一种SiC功率器件衬底切割设备的制作方法

本技术涉及半导体加工，尤其涉及一种sic功率器件衬底切割设备。

背景技术：

1、sic功率器件是一种半导体器件，它是由硅和碳组成的复合材料，具有高热导率、高电导率、高绝缘强度和高耐压能力等优点。

2、现有的碳化硅功率器件只能在碳化硅衬底上进行制造，而碳化硅切割，也称划片，是芯片制造工艺流程中一道不可或缺的工序，即通过切割技术将做好芯片的整片碳化硅晶圆进行分割，从而形成独立的单颗晶片，为后续工序做准备。

3、现有的碳化硅衬底在制备切割时，一般采用激光切割机进行切割，现有的激光切割机在切割过程中可能会产生切割碎片，切割完毕后需要清理以确保下次切割的切割质量。

4、而现有的激光切割机在切割晶圆时，一般利用抽风除尘机配合排渣机将切割碎片回收，但是在放置晶圆时，需要将晶圆放置在加工台中，为了保证晶圆的切割稳定性，加工台上一般设有夹持件，切割碎片会落到加工台以及夹持件上，仅仅利用抽风吸尘机并不能快速高效的将切割碎片进行收集，收集速度较慢，遇到碎片与夹持件发生卡合的时候，甚至需要人工进行辅助收集，影响切割效率。

技术实现思路

1、本实用新型所要解决的技术问题是仅仅利用抽风吸尘机并不能快速高效的将切割碎片进行收集，收集速度较慢，遇到碎片与夹持件发生卡合的时候，甚至需要人工进行辅助收集，影响切割效率。

2、本实用新型解决上述技术问题的技术方案如下：一种sic功率器件衬底切割设备，包括机架，机架内部设有加工台，机架内靠近所述加工台一侧的位置设有吸尘槽，吸尘槽靠近加工台的一侧设有吸尘口，加工台靠近吸尘槽的一侧与机架转动连接，机架在加工台的侧边位置设有偏转驱动组件，所述偏转驱动组件用于驱使所述加工台的另一侧上下偏转移动，以使所述加工台倾斜或水平。

3、在上述技术方案的基础上，本实用新型还可以做如下改进。

4、进一步，所述偏转驱动组件包括配合块和气缸，所述气缸设置于所述加工台的外部，气缸的活塞杆与所述配合块连接，所述加工台一端边缘设有开口朝下的配合槽，所述配合槽顶壁的一侧设为平直段，配合槽顶壁的中部至另一侧设为高度逐渐降低的弧面段，所述配合块与所述配合槽的顶壁接触，所述气缸用于驱使所述配合块沿着所述配合槽的顶壁在两侧之间往复移动。

5、进一步，所述配合块顶端两侧为弧形面。

6、进一步，所述机架内部设有吸尘装置，吸尘装置与吸尘槽的内腔连通，所述加工台内部设有腔体，加工台一侧开设有连通其腔体的排渣孔，加工台表面设有多个连通其腔体的漏孔。

7、进一步，所述加工台上方设有夹持组件，用于对碳化硅晶圆进行夹持。

8、进一步，所述加工台一侧通过转轴与机架转动连接，所述转轴处装设有扭力弹簧。

9、进一步，所述夹持组件包括电动推杆和夹块，加工台表面开设有两条交叉的滑槽，每条所述滑槽的两端均滑动装设有所述夹块，所述加工台内腔中分别装有与所述夹块一一对应的所述电动推杆，所述电动推杆与对应的所述夹块连接，并用于驱使所述夹块沿着对应的所述滑槽移动。

10、进一步，所述机架内部在加工台的上方处设有激光切割组件。

11、进一步，所述配合槽在弧面段处设有多个凸点。

12、进一步，相邻的所述凸点之间的距离大于配合块顶端的宽度。

技术特征：

1.一种sic功率器件衬底切割设备，其特征在于，包括机架（1），机架（1）内部设有加工台（2），机架（1）内靠近所述加工台（2）一侧的位置设有吸尘槽（6），吸尘槽（6）靠近加工台的一侧设有吸尘口，加工台（2）靠近吸尘槽（6）的一侧与机架（1）转动连接，机架（1）在加工台（2）的侧边位置设有偏转驱动组件，所述偏转驱动组件用于驱使所述加工台（2）的另一侧上下偏转移动，以使所述加工台（2）倾斜或水平。

2.根据权利要求1所述一种sic功率器件衬底切割设备，其特征在于，所述偏转驱动组件包括配合块（401）和气缸（402），所述气缸（402）设置于所述加工台（2）的外部，气缸（402）的活塞杆与所述配合块（401）连接，所述加工台（2）一端边缘设有开口朝下的配合槽（203），所述配合槽（203）顶壁的一侧设为平直段，配合槽（203）顶壁的中部至另一侧设为高度逐渐降低的弧面段，所述配合块（401）与所述配合槽（203）的顶壁接触，所述气缸（402）用于驱使所述配合块（401）沿着所述配合槽（203）的顶壁在两侧之间往复移动。

3.根据权利要求 2 所述一种sic功率器件衬底切割设备，其特征在于，所述配合块（401）顶端两侧为弧形面。

4.根据权利要求 1 所述一种sic功率器件衬底切割设备，其特征在于，所述机架（1）内部设有吸尘装置，吸尘装置与吸尘槽（6）的内腔连通，所述加工台（2）内部设有腔体，加工台（2）一侧开设有连通其腔体的排渣孔（202），加工台（2）表面设有多个连通其腔体的漏孔（201）。

5.根据权利要求 1 所述一种sic功率器件衬底切割设备，其特征在于，所述加工台（2）上方设有夹持组件（3），用于对碳化硅晶圆进行夹持。

6.根据权利要求 1所述一种sic功率器件衬底切割设备，其特征在于，所述加工台（2）一侧通过转轴与机架（1）转动连接，所述转轴处装设有扭力弹簧。

7.根据权利要求 5 所述一种sic功率器件衬底切割设备，其特征在于，所述夹持组件（3）包括电动推杆（302）和夹块（301），加工台（2）表面开设有两条交叉的滑槽，每条所述滑槽的两端均滑动装设有所述夹块（301），所述加工台（2）内腔中分别装有与所述夹块（301）一一对应的所述电动推杆（302），所述电动推杆（302）与对应的所述夹块（301）连接，并用于驱使所述夹块（301）沿着对应的所述滑槽移动。

8.根据权利要求 1 所述一种sic功率器件衬底切割设备，其特征在于，所述机架（1）内部在加工台（2）的上方处设有激光切割组件（5）。

9.根据权利要求 2 所述一种sic功率器件衬底切割设备，其特征在于，所述配合槽（203）在弧面段处设有多个凸点（7）。

10.根据权利要求 9 所述一种sic功率器件衬底切割设备，其特征在于，相邻的所述凸点（7）之间的距离大于配合块（401）顶端的宽度。

技术总结本技术涉及一种SiC功率器件衬底切割设备，包括机架，机架内部设有加工台，机架内靠近所述加工台一侧的位置设有吸尘槽，吸尘槽靠近加工台的一侧设有吸尘口，加工台一侧与机架转动连接，机架在加工台的侧边位置设有偏转驱动组件，所述偏转驱动组件用于驱使所述加工台的另一侧上下偏转移动，以使所述加工台倾斜或水平。本技术可以通过偏转驱动组件将加工台2顶升偏转，从而利用加工台2的偏转，改变内部的切割碎片的位置，增加切割碎片的快速掉落的可能性，从而使切割碎片能被更加快速的回收。技术研发人员：梁承东,戴锋,华剑锋受保护的技术使用者：四川新能源汽车创新中心有限公司技术研发日：20231024技术公布日：2024/6/5