一种残膜回收机防缠绕挑膜装置的制 一种秧草收获机用电力驱动行走机构

一种GOA电路、GOA单元及驱动方法、阵列基板

2023-01-15 10:40:06 来源:中国专利 TAG:

sclk2(n),漏极电性连接于第九薄膜晶体管t9的漏极;
15.所述第九薄膜晶体管t9栅极电性连接于第二节点qb,源极接入恒压低电平信号vgl, 漏极电性连接于第八薄膜晶体管t8的漏极;
16.所述第十薄膜晶体管t10栅极电性连接于第一节点q,源极接入第二时钟控制信号 sclk2(n),漏极电性连接于第十一薄膜晶体管t11的漏极;
17.所述第十一薄膜晶体管t11栅极电性连接于第二节点qb,源极接入恒压低电平信号 vgl,漏极电性连接于第十薄膜晶体管t10的漏极;
18.所述第一电容c1一端电性连接于第一节点q,另一端电性连接于第八薄膜晶体管t8的 漏极;
19.所述第二电容c2一端接入启动信号cout(n-2),另一端电性连接于第六薄膜晶体管t6的 源极。
20.可选的,所述第一、第二、第三、第四、第五、第六、第七、第八、第九、第十、第十 一薄膜晶体管t1、t2、t3、t4、t5、t6、t7、t8、t9、t10、t11为薄膜晶体管或场效应 管或其他特性相同的器件;这里采用的晶体管的源极、漏极是对称的,其源极、漏极能够互 换;开关晶体管的中间端为栅极、信号输入端为源极、信号输出端为漏极。
21.可选的,所述第一、第二、第三、第四时钟信号sclk1、sclk2、sclk3、sclk4、第 一启动信号sin1、第二启动信号sin2、恒压高电平信号vgh、恒压低电平信号vgl均通 过外部时序控制器提供。
22.一种goa电路,包括:如所述的n级goa单元,所述第一、第二、第三、第四时钟信 号sclk1、sclk2、sclk3、sclk4、第一启动信号sin1、第二启动信号sin2、恒压高电 平信号vgh以及恒压低电平信号vgl;其中,n级goa单元可以分为多个级联设置的奇数 级goa单元以及多个级联设置的偶数级goa单元;多个级联设置的奇数级goa单元设置 在显示区域左侧,第一级goa单元由第一启动信号sin1启动,奇数级goa单元接入第一 时钟信号sclk1、第二时钟信号sclk2、恒压高电平信号vgh以及恒压低电平信号vgl; 多个级联设置的偶数级goa单元设置在显示区域右侧,第二级goa单元由第二启动信号 sin2启动,偶数级goa单元接入第三时钟信号sclk3、第四时钟信号sclk4、恒压高电平 信号vgh以及恒压低电平信号vgl。
23.可选的,所述第n级goa单元中,第一时钟控制信号sclk1(n)与第二时钟控制信号 sclk2(n)都为低电平时,goa单元保持上一阶段电路特性,goa单元的驱动时序依次包括:
24.(1)t1阶段:第一时钟控制信号sclk1(n)和启动信号cout(n-2)提供高电位,第二时钟 控制信号sclk2(n)提供低电位;
25.(2)t2阶段:第二时钟控制信号sclk2(n)提供高电位,第一时钟控制信号sclk1(n) 和启动信号cout(n-2)提供低电位;
26.(3)t3阶段:第一时钟控制信号sclk1(n)提供高电位,第二时钟控制信号sclk2(n) 和启动信号cout(n-2)提供低电位;
27.(4)t4阶段:第二时钟控制信号sclk2(n)提供高电位,第一时钟控制信号sclk1(n) 和启动信号cout(n-2)提供低电位。
28.适用于所述的goa单元的一种goa单元驱动方法,具体包括以下步骤:
29.s1:进入t1阶段;
30.所述第一时钟控制信号sclk1(n)和启动信号cout(n-2)提供高电位,所述第二时
钟控制 信号sclk2(n)提供低电位;所述第一薄膜晶体管、所述第三薄膜晶体管、所述第四薄膜晶体 管、所述第五薄膜晶体管、所述第六薄膜晶体管、所述第七薄膜晶体管、所述第八薄膜晶体 管、所述第十薄膜晶体管t1、t3、t4、t5、t6、t7、t8、t10打开,所述第二薄膜晶体管、 第九薄膜晶体管、第十一薄膜晶体管t2、t9、t11关闭,所述第一节点q通过第一薄膜晶体 管、第七薄膜晶体管充电至高电平vgh-vth1-vth7,所述第三节点p通过第一薄膜晶体管充 电至高电平vgh-vth1,所述第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管构成的反相器输出低电平, 并通过第三薄膜晶体管传输到第二节点qb,需要说明此时第一电容电压为第一节点电压与恒 压低电平之差,等于vgh-vth1-vth7-vgl;第二电容电压为恒压高电平与恒压低电平之差, 等于vgh-vgl;
31.s2:进入t2阶段;
32.所述第二时钟控制信号sclk2(n)提供高电位,所述第一时钟控制信号sclk1(n)和启动 信号cout(n-2)提供低电位;所述第四薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、所述第八薄膜晶体管、 第十薄膜晶体管t4、t6、t8、t10打开,所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管、所述 第三薄膜晶体管、所述第五薄膜晶体管、所述第七薄膜晶体管、所述第九薄膜晶体管、所述 第十一薄膜晶体管t1、t2、t3、t5、t7、t9、t11关闭,所述第一节点q通过第一电容c1 耦合效应上升到高于vgh的电平2vgh-vgl-vth1-vth7-vth8,所述第三节点p电压为 2vgh-vgl-vth1-2vth7-vth8;使得第一薄膜晶体管、第七薄膜晶体管完全关闭,抑制第一节 点漏电;同时,第二节点qb通过第二电容c2的耦合效应,被下拉至低于vgl的电平 2vgl-vgh,使得第九薄膜晶体管、第十一薄膜晶体管完全关闭,抑制输出信号漏电;使得 第二薄膜晶体管完全关闭,进一步抑制第一节点漏电;
33.s3:进入t3阶段;
34.所述第一时钟控制信号sclk1(n)提供高电位,所述第二时钟控制信号sclk2(n)和启动 信号cout(n-2)提供低电位;所述第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、所述第四薄膜晶体管、 所述第七薄膜晶体管、所述第九薄膜晶体管、所述第十一薄膜晶体管t2、t3、t4、t7、t9、 t11打开,所述第一薄膜晶体管、所述第五薄膜晶体管、所述第六薄膜晶体管、所述第八薄 膜晶体管、所述第十薄膜晶体管t1、t5、t6、t8、t10关闭,所述第一节点q通过第七薄 膜晶体管、第二薄膜晶体管放电至低电平vgl,所述第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管构成 的反相器输出的高电平vgh通过第三薄膜晶体管传输到第二节点qb,第二节点电压等于 vgh-vth3;
35.s4:进入t4阶段;
36.所述第二时钟控制信号sclk2(n)提供高电位,所述第一时钟控制信号sclk1(n)和启动 信号cout(n-2)提供低电位;所述第二薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、所述第九薄膜晶体管、 第十一薄膜晶体管t2、t4、t9、t11打开,所述第一薄膜晶体管、所述第三薄膜晶体管、所 述第五薄膜晶体管、所述第六薄膜晶体管、所述第七薄膜晶体管、所述第八薄膜晶体管、所 述第十薄膜晶体管t1、t3、t5、t6、t7、t8、t10关闭,所述第一节点q保持低电平vgl, 所述第二节点qb没有放电路径,保持高电平vgh-vth3。
37.一种阵列基板,包括显示区和非显示区,所述非显示区设有所述的goa电路。
38.一种显示装置,包括所述的阵列基板。
39.本发明的有益效果在于:本发明能够在t2阶段自举并保持第一节点电压,使第一
节点漏 电路径的薄膜晶体管完全关闭,抑制第一节点漏电;同时将第二节点电压下拉至低于vgl的 电平,使下拉输出薄膜晶体管完全关闭,抑制输出信号向下拉输出薄膜晶体管漏电,解决了 传统电路第一节点漏电问题以及输出信号漏电问题,保证薄膜晶体管长期工作导致阈值电压 发生漂移后goa电路仍能正常工作,同时降低了goa电路的功耗。并且goa单元结构简 单,双边驱动goa电路单侧只需要两根时钟信号线,两根恒压电源线,有利于goa电路窄 边框化。
40.本发明的其他优点、目标和特征在某种程度上将在随后的说明书中进行阐述,并且在某 种程度上,基于对下文的考察研究对本领域技术人员而言将是显而易见的,或者可以从本发 明的实践中得到教导。本发明的目标和其他优点可以通过下面的说明书来实现和获得。
附图说明
41.为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本发明作优选的详 细描述,其中:
42.图1为本发明提供的显示面板的结构示意图;
43.图2为本发明提供的goa电路的时序图;
44.图3为本发明提供的11t2c goa单元的电路图;
45.图4为本发明提供的11t2c goa单元的时序图。
具体实施方式
46.以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式,本领域技术人员可由本说明书所揭露 的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加 以实施或应用,本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用,在没有背离本发明的精 神下进行各种修饰或改变。需要说明的是,以下实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本 发明的基本构想,在不冲突的情况下,以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。
47.其中,附图仅用于示例性说明,表示的仅是示意图,而非实物图,不能理解为对本发明 的限制;为了更好地说明本发明的实施例,附图某些部件会有省略、放大或缩小,并不代表 实际产品的尺寸;对本领域技术人员来说,附图中某些公知结构及其说明可能省略是可以理 解的。
48.本发明实施例的附图中相同或相似的标号对应相同或相似的部件;在本发明的描述中, 需要理解的是,若有术语“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”等指示的方位或位置关系为基 于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所 指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此附图中描述位置关系 的用语仅用于示例性说明,不能理解为对本发明的限制,对于本领域的普通技术人员而言, 可以根据具体情况理解上述术语的具体含义。
49.请参阅图1~图2,图1为本发明提供的显示面板的结构示意图,图2为本发明提供的goa电路的时序图。本发明提供的显示面板包括显示区域以及非显示区域,goa电路设置 在非显示区域。goa电路包括n级goa单元,n级goa单元分布在面板左右两侧,奇数 级goa单
元级联显示面板左侧,偶数级goa单元级联在显示面板右侧。比如,当n为偶数 时,第1级goa单元、第3级goa单元、第5级goa单元、
……
、第n-1级goa单元 在左侧级联设置;第2级goa单元、第4级goa单元、第6级goa单元、
……
、第n级 goa单元在右侧级联设置。奇数级goa单元接入第一时钟信号sclk1、第二时钟信号 sclk2、恒压高电平信号vgh以及恒压低电平信号vgl;偶数级goa单元接入第三时钟 信号sclk3、第四时钟信号sclk4、恒压高电平信号vgh以及恒压低电平信号vgl;第1 级goa单元由第一启动信号sin1启动,第2级goa单元由第二启动信号sin2启动。
50.在n个级联设置的goa单元中,第n-2级goa单元的输出信号作为第n级goa单元 的启动信号。例如,n为偶数时,在n/2个级联设置的奇数级goa单元中,第1级goa单 元的输出信号作为第3级goa单元的启动信号,以此类推,奇数级goa电路从第1级goa 单元至第n-1级goa单元依次启动;在n/2个级联设置的偶数级goa单元中,第2级goa 电路的输出信号作为第4级电路的启动信号,以此类推,偶数级goa电路从第2级goa单 元至第n级goa单元依次启动。
51.需要说明的是,第n级goa单元,(n-1)/2为偶数时,sclk1(n)与第一时钟信号sclk1 为同一信号,sclk2(n)与第二时钟信号sclk2为同一信号;(n-1)/2为奇数时,sclk1(n)与 第二时钟信号sclk2为同一信号,sclk2(n)与第一时钟信号sclk1为同一信号;n/2为奇 数时,sclk1(n)与第三时钟信号sclk3为同一信号,sclk2(n)与第四时钟信号sclk4为同 一信号;n/2为偶数时,sclk1(n)与第四时钟信号sclk4为同一信号,sclk2(n)与第三时钟 信号sclk3为同一信号;其中n为正整数。
52.请参阅图3~图4,图3为本发明设计的一种goa电路的第n级goa单元电路图,包 括:第一薄膜晶体管t1、第二薄膜晶体管t2、第三薄膜晶体管t3、第四薄膜晶体管t4、第 五薄膜晶体管t5、第六薄膜晶体管t6、第七薄膜晶体管t7、第八薄膜晶体管t8、第九薄膜 晶体管t9、第十薄膜晶体管t10、第十一薄膜晶体管t11、第一电容c1及第二电容c2。
53.具体连接方式为:
54.第一薄膜晶体管t1栅极接入启动信号cout(n-2),漏极电性连接于第三节点p,源极接入 恒压高电平信号vgh,其中cout(n-2)信号为上一级goa单元的输出信号;第二薄膜晶体管 t2栅极电性连接于第二节点qb,漏极电性连接于第三节点p,源极接入恒压低电平信号vgl; 第三薄膜晶体管t3栅极接入第一时钟控制信号sclk1(n),源极电性连接于第四薄膜晶体管t4的漏极,漏极电性连接于第二节点qb;第四薄膜晶体管t4栅极接入恒压高电平信号vgh, 源极接入恒压高电平信号vgh,漏极电性连接于第三薄膜晶体管t3的源极;第五薄膜晶体 管t5栅极接入第一时钟控制信号sclk1(n),源极接入恒压低电平信号vgl,漏极电性连接 于第三薄膜晶体管t3的源极;第六薄膜晶体管t6栅极电性连接于第一节点q,源极连接于 第二电容c2的一端,漏极电性连接于节点qb;第七薄膜晶体管t7栅极接入第一时钟控制 信号sclk1(n),源极电性连接于第三节点p,漏极电性连接于第一节点q;第八薄膜晶体管 t8栅极电性连接于第一节点q,源极接入第二时钟控制信号sclk2(n),漏极电性连接于第 九薄膜晶体管t9的漏极;第九薄膜晶体管t9栅极电性连接于第二节点qb,源极接入恒压 低电平信号vgl,漏极电性连接于第八薄膜晶体管t8的漏极;第十薄膜晶体管t10栅极电 性连接于第一节点q,源极接入第二时钟控制信号sclk2(n),漏极电性连接于第十一薄膜晶 体管t11的漏极;第十一薄膜晶体管t11栅极电性连接于第二节点qb,源极接入恒压
低电 平信号vgl,漏极电性连接于第十薄膜晶体管t10的漏极;第一电容c1一端电性连接于第 一节点q,另一端电性连接于第八薄膜晶体管t8的漏极;第二电容c2一端接入启动信号 cout(n-2),另一端电性连接于第六薄膜晶体管t6的源极;
55.优选的,第一、第二、第三、第四、第五、第六、第七、第八、第九、第十、第十一薄 膜晶体管t1、t2、t3、t4、t5、t6、t7、t8、t9、t10、t11可以为薄膜晶体管或场效应 管或其他特性相同的器件。由于这里采用的晶体管的源极、漏极是对称的,所以其源极、漏 极是可以互换的。按附图中的形态规定开关晶体管的中间端为栅极、信号输入端为源极、信 号输出端为漏极。
56.优选的,第一启动信号sin1、第二启动信号sin2、第一时钟信号sclk1、第二时钟信 号sclk2、第三时钟信号sclk3、第四时钟信号sclk4、恒压高电平信号vgh、恒压低电 平信号vgl均通过外部时序控制器提供。
57.如图3所示,启动信号cout(n-2)、第一时钟控制信号sclk1(n)、第二时钟控制信号 sclk2(n)相组合,先后对应t1阶段(1)、t2阶段(2)、t3阶段(3)、t4阶段(4); 其中第一时钟控制信号sclk1(n)、第二时钟控制信号sclk2(n)均为低电平时,电路呈保持 状态,保持上一阶段电路特性。
58.在t1阶段(1),所述第一时钟控制信号(sclk1(n))和启动信号(cout(n-2))提供高 电位,所述第二时钟控制信号(sclk2(n))提供低电位;所述第一薄膜晶体管、所述第三薄 膜晶体管、所述第四薄膜晶体管、所述第五薄膜晶体管、所述第六薄膜晶体管、所述第七薄 膜晶体管、所述第八薄膜晶体管、所述第十薄膜晶体管(t1、t3、t4、t5、t6、t7、t8、t10)打开,所述第二薄膜晶体管、第九薄膜晶体管、第十一薄膜晶体管(t2、t9、t11)关 闭,所述第一节点q通过第一薄膜晶体管、第七薄膜晶体管充电至高电平vgh-vth1-vth7, 所述第三节点p通过第一薄膜晶体管充电至高电平vgh-vth1,所述第四薄膜晶体管、第五 薄膜晶体管构成的反相器输出低电平,通过第三薄膜晶体管传输到第二节点qb,需要说明此 时第一电容电压为第一节点电压与恒压低电平之差,等于vgh-vth1-vth7-vgl;第二电容电 压为恒压高电平与恒压低电平之差,等于vgh-vgl。
59.在t2阶段(2),所述第二时钟控制信号(sclk2(n))提供高电位,所述第一时钟控制 信号(sclk1(n))和启动信号(cout(n-2))提供低电位;所述第四薄膜晶体管、第六薄膜晶 体管、所述第八薄膜晶体管、第十薄膜晶体管(t4、t6、t8、t10)打开,所述第一薄膜晶 体管、所述第二薄膜晶体管、所述第三薄膜晶体管、所述第五薄膜晶体管、所述第七薄膜晶 体管、所述第九薄膜晶体管、所述第十一薄膜晶体管(t1、t2、t3、t5、t7、t9、t11)关 闭,所述第一节点q通过第一电容c1耦合效应上升到高于vgh的电平 2vgh-vgl-vth1-vth7-vth8,所述第三节点p电压为2vgh-vgl-vth1-2vth7-vth8,使得第 一薄膜晶体管、第七薄膜晶体管完全关闭,抑制第一节点漏电。同时,第二节点qb通过第 二电容c2的耦合效应,被下拉至低于vgl的电平2vgl-vgh,使得第九薄膜晶体管、第十 一薄膜晶体管完全关闭,抑制输出信号漏电;使得第二薄膜晶体管完全关闭,进一步抑制第 一节点漏电。
60.在t3阶段(3),所述第一时钟控制信号(sclk1(n))提供高电位,所述第二时钟控制 信号(sclk2(n))和启动信号(cout(n-2))提供低电位;所述第二薄膜晶体管、第三薄膜晶 体管、所述第四薄膜晶体管、所述第七薄膜晶体管、所述第九薄膜晶体管、所述第十一薄膜 晶体管(t2、t3、t4、t7、t9、t11)打开,所述第一薄膜晶体管、所述第五薄膜晶体管、 所述第
六薄膜晶体管、所述第八薄膜晶体管、所述第十薄膜晶体管(t1、t5、t6、t8、t10) 关闭,所述第一节点q通过第七薄膜晶体管、第二薄膜晶体管放电至低电平vgl,所述第四 薄膜晶体管、第五薄膜晶体管构成的反相器输出的高电平vgh通过第三薄膜晶体管传输到 第二节点qb,第二节点电压等于vgh-vth3。
61.在t4阶段(4),所述第二时钟控制信号(sclk2(n))提供高电位,所述第一时钟控制 信号(sclk1(n))和启动信号(cout(n-2))提供低电位;所述第二薄膜晶体管、第四薄膜晶 体管、所述第九薄膜晶体管、第十一薄膜晶体管(t2、t4、t9、t11)打开,所述第一薄膜 晶体管、所述第三薄膜晶体管、所述第五薄膜晶体管、所述第六薄膜晶体管、所述第七薄膜 晶体管、所述第八薄膜晶体管、所述第十薄膜晶体管(t1、t3、t5、t6、t7、t8、t10)关 闭,所述第一节点q保持低电平vgl,所述第二节点qb没有放电路径,保持高电平 vgh-vth3。
62.本实施例设计的第n级goa单元的驱动方法,具体包括如下步骤:
63.步骤1,提供如图3所示的11t2c结构的goa单元;
64.步骤2,进入t1阶段:
65.结合图3和图4,第一时钟控制信号(sclk1(n))和启动信号(cout(n-2))提供高电位, 第二时钟控制信号(sclk2(n))提供低电位;第一薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜 晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、第七薄膜晶体管、第八薄膜晶体管、第十薄膜 晶体管(t1、t3、t4、t5、t6、t7、t8、t10)打开,第二薄膜晶体管、第九薄膜晶体管、 第十一薄膜晶体管(t2、t9、t11)关闭,第一节点q通过第一薄膜晶体管、第七薄膜晶体 管充电至高电平vgh-vth1-vth7,第三节点p通过第一薄膜晶体管充电至高电平vgh-vth1, 第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管构成的反相器输出低电平,通过第三薄膜晶体管传输到第 二节点qb,需要说明此时第一电容电压为第一节点电压与恒压低电平之差,等于 vgh-vth1-vth7-vgl;第二电容电压为恒压高电平与恒压低电平之差,等于vgh-vgl,此 阶段输出信号为第二时钟信号sclk2的低电平。
66.步骤3,进入t2阶段:
67.结合图3和图4,第二时钟控制信号sclk2(n)提供高电位,第一时钟控制信号sclk1(n) 和启动信号cout(n-2)提供低电位;第四薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、第八薄膜晶体管、第 十薄膜晶体管(t4、t6、t8、t10)打开,第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶 体管、第五薄膜晶体管、第七薄膜晶体管、第九薄膜晶体管、第十一薄膜晶体管(t1、t2、 t3、t5、t7、t9、t11)关闭,第一节点q通过第一电容c1的耦合效应上升到高于vgh的 电平2vgh-vgl-vth1-vth7-vth8,第三节点p电压为2vgh-vgl-vth1-2vth7-vth8,因此 vgs_t1《0、vgs_t7《0,使第一薄膜晶体管、第七薄膜晶体管完全关闭,第一节点q没有漏 电路径,抑制第一节点q漏电,使得第一节点q电压得到保持。同时,第二节点qb通过第 二电容c2的耦合效应,被下拉至低于vgl的电平2vgl-vgh,使得vgs_t9《0、vgs_t2《0、 vgs_t10《0,使第九薄膜晶体管、第十一薄膜晶体管t完全关闭,抑制第九薄膜晶体管、第 十一薄膜晶体管漏电,由此抑制输出信号通过第九薄膜晶体管、第十一薄膜晶体管漏电;同 时vgs_t2《0,使得第二薄膜晶体管完全关闭,进一步抑制第一节点q漏电。因此11t2c goa 单元解决了第一节点漏电以及输出信号漏电问题,goa电路能够实现全摆幅输出,此阶段输 出信号为第二时钟信号sclk2的高电平。
68.步骤4,进入t3阶段:
69.结合图3和图4,第一时钟控制信号sclk1(n)提供高电位,第二时钟控制信号sclk2(n) 和启动信号cout(n-2)提供低电位;第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第 七薄膜晶体管、第九薄膜晶体管、第十一薄膜晶体管(t2、t3、t4、t7、t9、t11)打开, 第一薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、第八薄膜晶体管、第十薄膜晶体管(t1、 t5、t6、t8、t10)关闭,第一节点q通过第七薄膜晶体管、第二薄膜晶体管放电至低电平 vgl,第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管构成的反相器输出的高电平vgh通过第五薄膜晶 体管传输到第二节点qb,此阶段输出信号为恒压低电平vgl。
70.步骤5,进入t4阶段:
71.结合图3和图4,第二时钟控制信号sclk2(n)提供高电位,第一时钟控制信号sclk1(n) 和启动信号cout(n-2)提供低电位;第二薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、所述第九薄膜晶体管、 第十一薄膜晶体管(t2、t4、t9、t11)打开,第一薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第五薄 膜晶体管、第六薄膜晶体管、第七薄膜晶体管、第八薄膜晶体管、第十薄膜晶体管(t1、t3、 t5、t6、t7、t8、t10)关闭,第一节点q保持低电平vgl,第二节点qb没有漏电路径, 保持高电平vgh-vth3,此阶段输出信号仍为恒压低电平vgl。
72.综上所述,本发明提供的goa电路,其是由n级goa单元双边驱动方式级联而成。 goa单元采用11t2c结构并搭配了有特定的驱动时序,通过在第一薄膜晶体管漏级与第一 节点q之间设置第七薄膜晶体管,且第七薄膜晶体管栅极连接于第一时钟控制信号,从而在 t2阶段使第一薄膜晶体管栅源电压与阈值电压之差、第七薄膜晶体管栅源电压与阈值电压之 差为负值,使得第一薄膜晶体管、第七薄膜晶体管完全关闭,进而在goa电路处于输出阶 段时,抑制第一节点q漏电;通过抑制第一节点漏电,使得第八薄膜晶体管、第十薄膜晶体 管栅极电压保持得以快速充电;通过在第六薄膜晶体管与启动信号之间增加第二电容,在t2 阶段使第二节点qb电位下拉到低于恒压低电平信号电位,使第九薄膜晶体管、第十一薄膜 晶体管完全关闭,抑制第九薄膜晶体管、第十一薄膜晶体管漏电;通过抑制第九薄膜晶体管、 第十一薄膜晶体管漏电,使得在goa电路处于输出阶段时,抑制输出信号漏电。从而解决 了传统goa电路第一节点漏电及输出信号漏电问题,保证goa电路在晶体管阈值电压漂移 后仍能正常工作,同时降低了goa电路功耗。并且goa单元结构简单,双边驱动goa电 路单侧只需要两根时钟信号线,两根恒压电平信号线,有利于goa电路窄边框化。
73.最后说明的是,以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制,尽管参照较佳实施 例对本发明进行了详细说明,本领域的普通技术人员应当理解,可以对本发明的技术方案进 行修改或者等同替换,而不脱离本技术方案的宗旨和范围,其均应涵盖在本发明的权利要求 范围当中。
再多了解一些

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