的温度。对于温度检测组件250及其所用的监视工艺的更详细描述，请参考受让给应用材料公司(applied materials,inc.)的标题为“thermal repeatability and in-situ showerhead temperature monitoring(热重复性和原位喷头温度监测)”的美国专利公开第20180144907号，此美国专利全文通过引用被并入本文。温度检测组件250被配置为被接收在对应的孔内(未特别示出)，对应的孔被限定在背板139的底表面249内(例如参见图2a)。
56.根据本公开的至少一些实施例，图4a是配置为与喷头组件150一起使用的气体分配板400的侧视图，图4b是图4a的气体分配板400的分解图，并且图5是制造图4a至图4b的气体分配板和背板的方法500的流程图。气体分配板400类似于气体分配板138。因此，本文仅描述了气体分配板400特有的那些特征。
57.气体分配板400包括内部402和外部404，内部402和外部404可以由与上文关于内部202和外部208描述的材料相同的材料制成。然而，与气体分配板138的内部202和外部208不同，气体分配板400的内部402和外部404中的一者或两者包括多个同心凹槽。在所示的实施例中，内部402和外部404中的每个分别包括多个同心凹槽406、408，同心凹槽406、408分别被限定在内部402的顶表面407和外部404的顶表面409上。同心凹槽406、408构造成接收用于将连接器401结合到内部202和外部208的相对应的多个环410。环410可以由例如al或铝硅合金alsi材料制成。
58.与包括图2a至图2c的环体的连接器201不同，图4a和图4b的连接器401具有大致圆形的配置，并且实质上覆盖了气体分配板400的内部402和外部404中的一者或两者。例如，在一些实施例中，连接器401可以仅设置在内部402上。在一些实施例中，连接器401可以仅设置在外部404上。在所示的实施例中，连接器401设置在内部402和外部404上并从内部402和外部404两者延伸。
59.连接器401的底表面412被支撑在内部402的顶表面407和外部404的顶表面409上并且在多个环410的顶上，例如用于将连接器201结合到内部402和外部404，参见图5中的502。
60.一个或多个气体通道(或沟道)414被限定在连接器401中并且延伸到连接器401的底表面412。一个或多个气体通道414分别与穿过连接器401的顶表面418限定的一个或相应的多个孔416流体连通，以及与在内部部分402的底表面419和外部部分404的底表面421上的多个孔446流体连通，因此允许工艺气体从背板139流过连接器401并进入处理区域。
61.穿过连接器401的顶表面418限定有多个螺纹孔420，并且多个螺纹孔420构造成接收一个或多个对应的螺钉或螺栓，以将气体分配板400连接至背板139，参见图5的504。另外，使用上述结合工艺中的一者，可以将一个或多个温度检测组件422耦合到气体分配板400的内部402或外部404中的一者或二者，例如在外部404的顶表面409上。一个或多个温度检测组件422可被接收在背板139上的相应孔中。
62.根据本公开内容的至少一些实施例，图6是喷头组件的气体分配板和背板的侧视图，图7是根据图6的气体分配板和背板的制造方法700的流程图。
63.气体分配板600类似于气体分配板138。因此，本文仅描述了气体分配板600特有的那些特征。
64.与气体分配板138不同，气体分配板600不包括上述连接器中的一个或多个。而是，气体分配板600直接连接至背板139。例如，在至少一些实施例中，结合层(例如，包括多个环410(图4b)中的至少一个的结合层，和/或用于将一个或多个连接器201结合到气体分配板138的结合层)可以被提供在气体分配板600的背面(例如，内部和/或外部或均质的单一主体)上，如上文关于图2a至图2d所述。替代地或另外地，如上文关于图4a和图4b所述，可以在气体分配板600的背面(例如，内部和/或外部)上提供一个或多个同心凹槽，并且结合层可以包括相应的同心环。在至少一些实施例中，结合层可以沉积在背板139的底表面上，或者
沉积在气体分配板600的顶表面和背板139的底表面两者上。
65.因此，在至少一些实施例中，在702处，可以在气体分配板600的背面上沉积结合层，如上所述，气体分配板600可以由单晶硅(si)或多晶硅(poly-si)制成。在至少一些实施例中，例如，可以使用物理气相沉积(pvd)来沉积结合层。可以用来沉积结合层的pvd装置的示例是pvd装置的系列产品(例如，独立的丛集工具或丛集工具的一部分)，其可从位于美国加州圣塔克拉拉市的应用材料公司获得。结合层的厚度可以为约1微米至约100微米。在至少一些实施例中，例如，结合层的厚度可以是大约50微米。
66.此后，可以将背板(例如背板139)定位在气体分配板600上(或反之亦然)。例如，在至少一些实施例中，可以将背板定位成与气体分配板600的背面完全接触，从而跨气体分配板600实现均匀并且一致的负载，并且满足临界对准阈值。
67.在704处，可以以如上所述的方式将背板结合到气体分配板600的背面。例如，炉工艺可以提供从大约350摄氏度到大约750摄氏度的温度，例如刚好低于共晶点。在至少一些实施例中，炉时间可以相对短。在至少一些实施例中，当将背板结合到气体分配板600时可以引入回流气体，诸如氮(n)、氩(ar)或其他合适的回流气体(例如，在炉工艺期间)。
68.在至少一些实施例中，在将背板结合到气体分配板600的背面之前，可以在气体分配板600的背面上沉积硬掩模层。例如，在至少一些实施例中，可以使用例如物理气相沉积(pvd)将由聚酰亚胺制成的硬掩模层沉积在气体分配板600的背面上。替代地或附加地，可以将硬掩模层施加在背板139上(例如，当将结合层沉积在背板上时)。可以用来沉积硬掩模层的pvd装置的示例是pvd装置的系列产品(例如，独立的丛集工具或丛集工具的一部分)，其可从位于美国加州圣塔克拉拉市的应用材料公司获得。硬掩模层可用于覆盖/屏蔽气体分配板600的孔(例如孔146)和/或背面的部分，从而使孔不被用于在pvd期间形成结合层的结合材料填充。在将结合层沉积在气体分配板600的背面上之后，可以使用一种或多种合适的工艺(诸如上述的蚀刻工艺)来去除硬掩模层。
69.在704之后，可以使用一种或多种工艺(例如，测量技术)来检查气体分配板600和背板之间的结合。例如，在至少一些实施例中，可以使用扫描声学显微镜(sam)计量，或诸如声纳扫描和/或声纳成像之类的其他合适的测量技术，来检查气体分配板600和背板之间的结合。另外，在704之后，可以使用一种或多种合适的清洁工艺，来提供对气体分配板600和结合到其上的背板(例如组装的喷头)的最终清洁。例如，在至少一些实施例中，可以使用蚀刻工艺来清洁组装的喷头。
70.如上所述，诸如在长时间使用气体分配板之后，移除气体分配板可证明是有利的。因此，在至少一些实施例中，方法700可以包括从背板移除气体分配板600并安装新的气体分配板。可以使用一种或多种合适的去除工艺来去除气体分配板。例如，可以使用一种或多种化学溶液来去除气体分配板600和背板之间的结合层。在至少一些实施例中，例如，可以使用低浓度的盐酸(hcl)将气体分配板600和背板彼此分开。
71.一旦气体分配板600和背板分离，方法700可以包括使用例如一种或多种清洁工艺(诸如化学机械抛光(cmp)、蚀刻等)来清洁背板。例如，在至少一些实施例中，cmp可用于清洁底表面背板(例如，将结合到新的气体分配板上的表面)。
72.之后，可以使用例如针对方法700所述的一种或多种方法，将新的气体分配板重新
连接到背板。
73.虽然前述内容针对本公开内容的实施例，但在不脱离本公开内容的基本范围的情况下，可设想到公开内容的其他和进一步的实施例。