半导体装置以及半导体装置的制造方法与流程

本公开涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。

背景技术：

1、在功率半导体装置内置有igbt(insulated gate bipolar transistor，绝缘栅双极型晶体管)、mosfet(metal oxide semiconductor field effect transistor，金属氧化物半导体场效应管)等半导体元件。在功率半导体装置的动作时，其半导体元件发热。由于构成功率半导体装置的材料的线膨胀系数各不相同，所以半导体装置因其发热而变形。

2、专利文献1所记载的半导体模块为了减小其半导体模块的翘曲，而具有密封树脂的线膨胀系数随着从半导体芯片朝向其密封树脂的上表面连续地变化的结构。

3、专利文献1：日本特开2020-107666号公报

4、功率半导体装置的可动作的最高温度的要求值正在上升。因此，要求不仅控制半导体装置整体的变形，还减轻半导体元件周边的局部变形等，比迄今为止进一步减轻由发热引起的变形。

技术实现思路

1、本公开为了解决上述的课题，目的在于提供一种减轻由热膨胀以及热收缩引起的变形的半导体装置。

2、本公开所涉及的半导体装置包括半导体元件、壳体、梁以及密封用绝缘材料。半导体元件安装于基座板。壳体在俯视观察时具有框形状。壳体安装于基座板。壳体在框形状的内侧收容半导体元件。梁具有平板形状。梁保持于壳体。梁遮盖壳体的框形状的内侧的空间即内部空间。密封用绝缘材料填充于壳体的内部空间，并覆盖梁的至少一部分。梁设置于半导体元件的上方，且在俯视观察时覆盖半导体元件。

3、根据本公开，能够提供减轻由热膨胀以及热收缩引起的变形的半导体装置。

4、本公开的目的、特征、方面以及优点通过以下详细说明和所附附图而变得更加清楚。

技术特征：

1.一种半导体装置，其中，

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其中，

5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其中，

6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体装置，其中，

7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体装置，其中，

8.根据权利要求1～7中任一项所述的半导体装置，其中，

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，

10.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，

11.根据权利要求8～10中任一项所述的半导体装置，其中，

12.一种半导体装置的制造方法，其中，

13.一种半导体装置的制造方法，其中，

技术总结本公开的目的在于提供减轻由热膨胀以及热收缩引起的变形的半导体装置。半导体装置包括半导体元件、壳体、梁以及密封用绝缘材料。半导体元件安装于基座板。壳体在俯视观察时具有框形状。壳体安装于基座板。壳体在框形状的内侧收容半导体元件。梁具有平板形状。梁保持于壳体。梁遮盖壳体的框形状的内侧的空间即内部空间。密封用绝缘材料填充于壳体的内部空间并覆盖梁的至少一部分。梁设置于半导体元件的上方，且在俯视观察时覆盖半导体元件。技术研发人员：武藤亚弥,河原史伦受保护的技术使用者：三菱电机株式会社技术研发日：技术公布日：2024/9/12