半导体清洗设备的制作方法

技术特征：
1.一种半导体清洗设备，其特征在于，包括依次设置的第一清洗槽、第二清洗槽、第三清洗槽、第四清洗槽、第五清洗槽、第六清洗槽、第七清洗槽、第八清洗槽、第九清洗槽、第十清洗槽和第十一清洗槽，其中，第一清洗槽、第四清洗槽和第七清洗槽为高于室温的去离子水清洗槽，第八清洗槽、第十清洗槽和第十一清洗槽为常温去离子水清洗槽，第二清洗槽、第三清洗槽、第五清洗槽和第六清洗槽为添加有界面活性剂的强碱性刻蚀槽，第五清洗槽和第六清洗槽内的刻蚀液浓度低于第二清洗槽和第三清洗槽内的刻蚀液浓度；第十槽为弱碱性刻蚀槽。2.根据权利要求1所述的半导体清洗设备，其特征在于，第二清洗槽、第三清洗槽、第五清洗槽和第六清洗槽均为氢氧化钾刻蚀液槽，第十槽为sc-1清洗槽。3.根据权利要求1所述的半导体清洗设备，其特征在于，除第八清洗槽、第十清洗槽和第十一清洗槽外的其他清洗槽均设置有用于将对应清洗槽控制在预设温度的温控装置。4.根据权利要求3所述的半导体清洗设备，其特征在于，第二清洗槽、第三清洗槽和第五清洗槽的温度为55℃
±
5℃，第一清洗槽、第四清洗槽和第七清洗槽的温度为50℃
±
5℃，第六清洗槽的温度为70℃
±
5℃，第九清洗槽的温度为60℃-70℃。5.根据权利要求1所述的半导体清洗设备，其特征在于，第二清洗槽、第四清洗槽、第七清洗槽、第九清洗槽和第十一清洗槽均设置有超声波发生装置。6.根据权利要求5所述的半导体清洗设备，其特征在于，第二清洗槽的超声波发生装置的工作频率为40khz，功率为1200w,第四清洗槽、第七清洗槽、第九清洗槽和第十一清洗槽的超声波发生装置的工作频率为200khz，功率为1800w。7.根据权利要求1所述的半导体清洗设备，其特征在于，第一清洗槽、第二清洗槽、第四清洗槽、第七清洗槽及第九清洗槽还设置有用于搅动清洗液的搅拌装置。8.根据权利要求1所述的半导体清洗设备，其特征在于，第三清洗槽、第五清洗槽、第六清洗槽及第九清洗槽还设置有用于清洗晶圆的滚刷装置。9.根据权利要求1所述的半导体清洗设备，其特征在于，各清洗槽呈直线状分布或呈环状分布。10.根据权利要求1-9任一项所述的半导体清洗设备，其特征在于，所述半导体清洗设备还包括用于对晶圆进行干燥的干燥槽，与第十一清洗槽相邻设置。

技术总结
本实用新型提供一种半导体清洗设备，包括依次设置的第一清洗槽、第二清洗槽、第三清洗槽、第四清洗槽、第五清洗槽、第六清洗槽、第七清洗槽、第八清洗槽、第九清洗槽、第十清洗槽和第十一清洗槽，其中，第一清洗槽、第四清洗槽和第七清洗槽为高于室温的去离子水清洗槽，第八清洗槽、第十清洗槽和第十一清洗槽为常温去离子水清洗槽，第二清洗槽、第三清洗槽、第五清洗槽和第六清洗槽为添加有界面活性剂的强碱性刻蚀槽，第五清洗槽和第六清洗槽内的刻蚀液浓度低于第二清洗槽和第三清洗槽内的刻蚀液浓度；第十槽为弱碱性刻蚀槽。本实用新型利用机械作用和化学反应对晶圆进行充分的清洗，可以有效去除晶圆表面的污染物，有助于提高后续工艺良率。艺良率。艺良率。


技术研发人员：朴灵绪 吴镐硕 张怀东
受保护的技术使用者：苏州恩腾半导体科技有限公司
技术研发日：2022.05.25
技术公布日：2022/12/9