透明导电性薄膜的制作方法

本发明涉及透明导电性薄膜。

背景技术：

1、以往，已知有在厚度方向依次具备树脂制的透明的基材薄膜和透明的导电层(透明导电层)的透明导电性薄膜。透明导电层例如作为用于形成调光器件、液晶显示器、及触摸面板等各种器件中的透明电极的导体膜使用。透明导电层利用卷对卷方式的溅射成膜装置形成在长条的基材薄膜上(成膜工序)。在成膜工序中，例如，一边利用真空泵对溅射成膜装置的成膜室内进行排气，一边利用反应性溅射法在通过该成膜室内的基材薄膜上将结晶性导电材料成膜。针对关于这样的透明导电性薄膜的技术，例如记载于下述的专利文献1中。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2016-191156号公报

技术实现思路

1、发明要解决的问题

2、对透明导电性薄膜要求在该薄膜的弯曲时透明导电层不易产生破裂。另一方面，透明导电性薄膜中，透明导电层的露出表面(与基材薄膜相反侧的表面)中的晶粒的大小和密度会对弯曲时透明导电层的破裂产生容易性产生影响。本发明人等获得了这样的见解。

3、本发明提供适于抑制透明导电层弯曲时的破裂的透明导电性薄膜。

4、用于解决问题的方案

5、本发明[1]包含一种透明导电性薄膜，其在厚度方向依次具备：保护薄膜、基材薄膜和透明导电层，前述透明导电层的与前述基材薄膜相反侧的表面中，粒径25nm以上的晶粒在全部晶粒中的个数比例为50％以下。

6、本发明[2]包含上述[1]所述的透明导电性薄膜，其中，前述透明导电层自前述基材薄膜侧起依次包含：第1导电性氧化物层、金属层和第2导电性氧化物层。

7、本发明[3]包含上述[2]所述的透明导电性薄膜，其中，前述第1导电性氧化物层和/或前述第2导电性氧化物层为铟锡复合氧化物层。

8、本发明[4]包含上述[2]或[3]所述的透明导电性薄膜，其中，前述金属层为银层或银合金层。

9、本发明[5]包含上述[1]～[4]中任一项所述的透明导电性薄膜，其中，前述保护薄膜与前述基材薄膜的合计厚度为100μm以上。

10、发明的效果

11、本发明的透明导电性薄膜中，如上所述，透明导电层的与基材薄膜相反侧的表面(外侧表面)中，粒径25nm以上的晶粒在全部晶粒中的个数比例为50％以下。这样的透明导电层适于在透明导电性薄膜以透明导电层成为弯曲外侧的方式弯曲的情况下抵抗该层的外侧表面产生的拉伸应力从而抑制破裂起点的形成。因此，本发明的透明导电性薄膜适于抑制透明导电层弯曲时的破裂。

技术特征：

1.一种透明导电性薄膜，其在厚度方向依次具备：保护薄膜、基材薄膜和透明导电层，

2.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其中，所述透明导电层自所述基材薄膜侧起依次包含：第1导电性氧化物层、金属层和第2导电性氧化物层。

3.根据权利要求2所述的透明导电性薄膜，其中，所述第1导电性氧化物层和/或所述第2导电性氧化物层为铟锡复合氧化物层。

4.根据权利要求2或3所述的透明导电性薄膜，其中，所述金属层为银层或银合金层。

5.根据权利要求1～3中任一项所述的透明导电性薄膜，其中，所述保护薄膜与所述基材薄膜的合计厚度为100μm以上。

技术总结提供适于抑制透明导电层弯曲时的破裂的透明导电性薄膜。透明导电性薄膜(X)在厚度方向(H)依次具备：保护薄膜(20)、基材薄膜(10)和透明导电层(30)。透明导电层(30)的与基材薄膜(10)相反侧的表面(30a)中，粒径25nm以上的晶粒在全部晶粒中的个数比例为50％以下。技术研发人员：锅野昇平,藤野望受保护的技术使用者：日东电工株式会社技术研发日：技术公布日：2024/9/12