半导体存储器的制作方法

技术特征：
1.一种半导体存储器，其特征在于，包括：一衬底，包括至少一阵列区；一周边区，邻接所述阵列区的边缘；多个接触垫，设置在所述阵列区中；以及一电容阵列结构，设置在所述阵列区上并且包括：多个电容，分别设置在一所述接触垫上；以及一中间支撑层，水平延伸在所述多个电容的腰部之间，而将各所述电容分成上半部和下半部，其中邻近所述阵列区边缘的所述电容的所述下半部倾斜，使所述上半部与所述接触垫之间包括一错位。2.如权利要求1所述的半导体存储器，其特征在于，所述错位小于或等于所述接触垫之间的间距。3.如权利要求1所述的半导体存储器，其特征在于，所述错位随着所述电容至所述阵列区的所述边缘的距离减少而逐渐增加。4.如权利要求1所述的半导体存储器，其特征在于，所述上部轴线为直线且垂直于所述衬底的表面。5.如权利要求1所述的半导体存储器，其特征在于，所述下部轴线为曲线。6.如权利要求1所述的半导体存储器，其特征在于，还包括一顶部支撑层，水平延伸在所述多个电容的顶部之间。7.如权利要求6所述的半导体存储器，其特征在于，所述中间支撑层和所述顶部支撑层包括相同材料及相同应力。8.如权利要求1所述的半导体存储器，其特征在于，还包括：另一阵列区，与所述阵列区分别位于所述周边区的两侧；另一电容阵列结构，设置在所述另一阵列区上；以及一平坦化层，全面性的覆盖所述衬底并填满所述电容阵列结构及所述另一电容阵列结构之间的空隙。9.如权利要求8所述的半导体存储器，其特征在于，所述平坦化层位于所述电容阵列结构之间的部分包括倒梯形剖面形状。10.如权利要求8所述的半导体存储器，其特征在于，所述平坦化层位于所述电容阵列结构之间的部分包括梯形剖面形状。11.一种半导体存储器，其特征在于，包括：一衬底，包括至少一阵列区；一周边区，邻接所述阵列区的边缘；多个接触垫，设置在所述阵列区中；以及一电容阵列结构，设置在所述阵列区上且包括：多个电容，分别设置在一所述接触垫上；以及一中间支撑层，水平延伸在所述多个电容的腰部之间，而将各所述电容分成上半部和下半部，其中邻近所述阵列区边缘的所述电容的所述上半部倾斜而与所述接触垫之间包括一错位。12.如权利要求11所述的半导体存储器，其特征在于，所述错位小于或等于所述接触垫
之间的间距。13.如权利要求11所述的半导体存储器，其特征在于，所述错位随着所述电容至所述阵列区的所述边缘的距离减少而逐渐增加。14.如权利要求11所述的半导体存储器，其特征在于，所述上部轴线为直线且垂直于所述衬底的表面。15.如权利要求11所述的半导体存储器，其特征在于，所述下部轴线为曲线。16.如权利要求11所述的半导体存储器，其特征在于，还包括一顶部支撑层，水平延伸在所述多个电容的顶部之间。17.如权利要求16所述的半导体存储器，其特征在于，所述中间支撑层和所述顶部支撑层包括不同材料及不同应力。18.如权利要求11所述的半导体存储器，其特征在于，还包括：另一阵列区，与所述阵列区分别位于所述周边区的两侧；另一电容阵列结构，设置在所述另一阵列区上；以及一平坦化层，全面性的覆盖所述衬底并填满所述电容阵列结构及所述另一电容阵列结构之间的空隙。19.如权利要求18所述的半导体存储器，其特征在于，所述平坦化层位于所述电容阵列结构之间的部分包括倒梯形剖面形状。20.如权利要求18所述的半导体存储器，其特征在于，所述平坦化层位于所述电容阵列结构之间的部分包括梯形剖面形状。

技术总结
本发明公开了一种半导体存储器，包括设置在衬底的阵列区中的多个接触垫，以及设置在阵列区上的电容阵列结构。电容阵列结构包括多个电容分别设置在一所述接触垫上，以及一中间支撑层，水平延伸在所述多个电容的腰部之间，而将各所述电容分成上半部和下半部。邻近所述阵列区边缘的所述电容的所述下半部倾斜，使所述上半部与所述接触垫之间包括一错位。此设计可调节相邻电容阵列结构之间的应力，达到应力缓冲的功效。冲的功效。冲的功效。


技术研发人员：洪银聪 王嘉鸿 刘越 夏忠平
受保护的技术使用者：福建省晋华集成电路有限公司
技术研发日：2022.08.12
技术公布日：2022/11/15