包括内部压力控制设备的衬底处理设备的制作方法

本公开涉及一种用于控制处理半导体衬底的衬底处理设备的内部压力的内部压力控制设备以及包括该内部压力控制设备的衬底处理设备。

背景技术：

1、随着诸如v-nand的闪速存储器产品的产生演进到增加堆叠层级的数量，由于半导体衬底的各个区域之间的蚀刻速率(e/r)差异而导致出现缺陷问题。这个问题是由于被划分成东西方向和南北方向的各个区域之间的e/r差异以及被划分成中心区域、中间区域和边缘区域的半径区域之间的e/r差异而引起的。

技术实现思路

1、本公开的目的是提供能够均匀地处理半导体衬底的上表面的内部压力控制设备和包括该内部压力控制设备的衬底处理设备。

2、然而，本公开的各方面不限于本文所阐述的那些。通过参考下面给出本公开的详细描述，本公开的上述和其它方面对于本公开所属领域的普通技术人员来说将变得更加显而易见。

3、根据本公开的一些方面，一种衬底处理设备包括：腔室壳体，其包括排气孔，该排气孔被配置为排出流入其中的处理气体；衬底支撑单元，其位于腔室壳体内部，衬底支撑单元被配置为支撑半导体衬底；处理气体供应单元，其被配置为将处理气体提供到腔室壳体的内部；等离子体产生单元，其被配置为通过使用处理气体在腔室壳体内部产生等离子体；以及内部压力控制设备，其被配置为控制腔室壳体的内部压力，该内部压力控制设备包括环体，该环体围绕衬底支撑单元并且被设置为一体，内部压力控制设备被配置为控制环体的姿势，使得流入腔室壳体中的处理气体的排出量被控制。

4、根据本公开的一些方面，一种衬底处理设备包括：腔室壳体，其包括排气孔，该排气孔被配置为排出流入其中的处理气体；衬底支撑单元，其位于腔室壳体内部，该衬底支撑单元被配置为支撑半导体衬底；处理气体供应单元，其被配置为将处理气体提供到腔室壳体的内部；等离子体产生单元，其被配置为通过使用处理气体在腔室壳体内部产生等离子体；以及内部压力控制设备，其位于腔室壳体内部，该内部压力控制设备包括：环体，其安装在衬底支撑单元周围，该衬底支撑单元被配置为支撑半导体衬底，并且该环体被设置为一体；第一驱动单元，其通过第一连接构件连接到环体的一侧；以及第二驱动单元，其通过第二连接构件连接到环体的另一侧，内部压力控制设备，其被配置为基于控制环体的姿势来控制处理半导体衬底的空间的压力。

5、根据本公开的一些方面，一种衬底处理设备包括：腔室壳体，其包括排气孔，该排气孔被配置为排出流入其中的处理气体；衬底支撑单元，其位于腔室壳体内部，被配置为支撑半导体衬底；处理气体供应单元，其被配置为将处理气体提供到腔室壳体的内部；等离子体产生单元，其被配置为通过使用处理气体在腔室壳体内部产生等离子体；以及内部压力控制设备，其被配置为控制腔室壳体的内部压力，该内部压力控制设备包括环体，其围绕衬底支撑单元并且被设置为一体；第一驱动单元，其通过第一连接构件连接到环体的一侧；以及第二驱动单元，其通过第二连接构件连接到环体的另一侧，并且内部压力控制设备被配置为通过使环体倾斜来控制环体的姿势，并且控制流入腔室壳体的处理气体的排出量，内部压力控制设备被配置为根据半导体衬底的处理时间来控制腔室壳体的内部压力，该处理时间包括多个周期，内部压力控制设备被配置为针对每个周期均匀地控制腔室壳体的内部压力，并且通过在两个不同的周期之间改变腔室壳体的内部压力来控制腔室壳体的内部压力，并且第一驱动单元和第二驱动单元独立地控制环体。

技术特征：

1.一种衬底处理设备，包括：

2.根据权利要求1所述的衬底处理设备，其中，所述内部压力控制设备被配置为通过使所述环体倾斜来控制所述环体的姿势。

3.根据权利要求1所述的衬底处理设备，其中，所述内部压力控制设备被配置为通过沿着所述衬底支撑单元的高度方向移动所述环体来控制所述环体的姿势。

4.根据权利要求1所述的衬底处理设备，其中，所述内部压力控制设备针对每个区域控制所述腔室壳体的内部压力。

5.根据权利要求1所述的衬底处理设备，其中，所述内部压力控制设备被配置为根据所述半导体衬底的处理时间来控制所述腔室壳体的内部压力。

6.根据权利要求5所述的衬底处理设备，其中，所述处理时间包括多个周期，并且

7.根据权利要求5所述的衬底处理设备，其中，所述处理时间包括多个周期，并且

8.根据权利要求1所述的衬底处理设备，其中，所述内部压力控制设备还包括：

9.根据权利要求8所述的衬底处理设备，其中，所述第一驱动单元和所述第二驱动单元被配置为独立地控制所述环体。

10.根据权利要求8所述的衬底处理设备，其中，所述内部压力控制设备还包括通过第三连接构件连接到所述环体的第三驱动单元，并且

11.根据权利要求1所述的衬底处理设备，其中，所述衬底处理设备被配置为根据所述内部压力控制设备的操作来均匀地处理所述半导体衬底的上表面。

12.根据权利要求1所述的衬底处理设备，其中，所述内部压力控制设备包括多个环体，所述多个环体中的每一个环体在所述衬底支撑单元的高度方向上彼此间隔开。

13.根据权利要求1所述的衬底处理设备，其中，所述衬底处理设备是被配置为蚀刻所述半导体衬底的设施。

14.根据权利要求1所述的衬底处理设备，其中，所述环体位于流入所述腔室壳体的所述处理气体向所述排气孔移动的路径上。

15.一种衬底处理设备，包括：

16.根据权利要求15所述的衬底处理设备，其中，所述内部压力控制设备被配置为控制流入其中所述半导体衬底的被处理的所述空间中的处理气体的排出量。

17.根据权利要求15所述的衬底处理设备，其中，所述第一驱动单元和所述第二驱动单元被配置为通过使所述环体倾斜来控制所述环体的姿势。

18.根据权利要求15所述的衬底处理设备，其中，所述第一驱动单元和所述第二驱动单元被配置为独立地控制所述环体。

19.根据权利要求15所述的衬底处理设备，其中，所述第一驱动单元和所述第二驱动单元被配置为通过沿着所述衬底支撑单元的高度方向移动所述环体来控制所述环体的姿势。

20.一种衬底处理设备，包括：

技术总结本公开涉及一种包括能够均匀地处理半导体衬底的上表面的内部压力控制设备的衬底处理设备。该衬底处理设备包括：腔室壳体，其包括用于排出流入其中的处理气体的排气孔；位于腔室壳体内部的衬底支撑单元，其支撑半导体衬底；处理气体供应单元，其将处理气体提供到腔室壳体的内部；等离子体产生单元，其通过使用处理气体在腔室壳体内部产生等离子体；以及环体，其围绕衬底支撑单元安装并被设置为一体；并且还包括控制腔室壳体的内部压力控制设备，其中，内部压力控制设备控制环体的姿势以控制流入腔室壳体的处理气体的排出量。技术研发人员：南象基,金泰铉,张圣虎,S·G·李受保护的技术使用者：三星电子株式会社技术研发日：技术公布日：2024/9/12