晶圆承载装置及半导体工艺设备的制作方法

技术特征：
1.一种晶圆承载装置，其特征在于，包括基座(100)和多个晶圆支撑凸起(200)，所述基座(100)包括中心区域(110)和围绕所述中心区域(110)的第一环形区域(120)，多个所述晶圆支撑凸起(200)沿所述第一环形区域(120)的圆周方向间隔分布在所述第一环形区域(120)内，相邻的两个所述晶圆支撑凸起(200)之间形成排气间隙(160)，多个所述晶圆支撑凸起(200)凸出于所述中心区域(110)第一预设高度，所述第一预设高度大于零。2.根据权利要求1所述的晶圆承载装置，其特征在于，所有的所述晶圆支撑凸起(200)距所述中心区域(110)的中心的距离均相等，所述中心区域(110)的中心与所述第一环形区域(120)的圆心重合，所述第一环形区域(120)的设置所述晶圆支撑凸起(200)的位置凸出于所述中心区域(110)。3.根据权利要求1所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述晶圆承载装置还包括多个第一导热凸起(400)，多个所述第一导热凸起(400)间隔设置于所述中心区域(110)。4.根据权利要求3所述的晶圆承载装置，其特征在于，在所述中心区域(110)的圆心到所述中心区域(110)的边缘的径向方向上，所述第一导热凸起(400)的高度逐渐增加。5.根据权利要求3或4所述的晶圆承载装置，其特征在于，在第一方向上，多个所述第一导热凸起(400)自所述中心区域(110)的中心至边缘的分布密度递增；在第二方向上，多个所述第一导热凸起(400)自所述中心区域(110)的中心至边缘均匀分布，所述第二方向与所述第一方向相垂直。6.根据权利要求3或4所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述晶圆支撑凸起(200)的导热系数大于或等于所述第一导热凸起(400)的导热系数。7.根据权利要求1所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述第一环形区域(120)包括环形斜面区域(121)，所述环形斜面区域(121)的较低的内侧端面与所述中心区域(110)相连，多个所述晶圆支撑凸起(200)设于所述环形斜面区域(121)内。8.根据权利要求7所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述晶圆支撑凸起(200)为圆角凸起，所述圆角凸起具有用于支撑所述晶圆(300)的承载点，所述圆角凸起的所述承载点的切线所在的方向为第三方向，所述第三方向与所述环形斜面区域(121)的表面之间的夹角为10
°
～15
°
。9.根据权利要求7所述的晶圆承载装置，其特征在于，多个所述晶圆支撑凸起(200)沿所述环形斜面区域(121)的第一圆环均匀间隔分布。10.根据权利要求9所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述晶圆承载装置还包括多个第二导热凸起(500)，所述第一环形区域(120)还包括环形凹陷区域(122)，多个所述第二导热凸起(500)间隔设置于所述环形凹陷区域(122)，所述环形凹陷区域(122)围绕所述中心区域(110)设置，且低于所述中心区域(110)，所述环形斜面区域(121)的较低的内侧边缘与所述环形凹陷区域(122)相连。11.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括工艺腔室和权利要求1至10中任一项所述的晶圆承载装置，所述晶圆承载装置设置于所述工艺腔室内。

技术总结
本申请公开一种晶圆承载装置及半导体工艺设备，所公开的晶圆承载装置包括基座和多个晶圆支撑凸起，所述基座包括中心区域和围绕所述中心区域的第一环形区域，多个所述晶圆支撑凸起沿所述第一环形区域的圆周方向间隔分布在所述第一环形区域内，相邻的两个所述晶圆支撑凸起之间形成排气间隙，多个所述晶圆支撑凸起凸出于所述中心区域第一预设高度，所述第一预设高度大于零。采用上述技术方案能够缓解晶圆与基座之间的线接触使得晶圆的下表面与基座之间的气体流通性较差，导致晶圆在工艺前后产生较大的位移偏差的问题。产生较大的位移偏差的问题。产生较大的位移偏差的问题。


技术研发人员：姜文帅
受保护的技术使用者：北京北方华创微电子装备有限公司
技术研发日：2022.08.24
技术公布日：2022/12/9