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发光二极管及其制备方法与流程

2022-11-23 10:58:16 来源:中国专利 TAG:


1.本技术属于显示技术领域,尤其涉及一种发光二极管及其制备方法。


背景技术:

2.发光二极管是一种将电转换为光的器件,由于其转换效率高,寿命长,因此,被广泛应用于照明领域中。
3.发光二极管的种类包括多种。其中,由于量子点独特的光学性质(例如,发光波长随尺寸和成分连续可调,发光光谱窄,荧光效率高、稳定性好等性质)。因此,量子点发光二极管(quantum dot light emitting diodes,qled)在照明领域的应用较广泛。
4.然而,在基于zno电子传输层的量子点发光二极管中,电子数量远多于空穴数量,从而导致存在比较严重的电荷不平衡问题,进而导致量子点发光二极管的效率滚降迅速、使用寿命低下。
5.目前,解决量子点发光二极管中电荷不平衡的问题的方法是在量子点发光层和电子传输层之间增加一层塑料类高分子化合物(如pmma)作为隔离膜。然而,单独由高分子化合物组成的隔离膜的稳定性不高,在退火处理过程中会出现裂纹、亮度分布不均匀甚至发光二极管直接不亮的现象。


技术实现要素:

6.本技术实施例提供了一种发光二极管及其制备方法,以解决目前量子点发光二极管的隔离层的稳定性不高的问题。
7.第一方面,本技术实施例提供了一种发光二极管,包括:阳极、量子点发光层、隔离层、电子传输层以及阴极,上述阳极和上述阴极相对设置,上述量子点发光层设置于上述阳极和上述阴极之间,上述电子传输层设置于上述量子点发光层和上述阴极之间;
8.上述隔离层叠设于上述量子点发光层和上述电子传输层之间,上述隔离层的材料包括高分子化合物和足球石墨烯的混合物。
9.第二方面,本技术实施例提供了一种发光二极管的制备方法,包括:
10.在基板的表面上依次形成阳极、量子点发光层、隔离层、电子传输层以及阴极;
11.或者,在基板的表面上依次形成阴极、电子传输层、隔离层、量子点发光层以及阳极;
12.其中,上述隔离层的材料包括高分子化合物和足球石墨烯的混合物。
13.可以理解的是,上述第二方面的有益效果可以参见上述第一方面中的相关描述,在此不再赘述。
14.本技术实施例与现有技术相比存在的有益效果是:
15.本技术发光二极管所含的隔离层的材料包括的足球石墨烯是一种为笼型结构且稳定性非常高的分子,将其混合在高分子化合物中之后,可以拉紧或连接高分子化合物的至少两条支链,从而提高高分子化合物的稳定性,进而提高隔离层的稳定性。因此,本技术
的隔离层的稳定性较高。由于隔离层的稳定性较高,因此,发光二极管的发光较均匀。
附图说明
16.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
17.图1是本技术一实施例提供的量子发光二极管的结构示意图;
18.图2是本技术一实施例提供的隔离层的制备方法的流程示意图;
19.图3是本技术一实施例提供的另一种隔离层的制备方法的流程示意图;
20.图4是本技术一实施例提供的另一种发光二极管的结构示意图;
21.图5是本技术一实施例提供的另一种发光二极管的结构示意图;
22.图6是本技术一实施例提供的另一种发光二极管的结构示意图;
23.图7是本技术一实施例提供的另一种发光二极管的结构示意图;
24.图8是本技术一实施例提供的另一种发光二极管的结构示意图;
25.图9是本技术一实施例提供的另一种发光二极管的结构示意图;
26.图10是本技术一实施例提供的另一种发光二极管的结构示意图。
具体实施方式
27.为了使本发明要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白,以下结合实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
28.请参阅附图1,本技术一实施例提供了一种发光二极管,该发光二极管包括:
29.阳极、量子点发光层、隔离层、电子传输层以及阴极,阳极和阴极相对设置,量子点发光层设置于阳极和阴极之间,电子传输层设置于量子点发光层和阴极之间,即由阳极至阴极方向,阳极、量子点发光层、隔离层、电子传输层以及阴极各层依次层叠结合,其中,隔离层叠设于量子点发光层和电子传输层之间,隔离层的材料包括高分子化合物和足球石墨烯的混合物。
30.如果单独将高分子化合物作为隔离层的材料,则在对量子点发光二极管进行加热时,由于热应力的作用,隔离层容易发生皲裂或着变形,导致量子点发光二极管发光不均匀或者不发光。因此,单独由高分子化合物组成的隔离层的稳定性不高。
31.由于足球石墨烯是一种为笼型结构且稳定性非常高的分子。因此,将其混合在高分子化合物中之后,可以拉紧或连接高分子化合物的至少两条支链,从而提高高分子化合物的稳定性,进而提高隔离层的稳定性。因此,在本实施例中,隔离层的材料包括了高分子化合物和足球石墨烯的混合物,可以提高隔离层的稳定性。
32.在一种可能实现的方式中,本实施例中的隔离层的材料可以由高分子化合物和足球石墨烯的混合物组成。比如,本实施例中的隔离层的材料可以由聚苯乙烯和足球石墨烯的混合物组成。
33.在一些实施例中,发光二极管还包括空穴功能层,空穴功能层设置于量子点发光
层和阳极之间。
34.在另一些实施例中,空穴功能层可以包括空穴注入层和空穴传输层。此时,本实施例中的发光二极管各层的位置为:由阳极至阴极方向,阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、隔离层、电子传输层以及阴极各层依次层叠结合。
35.在另一些实施例中,高分子化合物与足球石墨烯的质量比为10:1~5:1。
36.目前,单独由高分子化合物组成的隔离层的导电性不可控制,从而导致发光二极管不能达到用户需要的发光效果。在本实施例中,通过控制高分子化合物与足球石墨烯的质量比,从而控制隔离层的导电性。比如,在高分子化合物与足球石墨烯的质量比为10:1时,隔离层的导电性为103ma/cm2;在高分子化合物与足球石墨烯的质量比为5:1时,隔离层的导电性为100ma/cm2。即隔离层的导电性随着高分子化合物与足球石墨烯的质量比的改变而改变。
37.因此,在本实施例中,可以通过控制高分子化合物与足球石墨烯的质量比,控制隔离层的导电性,从而使得发光二极管可以达到用户需要的发光效果。
38.在另一些实施例中,隔离层的材料还包括碱金属盐。
39.虽然足球石墨烯的稳定性非常高,但是,足球石墨烯在常温下的导电能力比较差。由于将金属离子加入足球石墨烯中之后,可以提高足球石墨烯的导电性。因此,在本实施例中,隔离层的材料还包括了碱金属盐,从而去提高隔离层的导电性。
40.需要说明的是,碱金属盐可以为钾的化合物、钠的化合物以及锂的化合物,比如,氯化钾以及氯化钠等。应理解,此处只是对提高足球石墨烯的导电性的金属盐的种类进行举例,在实际应用中,只要能提高足球石墨烯的金属盐均可以作为本技术的碱金属盐。
41.在另一些实施例中,本实施例中的隔离层的材料可以由高分子化合物、足球石墨烯以及碱金属盐的混合物组成。比如,本实施例中的隔离层的材料可以由聚苯乙烯、足球石墨烯以及氯化钾的混合物组成。
42.在另一些实施例中,高分子化合物、足球石墨烯以及碱金属盐之间的质量比为50:10:1~50:10:5。
43.在本实施例中,通过控制高分子化合物、足球石墨烯以及碱金属盐之间的质量比,从而控制隔离层的导电性。比如,当高分子化合物为聚苯乙烯且当高分子化合物、足球石墨烯以及碱金属盐之间的质量比为50:10:1时,隔离层的导电性为103ma/cm2;当高分子化合物为聚苯乙烯且当高分子化合物、足球石墨烯以及碱金属盐之间的质量比为50:10:5时,隔离层的导电性为108ma/cm2。即隔离层的导电性随着高分子化合物、足球石墨烯以及碱金属盐之间的质量比的改变而改变。
44.在一些可能实现的方式中,高分子化合物包括聚苯乙烯。在本实现方式中,将聚苯乙烯作为本技术中的高分子化合物。
45.在另一些可能实现的方式中,高分子化合物为聚苯乙烯。
46.在另一些可能实现的方式中,高分子化合物包括烯丙基二甘醇碳酸脂、聚碳酸脂以及聚甲基丙烯酸甲脂中的至少一种。
47.在另一些可能实现的方式中,高分子化合物为烯丙基二甘醇碳酸脂、聚碳酸脂以及聚甲基丙烯酸甲脂中的至少一种。
48.在本实现方式中,由于烯丙基二甘醇碳酸脂的透光率和和聚甲基丙烯酸甲脂的透
光率在92%以上,聚碳酸脂的透光率在在90%以上,并且这三者的稳定性比聚苯乙烯的稳定性高。因此,包括烯丙基二甘醇碳酸脂的隔离层、包括聚碳酸脂的隔离层以及包括聚甲基丙烯酸甲脂的隔离层的发光效果均比包括聚苯乙烯的的隔离层的发光效果更好。
49.在另一些可能实现的方式中,所述高分子化合物包括4-甲基戊烯以及苯乙烯-丙烯酸酯共聚物中的至少一种。
50.在另一些可能实现的方式中,所述高分子化合物为4-甲基戊烯以及苯乙烯-丙烯酸酯共聚物中的至少一种。
51.在本实现方式中,4-甲基戊烯的透光率在92%以上,苯乙烯-丙烯酸酯共聚物的透光率在90%以上,并且,4-甲基戊烯的稳定性更高,可以承受更高的处理温度,苯乙烯-丙烯酸酯共聚物的结构强度较高,热膨胀系数较低,在热环境下更能保证其稳定性。因此,包括4-甲基戊烯的隔离层和包括苯乙烯-丙烯酸酯共聚物的隔离层的发光效果比包括烯丙基二甘醇碳酸脂的隔离层的发光效果、包括聚碳酸脂的隔离层的发光效果以及包括聚甲基丙烯酸甲脂的隔离层的发光效果均更好。
52.应理解,此处只是对高分子化合物的种类进行举例。在实际应用中,只要是透光率高和结构强度稳定的高分子化合物均可以作为本技术的高分子化合物。
53.在另一些实施例中,提供了一种发光二极管的制备方法,该方法包括:
54.在基板的表面上依次形成阳极、量子点发光层、隔离层、电子传输层以及阴极;或者,在基板的表面上依次形成阴极、电子传输层、隔离层、量子点发光层以及阳极;其中,隔离层的材料包括高分子化合物和足球石墨烯的混合物。
55.在本实施例中,当需要正置发光二极管时,则在基板的表面上依次形成阳极、量子点发光层、隔离层、电子传输层以及阴极。当需要倒置发光二极管时,则在基板的表面上依次形成阴极、电子传输层、隔离层、量子点发光层以及阳极。由于该隔离层的材料包括高分子化合物和足球石墨烯的混合物。因此,根据该制备方法制备的发光二极管的稳定性较高。
56.在基板的表面上依次形成阳极、量子点发光层、隔离层、电子传输层以及阴极,具体是沿背离基板表面的方向在基板的表面上依次形成阳极、量子点发光层、隔离层、电子传输层以及阴极。同理,沿背离基板表面的方向在基板的表面上依次形成阴极、电子传输层、隔离层、量子点发光层以及阳极。
57.需要说明的是,在本实施例中,发光二极管还可以包括空穴功能层,此时,本实施例中的发光二极管的制备方法为:在基板的表面上依次形成阳极、空穴功能层、量子点层、隔离层、电子传输层以及阴极。或者,在基板的表面上依次形成阴极、电子传输层、隔离层、量子点层、空穴功能层以及阳极。
58.在一些可能实现的方式中,空穴功能层可以包括空穴注入层和空穴传输层。此时,本实施例中的发光二极管的制备方法为:在基板的表面上依次形成阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、隔离层、电子传输层以及阴极;或者,在基板的表面上依次形成阴极、电子传输层、隔离层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层以及阳极。
59.在另一些实施例中,参照图2,隔离层的制备方法包括:
60.s201、将高分子化合物和足球石墨烯按照第一质量比加入至溶剂中,得到第一混合溶液;
61.s202、将第一混合溶液在量子点发光层表层成膜或在电子传输层的表面成膜处
理,形成隔离层。
62.在本实施例中,高分子化合物和足球石墨烯的第一质量比为10:1~5:1,在实际应用中,用户可以根据自己实际需要进行设置。溶剂用户可以根据实际情况进行选择,比如,本实施例的溶剂选择二甲基甲酰胺(n,n-dimethylformamide,dmf)。本技术在此不做限定。
63.先将高分子化合物和足球石墨烯按照第一质量比加入至溶剂中,得到第一混合溶液。然后将第一混合溶液在量子点发光层表层成膜或在电子传输层的表面成膜处理,即可得到隔离层。
64.应理解,成膜处理的方法用户可以根据实际情况进行选择,比如,在本实施例中,选择涂覆、喷涂以及旋涂作为成膜处理的方法。
65.在另一些实施例中,在得到第一混合溶液之后,还可以对第一混合溶液进行加热、超声以及过滤,从而加快高分子化合物和足球石墨烯的溶解。
66.在另一些实施例中,隔离层的材料还包括碱金属盐。此时,参照图3,隔离层的制备方法包括:
67.s301、将高分子化合物、足球石墨烯和碱金属盐按照第二质量比加入至溶剂中,得到第二混合溶液;
68.s302、将第二混合溶液在量子点发光层表层成膜或在电子传输层的表面成膜处理,形成隔离层。
69.在本实施例中,高分子化合物、足球石墨烯和碱金属盐的第二质量比为50:10:1~50:10:5,在实际应用中,用户可以根据自己实际需要进行设置。
70.以下通过多个实施例来举例说明发光二极管及其制备方法。
71.实施例1
72.一种发光二极管,其结构如图4所示,从下往上依次包括氧化铟锡电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、隔离层、电子传输层以及银电极,其中,隔离层的材料包括聚苯乙烯和足球石墨烯的混合物。
73.该发光二极管的制备方法如下:
74.先将聚苯乙烯和足球石墨烯按照10:1的质量比加入至dmf溶剂中,得到第一混合溶液,第一混合溶液的浓度为10mg/ml。接着对该第一混合溶液以60
°
的温度加热24小时,得到加热后的第一混合溶液。然后对加热后的第一混合溶液进行超声15分钟,并使用0.22um过滤头进行过滤,得到最终的第一混合溶液。
75.接着,在旋涂器件中,先在基板的表面上依次旋涂氧化铟锡、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层。然后再将最终的第一混合溶液在量子点发光层上旋涂成隔离层。得到的隔离层的导电性为103ma/cm2。最后再在隔离层上依次旋涂电子传输层以及银电极。其中。旋涂器件的转速为5000转/每分钟,隔离层的旋涂时间为30秒。
76.实施例2
77.一种发光二极管,其结构如图5所示,从下往上依次包括氧化铟锡电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、隔离层、电子传输层以及银电极,其中,隔离层的材料包括烯丙基二甘醇碳酸脂和足球石墨烯的混合物。
78.该发光二极管的制备方法如下:
79.先将烯丙基二甘醇碳酸脂和足球石墨烯按照10:1的质量比加入至dmf溶剂中,得
到第一混合溶液,第一混合溶液的浓度为10mg/ml。接着对该第一混合溶液以60
°
的温度加热24小时,得到加热后的第一混合溶液。然后对加热后的第一混合溶液进行超声15分钟,并使用0.22um过滤头进行过滤,得到最终的第一混合溶液。
80.接着,在旋涂器件中,先在基板的表面上依次旋涂氧化铟锡、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层。然后再将最终的第一混合溶液在量子点发光层上旋涂成隔离层。得到的隔离层的导电性为1.5*103ma/cm2。最后再在隔离层上依次旋涂电子传输层以及银电极。其中。旋涂器件的转速为5000转/每分钟,隔离层的旋涂时间为30秒。
81.实施例3
82.一种发光二极管,其结构如图6所示,从下往上依次包括氧化铟锡电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、隔离层、电子传输层以及银电极,其中,隔离层的材料包括聚碳酸脂和足球石墨烯的混合物。
83.该发光二极管的制备方法如下:
84.先将聚碳酸脂和足球石墨烯按照10:1的质量比加入至dmf溶剂中,得到第一混合溶液,第一混合溶液的浓度为10mg/ml。接着对该第一混合溶液以60
°
的温度加热24小时,得到加热后的第一混合溶液。然后对加热后的第一混合溶液进行超声15分钟,并使用0.22um过滤头进行过滤,得到最终的第一混合溶液。
85.接着,在旋涂器件中,先在基板的表面上依次旋涂氧化铟锡、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层。然后再将最终的第一混合溶液在量子点发光层上旋涂成隔离层。得到的隔离层的导电性为2*103ma/cm2。最后再在隔离层上依次旋涂电子传输层以及银电极。其中。旋涂器件的转速为5000转/每分钟,隔离层的旋涂时间为30秒。
86.实施例4
87.一种发光二极管,其结构如图7所示,从下往上依次包括氧化铟锡电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、隔离层、电子传输层以及银电极,其中,隔离层的材料包括聚甲基丙烯酸甲脂和足球石墨烯的混合物。
88.该发光二极管的制备方法如下:
89.先将聚甲基丙烯酸甲脂和足球石墨烯按照10:1的质量比加入至dmf溶剂中,得到第一混合溶液,第一混合溶液的浓度为10mg/ml。接着对该第一混合溶液以60
°
的温度加热24小时,得到加热后的第一混合溶液。然后对加热后的第一混合溶液进行超声15分钟,并使用0.22um过滤头进行过滤,得到最终的第一混合溶液。
90.接着,在旋涂器件中,先在基板的表面上依次旋涂氧化铟锡、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层。然后再将最终的第一混合溶液在量子点发光层上旋涂成隔离层。得到的隔离层的导电性为5*103ma/cm2。最后再在隔离层上依次旋涂电子传输层以及银电极。其中。旋涂器件的转速为5000转/每分钟,隔离层的旋涂时间为30秒。
91.实施例5
92.一种发光二极管,其结构如图8所示,从下往上依次包括氧化铟锡电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、隔离层、电子传输层以及银电极,其中,隔离层的材料包括4-甲基戊烯和足球石墨烯的混合物。
93.该发光二极管的制备方法如下:
94.先将4-甲基戊烯和足球石墨烯按照10:1的质量比加入至dmf溶剂中,得到第一混
合溶液,第一混合溶液的浓度为10mg/ml。接着对该第一混合溶液以60
°
的温度加热24小时,得到加热后的第一混合溶液。然后对加热后的第一混合溶液进行超声15分钟,并使用0.22um过滤头进行过滤,得到最终的第一混合溶液。
95.接着,在旋涂器件中,先在基板的表面上依次旋涂氧化铟锡、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层。然后再将最终的第一混合溶液在量子点发光层上旋涂成隔离层。得到的隔离层的导电性为104ma/cm2。最后再在隔离层上依次旋涂电子传输层以及银电极。其中。旋涂器件的转速为5000转/每分钟,隔离层的旋涂时间为30秒。
96.实施例6
97.一种发光二极管,其结构如图9所示,从下往上依次包括氧化铟锡电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、隔离层、电子传输层以及银电极,其中,隔离层的材料包括苯乙烯-丙烯酸酯共聚物和足球石墨烯的混合物。
98.该发光二极管的制备方法如下:
99.先将苯乙烯-丙烯酸酯共聚物和足球石墨烯按照10:1的质量比加入至dmf溶剂中,得到第一混合溶液,第一混合溶液的浓度为10mg/ml。接着对该第一混合溶液以60
°
的温度加热24小时,得到加热后的第一混合溶液。然后对加热后的第一混合溶液进行超声15分钟,并使用0.22um过滤头进行过滤,得到最终的第一混合溶液。
100.接着,在旋涂器件中,先在基板的表面上依次旋涂氧化铟锡、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层。然后再将最终的第一混合溶液在量子点发光层上旋涂成隔离层。得到的隔离层的导电性为1.5*104ma/cm2。最后再在隔离层上依次旋涂电子传输层以及银电极。其中。旋涂器件的转速为5000转/每分钟,隔离层的旋涂时间为30秒。
101.实施例7
102.一种发光二极管,从下往上依次包括氧化铟锡电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、隔离层、电子传输层以及银电极,其中,隔离层的材料包括4-甲基戊烯和足球石墨烯的混合物。
103.该发光二极管的制备方法如下:
104.先将4-甲基戊烯和足球石墨烯按照7:1的质量比加入至dmf溶剂中,得到第一混合溶液,第一混合溶液的浓度为10mg/ml。接着对该第一混合溶液以60
°
的温度加热24小时,得到加热后的第一混合溶液。然后对加热后的第一混合溶液进行超声15分钟,并使用0.22um过滤头进行过滤,得到最终的第一混合溶液。
105.接着,在旋涂器件中,先在基板的表面上依次旋涂氧化铟锡、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层。然后再将最终的第一混合溶液在量子点发光层上旋涂成隔离层。得到的隔离层的导电性为105ma/cm2。最后再在隔离层上依次旋涂电子传输层以及银电极。其中。旋涂器件的转速为5000转/每分钟,隔离层的旋涂时间为30秒。
106.实施例8
107.一种发光二极管,从下往上依次包括氧化铟锡电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、隔离层、电子传输层以及银电极,其中,隔离层的材料包括苯乙烯-丙烯酸酯共聚物和足球石墨烯的混合物。
108.该发光二极管的制备方法如下:
109.先将苯乙烯-丙烯酸酯共聚物和足球石墨烯按照5:1的质量比加入至dmf溶剂中,
得到第一混合溶液,第一混合溶液的浓度为10mg/ml。接着对该第一混合溶液以60
°
的温度加热24小时,得到加热后的第一混合溶液。然后对加热后的第一混合溶液进行超声15分钟,并使用0.22um过滤头进行过滤,得到最终的第一混合溶液。
110.接着,在旋涂器件中,先在基板的表面上依次旋涂氧化铟锡、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层。然后再将最终的第一混合溶液在量子点发光层上旋涂成隔离层。得到的隔离层的导电性为108ma/cm2。最后再在隔离层上依次旋涂电子传输层以及银电极。其中。旋涂器件的转速为5000转/每分钟,隔离层的旋涂时间为30秒。
111.实施例9
112.一种发光二极管,如图10所示,从下往上依次包括氧化铟锡电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、隔离层、电子传输层以及银电极,其中,隔离层的材料包括苯乙烯-丙烯酸酯共聚物、氯化钾和足球石墨烯的混合物。
113.该发光二极管的制备方法如下:
114.先将苯乙烯-丙烯酸酯共聚物、足球石墨烯和氯化钾按照50:10:1的质量比加入至dmf溶剂中,得到第二混合溶液,第二混合溶液的浓度为10mg/ml。接着对该第二混合溶液以60
°
的温度加热24小时,得到加热后的第二合溶液。然后对加热后的第二混合溶液进行超声15分钟,并使用0.22um过滤头进行过滤,得到最终的第二混合溶液。
115.接着,在旋涂器件中,先在基板的表面上依次旋涂氧化铟锡、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层。然后再将最终的第二混合溶液在量子点发光层上旋涂成隔离层。得到的隔离层的导电性为10
10
ma/cm2。最后再在隔离层上依次旋涂电子传输层以及银电极。其中。旋涂器件的转速为5000转/每分钟,隔离层的旋涂时间为30秒。
116.从实施例8和实施例9可知,包括苯乙烯-丙烯酸酯共聚物、氯化钾和足球石墨烯的隔离层的导电性比包括苯乙烯-丙烯酸酯共聚物和足球石墨烯的隔离层的导电性高,说明添加了碱金属的隔离层比没有添加碱金属的隔离层的导电性高。
117.对比例1
118.一种发光二极管,从下往上依次包括氧化铟锡电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、隔离层、电子传输层以及银电极,其中,隔离层的材料包括聚苯乙烯。
119.对比例2
120.一种发光二极管,从下往上依次包括氧化铟锡电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、隔离层、电子传输层以及银电极,其中,隔离层的材料包括烯丙基二甘醇碳酸脂。
121.对比例3
122.一种发光二极管,从下往上依次包括氧化铟锡电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、隔离层、电子传输层以及银电极,其中,隔离层的材料包括聚碳酸脂。
123.对比例4
124.一种发光二极管,从下往上依次包括氧化铟锡电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、隔离层、电子传输层以及银电极,其中,隔离层的材料包括聚甲基丙烯酸甲脂。
125.对比例5
126.一种发光二极管,从下往上依次包括氧化铟锡电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、隔离层、电子传输层以及银电极,其中,隔离层的材料包括4-甲基戊烯。
127.对比例6
128.一种发光二极管,从下往上依次包括氧化铟锡电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、隔离层、电子传输层以及银电极,其中,隔离层的材料包括苯乙烯-丙烯酸酯共聚物。
129.将实施例1-6和对比例1-6的发光二极管通电,然后每隔10分钟测量每个发光二极管的发光区域正中间的亮度值,取9个亮度值,计算9个亮度值的标准差,标准差越小,说明该发光二极管的隔离层的稳定性越高。
130.将实施例1-6和对比例1-6的发光二极管通电,将每个发光二极管通电中的4mm2发光区域平均划分成9个小区域,测量每个小区域正中间的亮度值,然后计算9个亮度值的标准差,标准差越小,说明该发光二极管的发光越均匀。
131.评估实施例1-6和对比例1-6的发光二极管的稳定性时的标准差以及发光均匀性时的标准差如下表所示(nit表示尼特):
[0132][0133]
从上表可以看出,实施例2-4的标准差比实施例1的标准差均要小,实施例5-6的标准差比实施例2-4的标准差均要小,说明实施例2-4的隔离层的稳定性和发光均匀性比实施例1的的隔离层的稳定性和发光均匀性更好,实施例5-6的隔离层的稳定性和发光均匀性比实施例2-4的的隔离层的稳定性和发光均匀性更好。
[0134]
从上表也可以看出,实施例1的标准差比对比例1的标准差小,实施例2的标准差比对比例2的标准差小,实施例3的标准差比对比例3的标准差小,实施例4的标准差比对比例4的标准差小,实施例5的标准差比对比例5的标准差小,实施例6的标准差比对比例6的标准差小。
[0135]
说明实施例1的隔离层的稳定性和发光均匀性比对比例1的隔离层的稳定性和发光均匀性更好,实施例2的隔离层的稳定性和发光均匀性比对比例2的隔离层的稳定性和发
光均匀性更好,实施例3的隔离层的稳定性和发光均匀性比对比例3的隔离层的稳定性和发光均匀性更好,实施例4的隔离层的稳定性和发光均匀性比对比例4的隔离层的稳定性和发光均匀性更好,,实施例5的隔离层的稳定性和发光均匀性比对比例5的隔离层的稳定性和发光均匀性更好,实施例6的隔离层的稳定性和发光均匀性比对比例6的隔离层的稳定性和发光均匀性更好。即说明包括了高分子化合物和足球石墨烯的隔离层的稳定性和发光均匀性比包括高分子化合物的隔离层的稳定性和发光均匀性更好。
[0136]
需要说明的是,本技术所得到的隔离层的导电性均是在隔离层的电压为6伏的情况下测量的。此外,即使隔离层的导电性增加后会提升电子的传输效率。然而,导电性增加后的隔离层的电子的传输效率还是远低于没有隔离层的电子的传输效率。因此,即使隔离层的导电性增加,还是可以使量子发光二极管的电荷保持平衡。
[0137]
综上所述,本技术发光二极管所含的隔离层的材料包括的足球石墨烯是一种为笼型结构且稳定性非常高的分子,将其混合在高分子化合物中之后,可以拉紧或连接高分子化合物的至少两条支链,从而提高高分子化合物的稳定性,进而提高隔离层的稳定性。因此,本技术的隔离层的稳定性较高。由于隔离层的稳定性较高,因此,发光二极管的发光较均匀。
[0138]
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
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