半导体器件的制作方法

本公开涉及半导体器件，具体地，涉及一种包括器件隔离图案的半导体器件。

背景技术：

1、由于半导体器件的尺寸小、功能多和/或成本低特性，半导体器件正在被视为电子行业中的重要元件。半导体器件被分类为用于存储数据的半导体存储器件、用于处理数据的半导体逻辑器件以及包括存储器和逻辑元件二者的混合半导体器件。

2、由于最近增加的对具有快速度和/或低功耗的电子装置的需求，半导体器件需要快的工作速度和/或低的工作电压。因此，有必要提高半导体器件的集成密度。随着半导体器件的集成密度提高，在制造半导体器件的工艺中，工艺故障会增加。因此，为了减少制造工艺中的工艺故障，进行了许多研究。

技术实现思路

1、根据实施例，一种半导体器件可以包括：衬底，所述衬底包括单元有源区域；字线，所述字线位于所述单元有源区域上；位线，所述位线电连接到所述单元有源区域；连接结构，所述连接结构位于所述字线中；以及字线接触插塞，所述字线接触插塞与所述连接结构接触。所述字线可以包括栅电极，并且所述连接结构可以设置在所述栅电极上。所述连接结构和所述栅电极可以包括彼此不同的材料。

2、根据实施例，一种半导体器件可以包括：衬底，所述衬底包括单元有源区域；字线，所述字线位于所述单元有源区域上；位线，所述位线电连接到所述单元有源区域；连接结构，所述连接结构位于所述字线中；以及字线接触插塞，所述字线接触插塞与所述连接结构接触。所述字线可以包括栅电极、位于所述栅电极上的栅极中间图案和位于所述栅极中间图案上的栅极覆盖图案。所述连接结构的顶表面的水平高度可以高于所述栅极中间图案的顶表面的水平高度。

3、根据实施例，一种半导体器件可以包括：衬底，所述衬底包括单元区域、外围区域和位于所述单元区域与所述外围区域之间的边界区域；单元有源图案，所述单元有源图案位于所述边界区域上；边界器件隔离图案，所述边界器件隔离图案限定所述单元有源图案；字线，所述字线位于所述单元有源图案上；连接结构；字线接触插塞，所述字线接触插塞连接到所述连接结构；以及层间绝缘层，所述层间绝缘层包围所述字线接触插塞。所述字线可以包括：栅极电介质图案，所述栅极电介质图案位于所述单元有源图案上；栅电极，所述栅电极位于所述栅极电介质图案上；栅极中间图案，所述栅极中间图案位于所述栅电极上；以及栅极覆盖图案，所述栅极覆盖图案位于所述栅极中间图案上。所述连接结构可以将所述栅电极电连接到所述字线接触插塞，并且所述连接结构的侧表面可以与所述栅极电介质图案接触。所述连接结构和所述栅电极可以包括彼此不同的材料，并且所述连接结构和所述栅电极可以被设置为具有限定在所述连接结构与所述栅电极之间的界面。

技术特征：

1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述连接结构的顶表面的水平高度高于所述栅电极的顶表面的水平高度。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括位于所述衬底上的边界器件隔离图案，

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述字线接触插塞的底表面的水平高度低于所述栅极中间图案的顶表面的水平高度并且高于所述栅电极的顶表面的水平高度。

5.根据权利要求3所述的半导体器件，其中：

6.根据权利要求3所述的半导体器件，其中：

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述连接结构的晶格常数不同于所述栅电极的晶格常数。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅电极和所述连接结构被设置为具有限定在所述栅电极与所述连接结构之间的界面。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括位于所述衬底上的单元有源图案和限定所述单元有源图案的边界器件隔离图案，所述连接结构与所述单元有源图案不交叠。

11.一种半导体器件，所述半导体器件包括：

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述字线接触插塞的底表面的水平高度低于所述栅极覆盖图案的顶表面的水平高度并且高于所述栅极中间图案的顶表面的水平高度。

13.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述连接结构的顶表面与所述栅极覆盖图案的顶表面共面。

14.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述连接结构的顶表面的水平高度低于所述栅极覆盖图案的顶表面的水平高度。

15.根据权利要求14所述的半导体器件，所述半导体器件还包括限定单元有源图案的边界器件隔离图案，所述栅极覆盖图案的顶表面的水平高度等于所述边界器件隔离图案的最顶表面的水平高度。

16.根据权利要求15所述的半导体器件，其中，所述边界器件隔离图案包括氮化硅和氧化硅中的至少一种。

17.根据权利要求11所述的半导体器件，所述半导体器件还包括位于所述栅极覆盖图案上的层间绝缘层。

18.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述栅极中间图案包括多晶硅。

19.一种半导体器件，所述半导体器件包括：

20.根据权利要求19所述的半导体器件，其中，所述连接结构的电导率高于所述栅电极的电导率。

技术总结一种半导体器件包括：衬底，所述衬底包括单元有源区域；字线，所述字线位于所述单元有源区域上；位线，所述位线电连接到所述单元有源区域；连接结构，所述连接结构位于所述字线中；以及字线接触插塞，所述字线接触插塞与所述连接结构接触。所述字线可以包括栅电极，并且所述连接结构可以设置在所述栅电极上。所述连接结构和所述栅电极可以包括彼此不同的材料。技术研发人员：安濬爀受保护的技术使用者：三星电子株式会社技术研发日：技术公布日：2024/9/12