半导体器件及其形成方法与流程

本公开的实施例涉及半导体器件及其形成方法。

背景技术：

1、由于各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度的不断改进，半导体工业经历了快速增长。在大多数情况下，集成密度的改进源于最小部件尺寸的反复减小，这允许将更多组件集成到给定的区域。随着对缩小电子器件的需求增长，出现了对半导体管芯的更小和更具创造性的封装技术的需求。

技术实现思路

1、本公开的实施例提供了一种形成半导体器件的方法，包括：在第一衬底上方形成第一接合焊盘，其中，所述第一接合焊盘包括铁磁材料的层，其中，每个所述第一接合焊盘产生具有第一定向的相应磁场；以及使用金属至金属接合将第二接合焊盘接合至所述第一接合焊盘。

2、本公开的另一实施例提供了一种形成半导体器件的方法，包括：形成第一接合焊盘，形成所述第一接合焊盘包括：在第一介电层中形成凹槽；用磁性材料填充所述凹槽；和对所述磁性材料执行磁性退火工艺；以及将所述第一接合焊盘接合至第二接合焊盘。

3、本公开的又一实施例提供了一种半导体器件，包括：多个第一接合焊盘，位于第一互连结构上方，其中，每个所述第一接合焊盘在第一定向上磁化；以及多个第二接合焊盘，位于第二互连结构上方，其中，每个所述第二接合焊盘在第二定向上磁化，其中，每个所述第二接合焊盘接合至相应的所述第一接合焊盘。

技术特征：

1.一种形成半导体器件的方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，每个所述第二接合焊盘产生具有第二定向的相应磁场。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一定向和所述第二定向是平行的。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一接合焊盘还包括反铁磁材料的层。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一衬底包括互连结构，其中，所述第一接合焊盘电连接至所述互连结构。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一接合焊盘包括对所述铁磁材料的层执行磁性退火工艺。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述第二接合焊盘接合至所述第一接合焊盘包括将所述第二接合焊盘带向所述第一接合焊盘，直到所述第二接合焊盘接触所述第一接合焊盘，其中，随着将所述第二接合焊盘带向所述第一接合焊盘，直到所述第二接合焊盘接触所述第一接合焊盘，所述第一接合焊盘与所述第二接合焊盘之间的未对准减小。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一接合焊盘磁性吸引到所述第二接合焊盘。

9.一种形成半导体器件的方法，包括：

10.一种半导体器件，包括：

技术总结一种形成半导体器件的方法包括在第一衬底上方形成第一接合焊盘，其中第一接合焊盘包括铁磁材料的层，其中每个第一接合焊盘产生具有第一定向的相应磁场；以及使用金属至金属接合将第二接合焊盘接合至第一接合焊盘。本公开的实施例还涉及半导体器件。技术研发人员：李宗恩,宋明远,江宏礼,王哲夫,郑兆钦,拉杜·安娜受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/9/29