半导体器件及其形成方法与流程

本申请的实施例涉及半导体器件及其形成方法。

背景技术：

1、由于各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度不断改进，半导体工业经历了快速增长。在很大程度上，集成密度的改进源于最小部件尺寸的迭代减小，这允许更多组件集成至给定区中。随着对缩小电子器件的需求增长，已经出现了对半导体管芯的更小且更具创造性的封装技术的需求。

技术实现思路

1、本申请的一些实施例提供了一种半导体器件，包括：外部间隙填充电介质，具有第一热膨胀系数；第一集成电路管芯，位于所述外部间隙填充电介质中；第二集成电路管芯，位于所述外部间隙填充电介质中；内部间隙填充电介质，位于所述第一集成电路管芯和所述第二集成电路管芯之间，所述内部间隙填充电介质具有第二热膨胀系数，所述第二热膨胀系数大于所述第一热膨胀系数；以及第三集成电路管芯，位于所述内部间隙填充电介质上方，所述第三集成电路管芯接合至所述第一集成电路管芯并且接合至所述第二集成电路管芯。

2、本申请的另一些实施例提供了一种半导体器件，包括：外部间隙填充电介质；第一集成电路管芯，位于所述外部间隙填充电介质中；内部间隙填充电介质，位于所述第一集成电路管芯之间，所述内部间隙填充电介质包括掺杂有非硅杂质的硅基介电材料，所述内部间隙填充电介质具有比所述外部间隙填充电介质大的非硅杂质浓度；以及第二集成电路管芯，位于所述内部间隙填充电介质和所述第一集成电路管芯上。

3、本申请的又一些实施例提供了一种形成半导体器件的方法，包括：在载体衬底上方放置第一集成电路管芯和第二集成电路管芯；在所述第一集成电路管芯和所述第二集成电路管芯周围形成外部间隙填充电介质，所述外部间隙填充电介质具有第一热膨胀系数；在所述第一集成电路管芯和所述第二集成电路管芯之间形成内部间隙填充电介质，所述内部间隙填充电介质具有第二热膨胀系数，所述第二热膨胀系数大于所述第一热膨胀系数；以及将第三集成电路管芯接合至所述第一集成电路管芯和所述第二集成电路管芯，所述第三集成电路管芯设置在所述内部间隙填充电介质上方。

技术特征：

1.一种半导体器件，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述外部间隙填充电介质具有第一相对介电常数，所述内部间隙填充电介质具有第二相对介电常数，并且所述第一相对介电常数小于所述第二相对介电常数。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述外部间隙填充电介质的氧浓度大于所述内部间隙填充电介质的氧浓度。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述内部间隙填充电介质的氮浓度大于所述外部间隙填充电介质的氮浓度。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述内部间隙填充电介质的过渡金属浓度大于所述外部间隙填充电介质的过渡金属浓度。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述内部间隙填充电介质是间隙填充介电材料的单一、连续层。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述内部间隙填充电介质包括多个不同间隙填充介电材料层。

8.一种半导体器件，包括：

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述非硅杂质是氮。

10.一种形成半导体器件的方法，包括：

技术总结提供了用于管芯结构的间隙填充电介质及其形成方法。在实施例中，器件包括：外部间隙填充电介质，具有第一热膨胀系数；第一集成电路管芯，位于外部间隙填充电介质中；第二集成电路管芯，位于外部间隙填充电介质中；内部间隙填充电介质，位于第一集成电路管芯和第二集成电路管芯之间，内部间隙填充电介质具有第二热膨胀系数，第二热膨胀系数大于第一热膨胀系数；以及第三集成电路管芯，位于内部间隙填充电介质上方，第三集成电路管芯接合至第一集成电路管芯并且接合至第二集成电路管芯。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。技术研发人员：王志鸿,陈承先,郭庭豪,赖昱嘉受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/11/4