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一种碳化硅外延衬底片精密装片装置的制作方法
本技术涉及一种碳化硅外延衬底片精密装片装置。背景技术：1、半导体行业作为现代电子信息产业的基础，是支撑国民经济高质量发展的重要行业。第三代半导体指的是碳化硅（sic）、氮化镓（gan）等具有宽禁带（e......
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一种氮化铝单晶衬底的制备方法与流程
本发明涉及陶瓷材料，具体涉及一种氮化铝单晶衬底的制备方法。背景技术：1、第三代半导体具备的宽禁带特性使得以其为基础的器件具有一系列优点，例如耐高压、抗击穿、抗辐照、宽光学窗口等。由此可知，发展新型宽禁......
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用于将管芯与半导体衬底分离的方法与流程
本公开涉及一种用于将管芯与半导体衬底分离的方法，特别地涉及一种用于沿着由半导体衬底的变型定义的分离区域将管芯彼此分离的方法。背景技术：1、晶片成本构成半导体装置的总生产成本的显著比例。减小这些成本产生......
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低电阻率的基于多晶体的衬底或晶片的制作方法
本公开涉及具有低电阻率和低翘曲度的基于碳化硅的衬底和晶片。背景技术：1、半导体行业一直对碳化硅(sic)表现出相当大的关注度，特别是用于制造电子器件或部件(例如，二极管、晶体管或其他相似功率应用)的碳......
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衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质与流程
本发明涉及衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。背景技术：1、作为半导体器件的制造工序之一，有在衬底的表面形成膜的工序(例如参见专利文献1)。2、现有技术文献3、专利文献4、专利......
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一种用于碳化硅衬底研磨用单晶钻石液的制备方法与流程
本发明涉及研磨液，更具体地说，涉及一种用于碳化硅衬底研磨用单晶钻石液的制备方法。背景技术：1、碳化硅衬底是一种用于制造半导体器件的基础材料，它主要由碳化硅单晶体构成，具有许多优良的物理特性，使其在高功......
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一种绝缘体上半导体衬底及其制作方法与流程
本发明属于半导体集成电路制造领域，涉及一种绝缘体上半导体衬底及其制作方法。背景技术：1、硅基电力电子器件由于其材料特性的限制，已经无法满足如今电力电子领域对于半导体器件的高性能要求。基于此，以碳化硅(......
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设置在柔性电路衬底上的天线和电磁屏蔽件的制作方法
本公开涉及设置在柔性电路衬底上的天线和电磁屏蔽件，例如设置在柔性电路衬底上的无线功率发射器的近场天线和电磁干扰(emi)屏蔽件。背景技术：1、一些无线功率发射器(诸如由加利福尼亚州库比蒂诺的苹果公司开......
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一种半导体衬底缺陷的检测装置及方法与流程
本发明涉及半导体，尤其涉及一种半导体衬底缺陷的检测装置及方法。背景技术：1、由于对半导体衬底的缺陷进行检测是确保半导体器件高性能、高可靠性和高良率的关键步骤，对于提升生产效率和满足市场需求具有重要意义......
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一种压电异质衬底结构及制备方法与流程
本技术涉及半导体，特别涉及一种压电异质衬底结构及制备方法。背景技术：1、铌酸锂与钽酸锂是集压电、铁电、热释电、声光及电光等性能于一体的多功能晶体材料，在声波器件、光通讯、激光及光电子等领域中有着广泛的......
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衬底的制备方法及其在纳米线生长中的应用
本发明属于集成电路领域，尤其涉及一种用于构建高质量集成电路的衬底的制备方法与应用。背景技术：1、随着集成电路器件尺寸的微缩，在量子效应的限制下，传统二维的器件排布模式逐渐面临着集成度达到极限，隔离工艺......
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一种新型反接保护衬底选择电路的制作方法
本发明涉及集成电路领域，具体涉及一种新型反接保护衬底选择电路。背景技术：1、在风扇驱动芯片和电机驱动芯片测试过程中，有电源反接的测试，这个时候要求反接之后的芯片不会烧毁。2、在电路设计中，则需要根据这......
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一种G@Ag@PSB复合SERS衬底及其制备方法、应用与流程
本发明具体涉及一种g@ag@psb复合sers衬底及其制备方法、应用。背景技术：1、活性氧(ros)是细胞代谢的副产物。氧化应激(os)是由ros的过量积累产生的。许多疾病，包括糖尿病肾病、类风湿关节......
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用于在衬底的表面上沉积硅锗的应变松弛渐变缓冲层的方法与流程
本发明涉及一种用于在衬底的表面上沉积硅锗的应变松弛渐变缓冲层(或称作应变弛豫分级缓冲层)的方法，所述表面由硅构成，所述缓冲层具有直至最终含量的渐增的锗含量。背景技术：1、硅锗或简称sige为根据式si......
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配置用于布置在衬底处理设备的反应室内的注射器的制作方法
本发明涉及一种注射器，其配置用于布置在衬底处理设备的反应室内，以将气体注入反应室中。注射器可以沿着第一轴线大致伸长，并且配置有沿着第一轴线延伸的内部气体传导通道，并且设置有至少一个气体入口和至少一个气......
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包括内部压力控制设备的衬底处理设备的制作方法
本公开涉及一种用于控制处理半导体衬底的衬底处理设备的内部压力的内部压力控制设备以及包括该内部压力控制设备的衬底处理设备。背景技术：1、随着诸如v-nand的闪速存储器产品的产生演进到增加堆叠层级的数量......
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一种复合衬底、半导体结构及复合衬底的制备方法与流程
本发明涉及半导体，尤其涉及一种复合衬底、半导体结构及复合衬底的制备方法。背景技术：1、随着gan基器件技术的发展和应用，目前世界上的通用照明和发光领域，基本为gan基器件所垄断。由于缺少gan单晶al......
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一种基于飞秒激光刻蚀的网格导电窗口衬底加工方法
本发明涉及导电窗口衬底的制备方法，具体涉及一种基于飞秒激光刻蚀的网格导电窗口衬底加工方法。背景技术：1、用于薄膜太阳能电池、真空电子源、真空像增强管及其它光电探测器件的光敏感介质材料，其在吸收外部辐射......
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包括目标装置的衬底、相关图案形成装置和计量方法与流程
本发明涉及一种用于光刻工艺计量的目标装置以及一种测量光刻工艺参数的方法。背景技术：1、光刻设备是一种将期望图案施加到衬底上(通常是衬底的目标部分上)的机器。光刻设备可用于制造集成电路(ic)。在这种情......
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用于水平传感器的投射单元、监测衬底的高度的方法、和包括投射单元的光刻系统与流程
本发明涉及投射单元、监测高度的方法和包括投射单元的光刻系统。投射单元可以用于水平传感器中或应用于另一种量测组件。水平传感器可以适于测量例如光刻设备中的晶片、衬底或掩模版的表面的高度。背景技术：1、光刻......
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一种用于碳化硅衬底研磨用团聚钻石液的制备方法与流程
本发明涉及碳化硅衬底抛光工艺，更具体地说，涉及一种用于碳化硅衬底研磨用团聚钻石液的制备方法。背景技术：1、碳化硅是一种广泛用于各种应用领域的人工合成材料，其具有许多独特的性质和应用优势。碳化硅由碳和硅......
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修复衬底的warp值的设备及方法与流程
本公开涉及晶片的生产设备，具体涉及一种修复衬底的warp值的设备及方法。背景技术：1、碳化硅衬底是制造电气器件的基片材料，warp指标在碳化硅衬底制造过程中非常重要，warp值的大小直接影响制造设备的......
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一种复合衬底、半导体器件结构及其制备方法与流程
本申请涉及半导体，具体涉及一种复合衬底、半导体器件结构及其制备方法。背景技术：1、目前市场上的fd-soi技术即全耗尽型soi技术，也写成etsoi即超薄型soi，具有非常强的竞争力，fd-soi是下......
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用于硅基衬底模组边缘检测的检测装置及其系统和方法与流程
本披露一般涉及检测。更具体地，本披露涉及一种用于硅基衬底模组边缘检测的检测装置及其系统和方法。背景技术：1、在目前的微型显示器件中，例如microoled模组等硅基衬底模组较为常见，此类模组以单晶硅作......
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生长在GaAs(115)A衬底上的多层InGaAs量子点层
本技术涉及半导体量子点领域，特别涉及一种gaas(115)a衬底上的多层ingaas量子点层。背景技术：1、随着制备高质量自组织量子点技术的发展，半导体量子点在量子光学、单光子光源、量子通信等方面的应......
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