存储器装置及制造存储器装置的方法与流程

本公开的各种实施方式总体上涉及存储器装置及制造存储器装置的方法，并且更具体地，涉及三维存储器装置及制造三维存储器装置的方法。

背景技术：

1、存储器装置可以分类为当供电中断时所存储的数据消失的易失性存储器装置和即使供电中断也保留所存储的数据的非易失性存储器装置。

2、非易失性存储器装置可以包括nand闪存、nor闪存、电阻式随机存取存储器(reram)、相变随机存取存储器(pram)、磁阻式随机存取存储器(mram)、铁电式随机存取存储器(fram)、自旋转移力矩随机存取存储器(stt-ram)等。

3、存储器装置连同被配置为控制存储器装置的控制器可以构成存储器系统。存储器装置可以包括被配置为存储数据的存储器单元阵列和被配置为响应于从控制器发送的命令而执行编程操作、读取操作或擦除操作的外围电路。

4、已经寻求各种方法来使制造存储器装置时发生的各种缺陷最小化。

技术实现思路

1、在本公开的实施方式中，一种存储器装置包括：源极结构，其包括沿着彼此交叉的第一方向和第二方向延伸的顶表面，源极结构包括沿着第一方向交替地设置的凹部和突出部；接触插塞，其与源极结构的侧壁间隔开，接触插塞面对凹部；以及栅极层叠结构，其包括交替地设置在源极结构上方的多个绝缘层和多个导电层。源极结构的突出部比源极结构的凹部在第二方向上突出得更远。

2、在本公开的实施方式中，一种存储器装置包括：绝缘图案，其包括在第一方向上交替地设置并彼此连接的第一部分和第二部分，其中第一部分在与第一方向交叉的第二方向上形成为比第二部分的宽度更宽的宽度；源极结构，其与绝缘图案的侧壁接触并在第二方向和与第二方向相反的方向上远离绝缘图案的侧壁延伸，其中绝缘图案的侧壁在第二方向上彼此相邻；接触插塞，其贯穿绝缘图案的第一部分；以及栅极层叠结构，其设置在源极结构上方。

3、在本公开的实施方式中，一种制造存储器装置的方法包括：形成包括贯穿初步源极结构的第一部分和第二部分的绝缘图案，初步源极结构包括沿着第一方向和第二方向延伸的顶表面，第一部分和第二部分在第一方向上交替地设置并且彼此连接，其中第一部分在第二方向上具有比第二部分的宽度更宽的宽度；形成包括交替地层叠在初步源极结构上方的多个绝缘层和多个导电层的栅极层叠结构；以及形成贯穿绝缘图案的第一部分的接触插塞。

1.一种存储器装置，所述存储器装置包括：

2.根据权利要求1所述的存储器装置，所述存储器装置还包括第一支撑结构，所述第一支撑结构设置在所述源极结构上方，所述第一支撑结构具有与所述源极结构的所述凹部相对应的第一支撑部分以及与所述源极结构的所述突出部相对应的第二支撑部分，

3.根据权利要求2所述的存储器装置，所述存储器装置还包括：

4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，所述第一支撑结构和所述第二支撑结构包括绝缘材料。

5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述源极结构包括第一源极结构和第二源极结构，并且

6.根据权利要求5所述的存储器装置，其中，在所述第一源极结构和所述第二源极结构之间设置有围绕所述接触插塞的绝缘图案。

7.根据权利要求6所述的存储器装置，其中，所述绝缘图案具有：

8.根据权利要求1所述的存储器装置，所述存储器装置还包括外围电路，所述外围电路设置在所述源极结构下方，所述外围电路电连接到所述接触插塞。

9.一种存储器装置，所述存储器装置包括：

10.根据权利要求9所述的存储器装置，所述存储器装置还包括外围电路，所述外围电路设置在所述源极结构下方，

11.根据权利要求9所述的存储器装置，其中，所述源极结构的侧壁包括与所述绝缘图案的所述第一部分接触的凹部和与所述绝缘图案的所述第二部分接触的突出部，并且

12.根据权利要求9所述的存储器装置，所述存储器装置还包括支撑结构，所述支撑结构贯穿所述栅极层叠结构，

13.根据权利要求12所述的存储器装置，其中，所述支撑结构的所述凹部与所述绝缘图案的所述第一部分相对应，并且

14.根据权利要求12所述的存储器装置，其中，所述支撑结构包括绝缘材料。

15.一种制造存储器装置的方法，所述方法包括以下步骤：

16.根据权利要求15所述的方法，所述方法还包括以下步骤：在所述初步源极结构上方形成支撑结构，

17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述支撑结构包括在所述第一方向上交替地设置的凹部和突出部，并且

18.根据权利要求15所述的方法，其中，在形成所述绝缘图案的步骤中，在所述初步源极结构中形成包括在所述第一方向上交替地设置的凹部和突出部的侧壁，并且

19.根据权利要求15所述的方法，其中，所述初步源极结构包括下源极结构、上源极结构以及在所述下源极结构与所述上源极结构之间的层间牺牲层，并且