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用于在衬底的表面上沉积硅锗的应变松弛渐变缓冲层的方法与流程
本发明涉及一种用于在衬底的表面上沉积硅锗的应变松弛渐变缓冲层(或称作应变弛豫分级缓冲层)的方法，所述表面由硅构成，所述缓冲层具有直至最终含量的渐增的锗含量。背景技术：1、硅锗或简称sige为根据式si......
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配置用于布置在衬底处理设备的反应室内的注射器的制作方法
本发明涉及一种注射器，其配置用于布置在衬底处理设备的反应室内，以将气体注入反应室中。注射器可以沿着第一轴线大致伸长，并且配置有沿着第一轴线延伸的内部气体传导通道，并且设置有至少一个气体入口和至少一个气......
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包括内部压力控制设备的衬底处理设备的制作方法
本公开涉及一种用于控制处理半导体衬底的衬底处理设备的内部压力的内部压力控制设备以及包括该内部压力控制设备的衬底处理设备。背景技术：1、随着诸如v-nand的闪速存储器产品的产生演进到增加堆叠层级的数量......
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一种复合衬底、半导体结构及复合衬底的制备方法与流程
本发明涉及半导体，尤其涉及一种复合衬底、半导体结构及复合衬底的制备方法。背景技术：1、随着gan基器件技术的发展和应用，目前世界上的通用照明和发光领域，基本为gan基器件所垄断。由于缺少gan单晶al......
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一种基于飞秒激光刻蚀的网格导电窗口衬底加工方法
本发明涉及导电窗口衬底的制备方法，具体涉及一种基于飞秒激光刻蚀的网格导电窗口衬底加工方法。背景技术：1、用于薄膜太阳能电池、真空电子源、真空像增强管及其它光电探测器件的光敏感介质材料，其在吸收外部辐射......
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包括目标装置的衬底、相关图案形成装置和计量方法与流程
本发明涉及一种用于光刻工艺计量的目标装置以及一种测量光刻工艺参数的方法。背景技术：1、光刻设备是一种将期望图案施加到衬底上(通常是衬底的目标部分上)的机器。光刻设备可用于制造集成电路(ic)。在这种情......
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用于水平传感器的投射单元、监测衬底的高度的方法、和包括投射单元的光刻系统与流程
本发明涉及投射单元、监测高度的方法和包括投射单元的光刻系统。投射单元可以用于水平传感器中或应用于另一种量测组件。水平传感器可以适于测量例如光刻设备中的晶片、衬底或掩模版的表面的高度。背景技术：1、光刻......
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一种用于碳化硅衬底研磨用团聚钻石液的制备方法与流程
本发明涉及碳化硅衬底抛光工艺，更具体地说，涉及一种用于碳化硅衬底研磨用团聚钻石液的制备方法。背景技术：1、碳化硅是一种广泛用于各种应用领域的人工合成材料，其具有许多独特的性质和应用优势。碳化硅由碳和硅......
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修复衬底的warp值的设备及方法与流程
本公开涉及晶片的生产设备，具体涉及一种修复衬底的warp值的设备及方法。背景技术：1、碳化硅衬底是制造电气器件的基片材料，warp指标在碳化硅衬底制造过程中非常重要，warp值的大小直接影响制造设备的......
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一种复合衬底、半导体器件结构及其制备方法与流程
本申请涉及半导体，具体涉及一种复合衬底、半导体器件结构及其制备方法。背景技术：1、目前市场上的fd-soi技术即全耗尽型soi技术，也写成etsoi即超薄型soi，具有非常强的竞争力，fd-soi是下......
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用于硅基衬底模组边缘检测的检测装置及其系统和方法与流程
本披露一般涉及检测。更具体地，本披露涉及一种用于硅基衬底模组边缘检测的检测装置及其系统和方法。背景技术：1、在目前的微型显示器件中，例如microoled模组等硅基衬底模组较为常见，此类模组以单晶硅作......
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生长在GaAs(115)A衬底上的多层InGaAs量子点层
本技术涉及半导体量子点领域，特别涉及一种gaas(115)a衬底上的多层ingaas量子点层。背景技术：1、随着制备高质量自组织量子点技术的发展，半导体量子点在量子光学、单光子光源、量子通信等方面的应......
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一种金刚石用抛光液及金刚石衬底的抛光方法与流程
本申请涉及一种金刚石用抛光液及金刚石衬底的抛光方法，属于金刚石抛光。背景技术：1、金刚石作为一种具有极高硬度和硬脆特性的材料，广泛应用于各个领域，如电子、光学、工具加工等。目前需要对金刚石晶体进行切割......
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一种金刚石用研磨液及金刚石衬底的研磨方法与流程
本技术涉及一种金刚石用研磨液及金刚石衬底的研磨方法，属于金刚石研磨。背景技术：1、金刚石作为一种具有极高硬度和硬脆特性的材料，广泛应用于各个领域，如电子、光学、工具加工等。目前需要对金刚石晶体进行切割......
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压力控制设备和包括该压力控制设备的衬底处理装置的制作方法
本公开涉及一种压力控制设备以及包括该压力控制设备的衬底处理装置。背景技术：1、设置在喷墨头中的喷墨嘴将数纳克至数十纳克的微细液滴喷射到衬底上，以形成具有几微米厚度的薄膜。因此，需要精确地控制喷射的油墨......
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一种基于蜂窝衬底的人员健康监测柔性电子器件
本发明涉及港口等特种作业区域，更具体地说，涉及一种用于港口安全检测系统港口等特种作业区域的人员健康监测柔性电子器。背景技术：1、随着经济的发展，各类交通运输行业得到了飞速发展。港口等特殊作业区域作为海......
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形成于p型衬底中的深N阱内的非易失性存储器单元阵列的制作方法
本发明公开了用于形成于p型衬底中的深n阱中的p阱中的非易失性存储器单元阵列的许多实施例。在擦除操作期间，向p阱施加负电压，这减少了擦除阵列中的单元所需的峰值正电压。背景技术：1、不同类型的非易失性存储......
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一种以铸锭单晶硅片为衬底的背接触电池及其制作方法与流程
本发明属于背接触电池，具体涉及一种以铸锭单晶硅片为衬底的背接触电池及其制作方法。背景技术：1、现有的背接触电池中采用的硅片一般为单晶硅片，单晶硅片的成本相对较高，在电池的制作过程中，若采用高成本的衬底......
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一种碳化硅衬底激光热沉基板的制作工艺的制作方法
本发明涉及半导体，具体是一种碳化硅衬底激光热沉基板的制作工艺。背景技术：1、随着微电子封装产业的快速发展，半导体激光器输出功率要求越来越高，随之附加的热量也越来越多。另外激光器封装结构的小型化、集成化......
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减少FDSOI器件锗硅衬底损失的方法与流程
本发明涉及半导体制造，特别是涉及减少fdsoi器件锗硅衬底损失的方法。背景技术：1、fdsoi器件中将pmos区域的硅衬底替换成锗硅合金，形成绝缘体上锗硅(sgoi)结构，用于提高载流子迁移率以及减少......
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SOI衬底结构及其制备方法
本发明涉及半导体器件领域，特别是涉及一种soi衬底及其制备方法。背景技术：1、射频(radio frequency，rf)器件需要保持较高的信号传输效率，保持较小的信号损耗，射频器件周围的衬底材料需要......
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一种桥链型图形化衬底的制备方法及桥链型图形化衬底与流程
本发明实施例涉及半导体制造，尤其涉及一种桥链型图形化衬底的制备方法及桥链型图形化衬底。背景技术：1、pss技术是通过微加工方式对蓝宝石表面进行处理，以得到具有一定周期性图案结构。图案界面能改变到达ga......
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衬底和发光二极管的制作方法
本公开涉及光电子制造，特别涉及一种衬底和发光二极管。背景技术：1、发光二极管(英文：light emitting diode，简称：led)作为光电子产业中极具影响力的新产品，具有体积小、使用寿命长、......
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SOI衬底结构及其制备方法
本发明涉及半导体器件领域，特别是涉及一种soi衬底结构及其制备方法。背景技术：1、射频(radio frequency，rf)器件需要保持较高的信号传输效率，保持较小的信号损耗，射频器件周围的衬底材料......
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用于释放外延材料应力的衬底和发光二极管的制作方法
本公开涉及光电子制造，特别涉及一种用于释放外延材料应力的衬底和发光二极管。背景技术：1、发光二极管(英文：light emitting diode，简称：led)作为光电子产业中极具影响力的新产品，具......
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一种基于EPA（EffectiveProjectedArea有效投影面积）的铁塔租赁方案的制作方法
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