晶舟装置的制作方法

本技术涉及半导体制造，特别涉及一种晶舟装置。

背景技术：

1、介质层应力迁移损伤(stress inducedmigration，sm)测试前，需要将晶圆放置在晶舟(metal cassette)并在烤箱中进行若干小时的烘烤。

2、现有的晶舟通常其内部分隔有多层空间，每层空间放置特定尺寸的晶圆，每层空间的侧壁与晶圆的外周面接触，二者在接触点的曲率半径接近。上述结构的晶舟，一方面只适合特定尺寸的晶圆的放置，另一方面，在晶舟放置在烤箱加热时，由于晶舟与晶圆的材料不同，其膨胀系数不同，加热过程中晶舟的侧壁会直接对晶圆施加热作用力。在该热作用力下，容易导致晶圆边缘裂片夹碎。

3、为此本实用新型提供一种晶舟装置，一方面适可适用于多种晶圆尺寸的放置，另一方面改善由于热作用力导致的晶圆碎裂的现象。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提供一种晶舟装置，一方面适可适用于多种晶圆尺寸的放置，另一方面改善由于热作用力导致的晶圆碎裂的现象。

2、本实用新型提供了一种晶舟装置，包括：晶舟主体和承载部；

3、所述晶舟主体具有腔室；

4、所述承载部包括第一承载件和第二承载件，所述第一承载件和所述第二承载件设置于所述腔室内的两相对侧壁；

5、所述第一承载件和所述第二承载件上均具有多个承载面；所述第一承载件上的各承载面呈阶梯设置，且向靠近所述第二承载件的方向各所述承载面依次降低；所述第二承载件上的各承载面呈阶梯设置，且向靠近所述第一承载件的方向各所述承载面依次降低；

6、所述第一承载件上的各承载面分别与所述第二承载件上的各承载面一一匹配且共面设置。

7、可选地，所述承载面的边沿处具有高于该承载面的阶梯面，沿所述承载面垂向方向的投影，所述阶梯面呈圆弧形；

8、所述第一承载件上的一承载面、与该承载面共面的所述第二承载件上的一承载面，上述两个承载面对应的阶梯面位于同一圆柱面内。

9、可选地，所述第一承载件上一承载面对应的阶梯面的内径大于该承载面所要承载的晶圆的外径。

10、可选地，所述第一承载件和所述第二承载件上均开设有第一通孔。

11、可选地，各所述承载面上均设置有所述第一通孔；和/或，一部分所述第一通孔设置于相邻承载面的连接处。

12、可选地，所述晶舟主体上开设有第二通孔。

13、可选地，所述晶舟主体一端具有开口，所述开口使所述腔室与晶舟主体外连通，所述第一承载件和第二承载件分别设置于所述腔室内与所述开口相邻的两相对侧壁上。

14、可选地，所述晶舟装置还包括启闭门，所述启闭门设置于所述晶舟主体上用于打开或关闭所述开口。

15、可选地，所述第一承载件和所述第二承载件的相对侧，且靠近所述开口的位置设有避让面，所述避让面使所述第一承载件和所述第二承载件的相对侧之间的距离向靠近开口的方向逐渐变大。

16、可选地，所述晶舟装置还包括把手，所述把手设置于所述晶舟主体。

17、如此配置，上述结构的晶舟装置，由于承载部阶梯承载面的设置，可以适应于多种尺寸的晶圆的放置，利于扩大晶舟装置的适用范围，提高其利用率，并且降低使用成本。而且，晶圆放置于承载面时，晶圆的边沿不会与晶舟主体的内壁直接接触，因此，当在晶舟装置放置在烤箱加热时，晶舟主体膨胀所产生的热应力不会直接作用于晶圆的边沿，利于改善由于晶舟主体热作用力下作用于晶圆导致的晶圆裂片夹碎的现象。

技术特征：

1.一种晶舟装置，其特征在于，包括：晶舟主体和承载部；

2.如权利要求1所述的晶舟装置，其特征在于，所述承载面的边沿处具有高于该承载面的阶梯面，沿所述承载面垂向方向的投影，所述阶梯面呈圆弧形；

3.如权利要求2所述的晶舟装置，其特征在于，所述第一承载件上一承载面对应的阶梯面的内径大于该承载面所要承载的晶圆的外径。

4.如权利要求1所述的晶舟装置，其特征在于，所述第一承载件和所述第二承载件上均开设有第一通孔。

5.如权利要求4所述的晶舟装置，其特征在于，各所述承载面上均设置有所述第一通孔；和/或，一部分所述第一通孔设置于相邻承载面的连接处。

6.如权利要求1所述的晶舟装置，其特征在于，所述晶舟主体上开设有第二通孔。

7.如权利要求1所述的晶舟装置，其特征在于，所述晶舟主体一端具有开口，所述开口使所述腔室与晶舟主体外连通，所述第一承载件和第二承载件分别设置于所述腔室内与所述开口相邻的两相对侧壁上。

8.如权利要求7所述的晶舟装置，其特征在于，所述晶舟装置还包括启闭门，所述启闭门设置于所述晶舟主体上用于打开或关闭所述开口。

9.如权利要求7所述的晶舟装置，其特征在于，所述第一承载件和所述第二承载件的相对侧，且靠近所述开口的位置设有避让面，所述避让面使所述第一承载件和所述第二承载件的相对侧之间的距离向靠近开口的方向逐渐变大。

10.如权利要求1所述的晶舟装置，其特征在于，所述晶舟装置还包括把手，所述把手设置于所述晶舟主体。

技术总结本技术涉及半导体制造技术领域，提供了一种晶舟装置，包括：晶舟主体和承载部；所述晶舟主体具有腔室；所述承载部包括第一承载件和第二承载件，所述第一承载件和所述第二承载件设置于所述腔室内的两相对侧壁；所述第一承载件和所述第二承载件上均具有多个承载面。上述结构的晶舟装置，可以适应于多种尺寸的晶圆的放置，利于扩大晶舟装置的适用范围，提高其利用率，并且降低使用成本。而且，晶圆放置于承载面时，晶圆的边沿不会与晶舟主体的内壁直接接触，因此，当在晶舟装置放置在烤箱加热时，晶舟主体膨胀所产生的热应力不会直接作用于晶圆的边沿，利于改善由于晶舟主体热作用力下作用于晶圆导致的晶圆裂片夹碎现象。技术研发人员：蔚海波,曹巍,王杰受保护的技术使用者：芯联先锋集成电路制造（绍兴）有限公司技术研发日：20240125技术公布日：2024/9/17