半导体装置及半导体装置的制造方法与流程

本公开的实施方式涉及电子装置，更具体地，涉及半导体装置及该半导体装置的制造方法。

背景技术：

1、半导体装置的集成度主要由单位存储器单元所占据的面积确定。近来，随着用于在基板上以单层形成存储器单元的半导体装置的集成度的提高达到极限，已经提出了用于在基板上层叠存储器单元的三维半导体装置。此外，为了提高这种半导体装置的操作可靠性，已经开发了各种结构和制造方法。

技术实现思路

1、在实施方式中，一种半导体装置可以包括：栅极结构，其包括交替地层叠的导电层和绝缘层；锥状支撑件，其延伸穿过栅极结构的层，并且每个锥状支撑件具有在栅极结构的第一高度处的第一宽度和在栅极结构的第二高度处的第二宽度，第二宽度小于第一宽度；以及锥状接触结构，其在栅极结构内位于锥状支撑件之间，锥状接触结构具有在栅极结构的第一高度处的第三宽度和在栅极结构的第二高度处的大于第三宽度的第四宽度。在实施方式中，支撑件的锥体和接触结构的锥体是彼此的“镜像”，也就是说，锥体具有相似的形状和尺寸，但它们的方向相对于它们之间的介入轴或平面是相反的。

2、在实施方式中，一种半导体装置可以包括：栅极结构，其包括交替地层叠的导电层和第一绝缘层；支撑件，其延伸穿过栅极结构的层；以及接触结构，其在栅极结构中位于支撑件之间，并且电连接至导电层中的至少一层，其中接触结构可以包括与支撑件间隔开的第一部分和接触支撑件的第二部分，并且栅极结构可以包括在支撑件和第一部分之间交替地层叠的第一绝缘层和第二绝缘层。

3、在实施方式中，一种半导体装置的制造方法可以包括：形成包括交替地层叠的第一材料层和第二材料层的层叠物；在层叠物中形成第一开口；在第一开口中形成蚀刻停止层；在层叠物中形成位于第一开口之间的第二开口；通过经由第二开口蚀刻第一材料层和第二材料层，形成暴露出蚀刻停止层的第三开口；以及去除余留在第三开口和蚀刻停止层之间的第一材料层。

4、在实施方式中，一种半导体装置的制造方法可以包括：形成包括交替地层叠的第一材料层和第二材料层的层叠物；在层叠物中形成牺牲支撑件；在层叠物中形成位于牺牲支撑件之间的牺牲接触结构；通过去除牺牲支撑件在层叠物中形成第一开口；通过第一开口用绝缘层替换围绕牺牲接触结构的第一材料层；以及在第一开口中形成支撑件。

技术特征：

1.一种半导体装置，该半导体装置包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，在由第一方向和第二方向限定的平面中，所述锥状支撑件在所述第一方向上延伸并且在所述第二方向上彼此分开，所述第一方向和所述第二方向彼此基本正交。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述锥状接触结构的侧壁沿所述锥状支撑件的侧壁在所述第一方向上延伸并接触所述锥状支撑件的侧壁。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述锥状接触结构包括：

5.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述锥状支撑件在所述第一方向上各自具有第一长度，并且所述锥状接触结构在所述第一方向上具有小于所述第一长度的第二长度。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述锥状支撑件的一部分突出到所述锥状接触结构中。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述锥状接触结构包括位于所述锥状支撑件之间的突出部分，并且还包括位于所述突出部分之间的侵入凹进部分，其中，所述锥状支撑件的一些部分位于所述锥状接触结构的所述侵入凹进部分中。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述锥状接触结构与所述锥状支撑件接触。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述锥状接触结构包括：

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，在所述第一高度和所述第二高度之间，每个所述锥状支撑件的上部分比其下部分具有更大的宽度，并且所述锥状接触结构的下部分比其上部分具有更大的宽度。

11.一种半导体装置，该半导体装置包括：

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，所述栅极结构包括第一子层叠物和第二子层叠物，并且

13.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，在所述第二子层叠物中，所述支撑件是锥状的，并且其中，每个锥状的支撑件具有在所述栅极结构的第一高度处的第一宽度和在所述栅极结构的第二高度处的小于所述第一宽度的第二宽度，并且所述第二部分具有在所述栅极结构的所述第一高度处的第三宽度和在所述栅极结构的所述第二高度处的大于所述第三宽度的第四宽度。

14.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，在所述第一子层叠物中，所述支撑件是锥状的，并且其中，每个锥状的支撑件具有在所述栅极结构的第三高度处的第五宽度和在所述栅极结构的第四高度处的小于所述第五宽度的第六宽度，并且所述第一部分具有在所述栅极结构的所述第三高度处的第七宽度和在所述栅极结构的第四高度处的小于所述第七宽度的第八宽度。

15.一种半导体装置的制造方法，该制造方法包括以下步骤：

16.根据权利要求15所述的制造方法，该制造方法还包括以下步骤：

17.根据权利要求15所述的制造方法，其中，形成所述第三开口的步骤包括以下步骤：

18.根据权利要求17所述的制造方法，其中，去除所述第一材料层的步骤包括以下步骤：

19.根据权利要求15所述的制造方法，该制造方法还包括以下步骤：

20.根据权利要求15所述的制造方法，该制造方法还包括以下步骤：

21.根据权利要求20所述的制造方法，其中，形成所述牺牲接触结构的步骤包括以下步骤：

22.根据权利要求21所述的制造方法，该制造方法还包括以下步骤：

23.根据权利要求15所述的制造方法，该制造方法还包括以下步骤：

24.根据权利要求15所述的制造方法，该制造方法还包括以下步骤：

25.一种半导体装置的制造方法，该制造方法包括以下步骤：

26.根据权利要求25所述的制造方法，其中，形成所述牺牲接触结构的步骤包括以下步骤：

27.根据权利要求26所述的制造方法，其中，形成所述牺牲接触结构的步骤包括以下步骤：

28.根据权利要求27所述的制造方法，该制造方法还包括以下步骤：

29.根据权利要求25所述的制造方法，其中，用所述绝缘层替换所述第一材料层的步骤包括以下步骤：

30.根据权利要求25所述的制造方法，该制造方法还包括以下步骤：

技术总结本申请涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。一种半导体装置可以包括栅极结构，该栅极结构包括交替地层叠的导电层和第一绝缘层。形成在栅极结构中的锥状支撑件具有在栅极结构的第一高度处的第一宽度和在栅极结构的第二高度处的小于第一宽度的第二宽度。锥状接触结构在栅极结构中位于锥状支撑件之间，锥状接触结构具有在第一高度处的第三宽度和在第二高度处的大于第三宽度的第四宽度。栅极结构锥体和接触结构锥体是彼此的“镜像”。技术研发人员：崔元根,崔硕珉,郭鲁珪,张晶植,朴寅洙受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司技术研发日：技术公布日：2024/9/12