含氟聚合物膜的制作方法

技术特征：
1.一种含氟聚合物膜，其特征在于：以90℃加热1小时后的热收缩率为0.4％以下，25℃且1000hz时的相对介电常数在3～50的范围内。2.如权利要求1所述的含氟聚合物膜，其特征在于：表面粗糙度(ra)为350nm以下。3.如权利要求1或2所述的含氟聚合物膜，其特征在于：剩余极化量为40mc/m2以下。4.如权利要求1～3中任一项所述的含氟聚合物膜，其特征在于：内部雾度值为30％以上。5.如权利要求1～4中任一项所述的含氟聚合物膜，其特征在于：内部雾度值[％]/膜厚[μm]之比在1～4.5的范围内。6.如权利要求1～5中任一项所述的含氟聚合物膜，其特征在于：延迟[nm]/膜厚[μm]之比为2.5以下。7.如权利要求1～6中任一项所述的含氟聚合物膜，其特征在于：将膜试样直接放置在设有开口部的样品架上，在衍射角2θ为10～40
°
的范围内进行x射线衍射测定时所得到的x射线衍射图案中，将连接10
°
的衍射角2θ时的衍射强度与25
°
的衍射角2θ时的衍射强度的直线设定为基线，并且，利用峰形拟合将该基线和衍射强度曲线所围成的区域分离成2个对称性峰，其中，将衍射角2θ大的峰认定为结晶性峰，并且将衍射角2θ小的峰认定为非晶性晕峰时，由100
×
(结晶性峰的面积)/(结晶性峰的面积与非晶性晕峰的面积之和)表示的结晶度为50％以上。8.如权利要求1～7中任一项所述的含氟聚合物膜，其特征在于：所述含氟聚合物为偏氟乙烯系聚合物。9.如权利要求1～8中任一项所述的含氟聚合物膜，其特征在于：所述偏氟乙烯系聚合物为偏氟乙烯/四氟乙烯共聚物、或偏氟乙烯/三氟乙烯共聚物。10.一种压电膜，其特征在于：由权利要求1～9中任一项所述的含氟聚合物膜构成。11.一种压电膜，其特征在于：所述压电膜由含氟聚合物膜构成，所述含氟聚合物膜满足下述(1)和(2)：(1)将膜试样直接放置在设有开口部的样品架上，在衍射角2θ为10～40
°
的范围内进行x射线衍射测定时所得到的x射线衍射图案中，将连接10
°
的衍射角2θ时的衍射强度与25
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的衍射角2θ时的衍射强度的直线设定为基线，并且，利用峰形拟合将该基线和衍射强度曲线所围成的区域分离成2个对称性峰，其中，将衍射角2θ大的峰认定为结晶性峰，并且将衍射角2θ小的峰认定为非晶性晕峰时，
由100
×
(结晶性峰的面积)/(结晶性峰的面积与非晶性晕峰的面积之和)表示的结晶度为50％以上；(2)断裂伸长率为400％以上。12.如权利要求11所述的压电膜，其特征在于：所述含氟聚合物膜的延迟[nm]/膜厚[μm]之比为2.5以下。13.如权利要求11或12所述的压电膜，其特征在于：所述含氟聚合物膜的表面粗糙度(ra)为350nm以下。14.如权利要求11～13中任一项所述的压电膜，其特征在于：所述含氟聚合物膜的剩余极化量为40mc/m2以下。15.如权利要求11～14中任一项所述的压电膜，其特征在于：所述含氟聚合物膜的内部雾度值为20％以上。16.如权利要求15所述的压电膜，其特征在于：所述含氟聚合物膜的内部雾度值[％]/膜厚[μm]之比在0.1～1.7的范围内。17.如权利要求11～14中任一项所述的压电膜，其特征在于：所述含氟聚合物膜的内部雾度值为15％以下。18.如权利要求17所述的压电膜，其特征在于：所述含氟聚合物膜的内部雾度值[％]/膜厚[μm]之比为0.4以下。19.如权利要求11～18中任一项所述的压电膜，其特征在于：所述含氟聚合物的25℃且1000hz时的相对介电常数在3～50的范围内。20.如权利要求11～19中任一项所述的压电膜，其特征在于：所述含氟聚合物为偏氟乙烯系聚合物。21.如权利要求11～20中任一项所述的压电膜，其特征在于：所述含氟聚合物为偏氟乙烯/四氟乙烯共聚物、或偏氟乙烯/三氟乙烯共聚物。22.如权利要求10～21中任一项所述的压电膜，其特征在于：其用于选自传感器、驱动器、触摸面板、触觉装置、振动发电装置、扬声器和话筒中的1种以上。23.一种压电体，其特征在于：所述压电体为叠层体，所述压电体具有权利要求10～21中任一项所述的压电膜和设置于所述压电膜的至少一个表面上的电极。

技术总结
本发明所要解决的技术问题在于提供一种含氟聚合物膜。该技术问题通过以下的方式解决：上述含氟聚合物膜以90℃加热1小时后的热收缩率为0.4％以下，25℃且1000Hz时的相对介电常数在3～50的范围内，或者上述含氟聚合物膜的结晶度为50％以上，断裂伸长率为400％以上。上。上。


技术研发人员：小谷哲浩 酒见沙织 尾藤慎也 有本将治 金村崇
受保护的技术使用者：大金工业株式会社
技术研发日：2021.04.12
技术公布日：2022/12/2