一种半导体器件的制作方法

本申请涉及半导体，具体涉及一种半导体器件。

背景技术：

1、在早期，集成电路的封装方式主要是单芯片封装(scp)，即将单个芯片封装在一个封装中。然而，随着电子设备的功能需求不断增加，单芯片封装无法满足多个不同功能模块的集成需求。为了解决这个问题，多芯片封装(mcp)技术应运而生，其是指将多个具有不同功能的芯片组件集成在一个封装中，使得器件具有更高的集成度和更小的封装尺寸。

2、但多芯片封装因芯片的集成数量增加，其组装密度也相应增加，进而导致器件的散热性能下降，影响器件的性能。

技术实现思路

1、鉴于此，本申请提供一种半导体器件，以提高半导体器件的散热性能。

2、本申请提供一种半导体器件，包括封装框架以及设置于所述封装框架上的塑封体，所述封装框架具有间隔设置的第一引脚以及第二引脚，所述第一引脚以及所述第二引脚分别与电路板的第一连接线以及第二连接线连接，所述第一引脚的宽度大于所述第二引脚的宽度，所述第一连接线的宽度与所述第一引脚的宽度相同，所述第二连接线的宽度与所述第二引脚的宽度相同。

3、在一些实施例中，所述第一引脚的宽度至少大于所述第二引脚的宽度的0.01mm。

4、在一些实施例中，所述第一引脚为等宽度引脚，所述第二引脚为等宽度引脚。

5、在一些实施例中，所述半导体器件还包括至少两个芯片，每一所述芯片设置于所述封装框架与所述塑封体之间。

6、在一些实施例中，所述第一引脚与所述第二引脚位于所述封装框架的同一侧。

7、在一些实施例中，所述第一引脚与所述第二引脚位于所述封装框架的不同侧。

8、在一些实施例中，所述第一引脚的长度与所述第二引脚的长度相同。

9、在一些实施例中，所述第二引脚的宽度至少大于或等于0.25mm。

10、在一些实施例中，所述半导体器件还包括塑封层，所述塑封层设置于所述封装框架背离所述塑封体的一侧。

11、在一些实施例中，所述第一引脚与所述第二引脚之间的距离至少大于或等于1mm。

12、本申请提供一种半导体器件，包括封装框架以及设置于封装框架上的塑封体，封装框架具有间隔设置的第一引脚以及第二引脚，第一引脚以及第二引脚分别与电路板的第一连接线以及第二连接线连接，第一引脚的宽度大于第二引脚的宽度，第一连接线的宽度与第一引脚的宽度相同，第二连接线的宽度与第二引脚的宽度相同。通过将第一引脚的宽度设置为大于第二引脚的宽度，即增大第一引脚的宽度，同时增大第一连接线的宽度，以增大第一引脚与第一连接线的接触面积，从而增大第一引脚与第一连接线之间散热面积，提高了半导体器件的散热性。

技术特征：

1.一种半导体器件，其特征在于，包括封装框架以及设置于所述封装框架上的塑封体，所述封装框架具有间隔设置的第一引脚以及第二引脚，所述第一引脚以及所述第二引脚分别与电路板的第一连接线以及第二连接线连接，所述第一引脚的宽度大于所述第二引脚的宽度，所述第一连接线的宽度与所述第一引脚的宽度相同，所述第二连接线的宽度与所述第二引脚的宽度相同。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一引脚的宽度至少大于所述第二引脚的宽度的0.01mm。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一引脚为等宽度引脚，所述第二引脚为等宽度引脚。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括至少两个芯片，每一所述芯片设置于所述封装框架与所述塑封体之间。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一引脚与所述第二引脚位于所述封装框架的同一侧。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一引脚与所述第二引脚位于所述封装框架的不同侧。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一引脚的长度与所述第二引脚的长度相同。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二引脚的宽度至少大于或等于0.25mm。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括塑封层，所述塑封层设置于所述封装框架背离所述塑封体的一侧。

10.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述第一引脚与所述第二引脚之间的距离至少大于或等于1mm。

技术总结本申请提供一种半导体器件，包括封装框架以及设置于封装框架上的塑封体，封装框架具有间隔设置的第一引脚以及第二引脚，第一引脚以及第二引脚分别与电路板的第一连接线以及第二连接线连接，第一引脚的宽度大于第二引脚的宽度，第一连接线的宽度与第一引脚的宽度相同，第二连接线的宽度与第二引脚的宽度相同，以提高半导体器件的散热性。技术研发人员：李斌,黄致恺受保护的技术使用者：元能芯科技（深圳）有限公司技术研发日：20240126技术公布日：2024/9/17