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一种具有有源区结构的半导体器件的制作方法
本发明属于半导体器件，具体涉及一种具有有源区结构的半导体器件。背景技术：1、用于执行整流的半导体功率器件，其允许电流在一个方向上自由通过，同时在另一个方向阻断，并且能够承受一定量的电压。这种器件例如快......
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半导体器件的制作方法
本公开涉及半导体的领域，并且特别地涉及半导体器件。背景技术：1、功率电子应用中使用的晶体管器件常常用硅(si)半导体材料制造。用于功率应用的常见晶体管器件包括si si功率mosfet和si绝缘栅双极......
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半导体器件和用于制造其的方法与流程
本专利文件中公开的技术涉及半导体技术，并且更具体地，涉及一种包括具有选择器的存储单元的半导体器件及用于制造其的方法。背景技术：1、近年来，电气和电子行业的朝向小型化、低功耗、高性能和多功能化的趋势迫使......
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纠错码编码电路和包括该电路的半导体器件的制作方法
本文描述的本公开的实施例涉及纠错码(error correcting code，ecc)编码电路和包括该ecc编码电路的半导体器件，更具体地，涉及一种对码字进行编码以生成编码码字的ecc编码器。背景技......
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一种半导体器件中电容的制备方法及半导体器件的制备方法与流程
本发明涉及半导体器件制备工艺领域，特别涉及一种半导体器件中电容的制备方法及半导体器件的制备方法。背景技术：1、mim(metal-insulator-metal，金属-介质-金属)电容是一种利用不同金......
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制造半导体器件的方法和对应的半导体器件与流程
本说明书涉及制造半导体器件。本文所述的解决方案可应用于功率集成电路(ic)半导体器件，例如汽车或工业产品的功率四方扁平无引线(qfn)封装件。背景技术：1、在(ic)半导体器件的当前制造工艺中，多个器......
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半导体器件的制作方法
本发明构思涉及半导体器件及其制造方法，更具体地，涉及一种包括场效应晶体管的半导体器件及其制造方法。背景技术：1、半导体器件通常包括具有例如金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)的集成电路。随着半......
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具有改进的散热的半导体器件及其制造方法与流程
本申请大体上涉及半导体技术，且更具体地说，涉及具有改进的散热的半导体器件和用于制造半导体器件的方法。背景技术：1、半导体行业一直面临复杂的集成挑战，因为消费者希望他们的电子设备体积更小、速度更快且性能......
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一种半导体器件及其制备方法与流程
本发明涉及半导体器件，尤其涉及一种半导体器件及其制备方法。背景技术：1、横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管由于在增益、线性度、开关性能、散热性能等方面的优势而被广泛应用在集成电路领域。2、横向双扩......
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半导体器件及其制备方法与流程
本技术涉及半导体制造，具体涉及一种半导体器件及其制备方法。背景技术：1、为了在单位面积内集成更多的门电路，工艺制程越来越先进，先进制程中的一个特点是栅极材料(例如多晶硅材料)越来越薄，栅极材料的厚度限......
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半导体器件及其形成方法与流程
本申请的实施例涉及半导体器件及其形成方法。背景技术：1、半导体集成电路(ic)工业经历了指数级增长。ic材料和设计中的技术进步已经产生了多代ic，其中每一代都具有比上一代更小且更复杂的电路。在ic发展......
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半导体器件及其形成方法与流程
本公开的实施例涉及半导体器件及其形成方法。背景技术：1、由于各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度的不断改进，半导体工业经历了快速增长。在大多数情况下，集成密度的改进源于最小......
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一种半导体器件的制作方法
本申请涉及半导体，具体涉及一种半导体器件。背景技术：1、在早期，集成电路的封装方式主要是单芯片封装(scp)，即将单个芯片封装在一个封装中。然而，随着电子设备的功能需求不断增加，单芯片封装无法满足多个......
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一种半导体器件的制作方法
本申请涉及半导体，具体涉及一种半导体器件。背景技术：1、在早期，集成电路的封装方式主要是单芯片封装(scp)，即将单个芯片封装在一个封装中。然而，随着电子设备的功能需求不断增加，单芯片封装无法满足多个......
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半导体器件的制作方法
背景技术：1、本公开涉及一种半导体器件。2、在此，下面列出了所公开的技术。3、[专利文献1]日本未审查专利申请公开第2019-145625号4、在半导体芯片安装在裸片焊盘上并且半导体芯片用密封体密封的......
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半导体器件的制作方法
本公开涉及半导体器件，具体地，涉及一种包括器件隔离图案的半导体器件。背景技术：1、由于半导体器件的尺寸小、功能多和/或成本低特性，半导体器件正在被视为电子行业中的重要元件。半导体器件被分类为用于存储数......
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一种氮化镓基高电子迁移率晶体管及半导体器件
本发明涉及半导体，尤其涉及一种氮化镓基高电子迁移率晶体管及半导体器件。背景技术：1、随着半导体器件技术的发展，以gan为代表的第三代宽禁带半导体材料因其禁带宽度宽、电子迁移率高、电子饱和速度快等诸多材......
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半导体器件以及芯片的制作方法
本技术涉及静电防护，特别涉及一种半导体器件以及芯片。背景技术：1、在车载系统中，各功能模块，包括前端仪表盘、防抱死刹车和巡航控制等都通过can(controller area network,控制器局......
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半导体器件及其制造方法与流程
本申请涉及半导体，具体而言，本申请涉及一种半导体器件及其制造方法。背景技术：1、随之半导体技术的发展，具有垂直沟道的晶体管的半导体器件得到越来越多的应用。2、目前，在具有垂直沟道晶体管的半导体器件的制......
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半导体器件及其制造方法与流程
本发明涉及半导体集成电路制造领域，特别涉及一种半导体器件及其制造方法。背景技术：1、超薄soi（semiconductor-on-insulator, 绝缘体上半导体）工艺可以通过混合区的前置端口施加......
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半导体器件及其制造方法与流程
本公开涉及一种半导体器件及其制造方法，并且可以适当地用于例如包括反熔丝元件的半导体器件及其制造方法。背景技术：1、作为包括由形成在半导体衬底上的半导体元件形成的存储器的半导体器件，存在以下半导体器件，......
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半导体器件的制作方法
背景技术：1、本公开涉及一种半导体器件。2、下面列出一种公开的技术。3、[专利文献1]日本未审查专利申请公开第2021-9865号4、例如，专利文献1描述一种半导体器件。专利文献1中描述的半导体器件包......
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半导体器件及其制造方法与流程
本公开涉及半导体器件及其制造方法。背景技术：1、半导体集成电路(ic)行业经历了指数增长。ic材料和设计的技术进步产生了若干代ic，其中每一代都具有比上一代更小且更复杂的电路。在ic发展过程中，功能密......
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半导体器件的制作方法以及半导体器件与流程
本技术涉及半导体领域，具体而言，涉及一种半导体器件的制作方法以及半导体器件。背景技术：1、cmp(chemical mechanical polishing，化学机械抛光)工艺对区域间图形差异较为敏感......
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一种半导体器件及其制备方法与流程
本发明涉及一种半导体，特别地涉及一种半导体器件及其制备方法。背景技术：1、晶圆是指半导体集成电路制作时所用的晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆，晶圆片通常包括衬底层和外延层。衬底的材料可以为硅(si)......
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