动态随机存取存储器及其形成方法与流程

本发明实施例有关于一种半导体存储器装置，且特别有关于一种动态随机存取存储器及其形成方法。

背景技术：

1、动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)的效能与其中的电容器的容量呈正相关。随着集成电路尺寸缩小，可藉由增加底电极层的表面积来增加dram的堆叠式电容的容量。然而，于现有的dram工艺中，在形成用以容纳堆叠式电容的沟槽的过程中，采用湿法刻蚀进一步地移除层间介电层的底部，以增加后续形成的底电极层的表面积。然而若湿法刻蚀的条件控制不当，将导致层间介电层形成过窄的颈部，甚至造成相邻的堆叠式电容发生短路。

技术实现思路

1、本发明提供一种动态随机存取存储器及其形成方法，以解决相邻的堆叠式电容发生短路的问题。

2、本发明一些实施例提供一种动态随机存取存储器的形成方法，包括：形成电容接触垫于隔离层中；形成第一介电层于隔离层上；形成凹槽于电容接触垫上方的第一介电层中；顺应性地形成保护层于凹槽中；形成第二介电层于第一介电层上；形成穿过隔离层、第一介电层、保护层及第二介电层的沟槽以露出电容接触垫；侧向刻蚀第一介电层及第二介电层以扩大沟槽；以及顺应性地形成堆叠式电容的底电极层于沟槽中。

3、本发明实施例亦提供一种动态随机存取存储器，包括：电容接触垫，位于隔离层中；第一介电层，位于隔离层上；保护层，覆盖第一介电层的顶部；第二介电层，位于保护层上；以及底电极层，覆盖第一介电层、保护层及第二介电层。

4、本发明实施例提供一种动态随机存取存储器及其形成方法，藉由形成保护层覆盖堆叠式电容的第一介电层的顶部，可在形成堆叠式电容沟槽的过程中，兼顾堆叠式电容的容量的提高与避免相邻的堆叠式电容发生短路。

技术特征：

1.一种动态随机存取存储器的形成方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的动态随机存取存储器的形成方法，其特征在于，在侧向刻蚀该第一介电层及该第二介电层后露出该保护层的一侧壁。

3.如权利要求1所述的动态随机存取存储器的形成方法，其特征在于，更包括：

4.如权利要求3所述的动态随机存取存储器的形成方法，其特征在于，在侧向刻蚀该第一介电层及该第二介电层后，该支撑层的一侧壁突出于该第二介电层的一侧壁。

5.如权利要求1所述的动态随机存取存储器的形成方法，其特征在于，以稀氢氟酸侧向刻蚀该第一介电层及该第二介电层。

6.如权利要求1所述的动态随机存取存储器的形成方法，其特征在于，更包括：

7.如权利要求1所述的动态随机存取存储器的形成方法，其特征在于，该保护层与该第二介电层具有一刻蚀选择比。

8.如权利要求1所述的动态随机存取存储器的形成方法，其特征在于，该保护层包括氮化物或多晶硅。

9.如权利要求3所述的动态随机存取存储器的形成方法，其特征在于，该硬掩膜层包括一第一硬掩膜层及一第二硬掩膜层，且该第二硬掩膜层形成于该第一硬掩膜层上，且该形成方法更包括：

10.一种动态随机存取存储器，其特征在于，包括：

11.如权利要求10所述的动态随机存取存储器，其特征在于，更包括：

12.如权利要求11所述的动态随机存取存储器，其特征在于，该保护层及该支撑层以相同材料制成。

13.如权利要求10所述的动态随机存取存储器，其特征在于，该第一介电层的一下部具有垂直的侧壁。

14.如权利要求10所述的动态随机存取存储器，其特征在于，该电容接触垫的一顶表面低于该隔离层的一顶表面。

15.如权利要求10所述的动态随机存取存储器，其特征在于，该第一介电层的一最大厚度与该第二介电层的一最大厚度相等。

16.如权利要求10所述的动态随机存取存储器，其特征在于，该保护层覆盖该第一介电层的一顶部。

17.如权利要求10所述的动态随机存取存储器，其特征在于，该保护层的一最大宽度大于该第二介电层的一最小宽度。

18.如权利要求10所述的动态随机存取存储器，其特征在于，该第一介电层的一底表面的宽度大于该第一介电层的一顶表面的宽度。

19.如权利要求10所述的动态随机存取存储器，其特征在于，该保护层的一侧壁为垂直的。

技术总结本发明实施例提供一种动态随机存取存储器及其形成方法，以解决相邻的堆叠式电容发生短路的问题。本发明的形成方法包括：形成电容接触垫于隔离层中；形成第一介电层于隔离层上；形成凹槽于电容接触垫上方的第一介电层中；顺应性地形成保护层于凹槽中；形成第二介电层于第一介电层上；形成穿过隔离层、第一介电层、保护层及第二介电层的沟槽以露出电容接触垫；侧向刻蚀第一介电层及第二介电层以扩大沟槽；以及顺应性地形成堆叠式电容的底电极层于沟槽中。技术研发人员：阮彦旻受保护的技术使用者：华邦电子股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/9/12