半导体装置的制作方法

本技术系有关一种半导体装置，尤其是一种功率金氧半晶体管。

背景技术：

1、一般而言，金属氧化物场效晶体管的源漏顺向电压压降(vfsd)比接面萧特基位障(junction barrier schottky)二极管的顺向电压压降还要高。在金属氧化物场效晶体管中，当栅源电压从0v变成-5v时，源漏顺向电压压降会变高。因此需要一种新的半导体装置来克服这些问题。

技术实现思路

1、有鉴于此，本实用新型提供一种半导体装置，其包括：碳化硅磊晶层、栅极氧化物层、复晶硅层、层间介电质层、凹槽、障壁层以及第一金属层。该碳化硅磊晶层具有：在栅极区中之接面场效区与该接面场效区接触之p型阱区在该p型阱区内之第一重掺杂p型区以及在该p型阱区之外之第二重掺杂p型区。该栅极氧化物层在该碳化硅磊晶层上该复晶硅层在该栅极氧化物层上该层间介电质层在该复晶硅层上该凹槽在源极区中穿过该层间介电质层、该复晶硅层和该栅极氧化物层形成在该碳化硅磊晶层中该障壁层在该凹槽的下表面与侧表面上，并且在该第二重掺杂p型区上以及该第一金属层在该障壁层上。

2、综上所述，藉由该半导体装置中的接面萧特基位障二极管(由该第一金属层、该障壁层和该第二重掺杂p型区所构成)，可以降低金属氧化物场效晶体管的源漏顺向电压压降vfsd和漏源导通电组rds(on)，克服了当栅源电压从0v变成-5v时源漏顺向电压压降vfsd会变高的技术问题，让组件的可靠度更好。

技术特征：

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该碳化硅磊晶层还具有：

3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，还包括：

4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，该第一金属层在该凹槽内透过硅化物和该障壁层与该第一重掺杂p型区和该重掺杂n型区接触。

5.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，该障壁层与该层间介电质层、该接点间隔物、以及该碳化硅磊晶层接触。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该障壁层和该第二重掺杂p型区之间具有硅化物。

7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括：

8.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，还包括：

9.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第一金属层、该障壁层和该第二重掺杂p型区作为接面萧特基位障二极管。

10.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第一金属层为铝铜合金，以及该障壁层为钛与氮化钛的叠层。

技术总结一种半导体装置，其包括：碳化硅磊晶层、栅极氧化物层、复晶硅层、层间介电质层、凹槽、障壁层以及第一金属层。该碳化硅磊晶层具有：接面场效区；p型阱区；在该p型阱区内之第一重掺杂p型区；以及在该p型阱区之外之第二重掺杂p型区。该栅极氧化物层在该碳化硅磊晶层上；该复晶硅层在该栅极氧化物层上；该层间介电质层在该复晶硅层上；该凹槽在源极区中穿过该层间介电质层、该复晶硅层和该栅极氧化物层形成在该碳化硅磊晶层中；该障壁层在该凹槽的下表面与侧表面上，并且在该第二重掺杂p型区上；以及该第一金属层在该障壁层上。技术研发人员：刘原良,陈彦彰,张元洲,李宜蓁受保护的技术使用者：汉磊科技股份有限公司技术研发日：20230927技术公布日：2024/9/19