半导体存储装置及其控制方法与流程

本发明是有关于半导体存储装置以及其控制方法。

背景技术：

1、动态随机存取存储器装置在一对位线上产生微弱的电位差，借由感应放大器放大此电位差，进行资料的读取。感应放大器虽然设有一对n沟道型场效应晶体管(nmosfet)与一对p沟道型场效应晶体管(pmosfet)，但因为这些晶体管的特性差异而产生感应限度(sense margin)降低的偏移电压。

技术实现思路

1、在消除偏移操作(offset cancel operation)中产生的位线的电压越高，在偏移消除操作后的电荷共享操作(charge sharing operation)中位线产生的感应信号的电压越小，难以正确地检测感应信号。希望一对nmosfet与一对pmosfet的有效电阻互相相等，降低消除偏移操作中产生的位线的电压。

2、然而，一对nmosfet与一对pmosfet的有效电阻，可能会因mosfet的制造工艺温度压力(pvt)的差异引起的阈值电压变化而异。另外，一对nmosfet与一对pmosfet的有效电阻在半导体存储装置内设置的多个感应放大器间可能不同。因为无法降低偏移消除操作中产生的位线电压，难以正确地检测感应信号，会有提升感应操作的困难。

3、本发明提供一种半导体存储装置，包括：至少一感应放大器，包括一对第1晶体管与一对第2晶体管；以及控制部，基于至少一感应放大器中每一感应放大器的一对第1晶体管以及一对第2晶体管的特性所调整的电压，以提供给至少一感应放大器中每一感应放大器的一对第1晶体管以及一对第2晶体管，使连接至少一感应放大器中每一感应放大器的一对位线的电压在偏移消除操作中接近特定目标电压。

4、即使一对第1晶体管与一对第2晶体管的特性差异，使一对第1晶体管与一对第2晶体管的有效电阻在感应放大器内及/或多个感应放大器间有差异时，在偏移消除操作中，也可以使一对位线的电压接近目标电压(例如在位线的电压的放大操作中提供给感应放大器的电压一半的电压；亦即一对第1晶体管与一对第2晶体管的有效电阻等的电压)。因此，可以控制连接至少一感应放大器中每一感应放大器的一对位线的电压几乎成为目标电压。

5、另外提供一种半导体存储装置的控制方法，半导体存储装置包括一对第1晶体管以及一对第2晶体管的至少一感应放大器；该半导体存储装置的控制部执行控制步骤，使至少一感应放大器中每一感应放大器的一对第1晶体管以及一对第2晶体管的特性所调整的电压，提供给该至少一感应放大器中每一感应放大器的一对第1晶体管以及一对第2晶体管，使连接至少一感应放大器中每一感应放大器的一对位线的电压在偏移消除操作中接近特定目标电压。

6、根据本发明的半导体存储装置及其控制方法，即使在感应放大器内的晶体管特性及/或多个感应放大器之间的晶体管的特性不同时，也可以提升感应放大器的感应操作。

技术特征：

1.一种半导体存储装置，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，该控制部包括以下至少一者：

3.如权利要求2所述的半导体存储装置，其特征在于，该第1控制部包括第1电压生成部，生成第1调整用电压，该第1调整用电压为用以调整并提供给该至少一感应放大器中每一感应放大器的该一对第1晶体管的电压。

4.如权利要求3所述的半导体存储装置，其特征在于，该第1电压生成部包括：

5.如权利要求2所述的半导体存储装置，其特征在于，该第2控制部包括：

6.如权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，该控制部还包括以下至少一者：

7.如权利要求6所述的半导体存储装置，其特征在于，该第3控制部包括第2电压生成部，生成第2调整用电压，该第2调整用电压为用以调整该至少一感应放大器中每一感应放大器的该一对第2晶体管的电压。

8.如权利要求7所述的半导体存储装置，其特征在于，该第2电压生成部包括：

9.如权利要求6所述的半导体存储装置，其特征在于，该第4控制部包括：

10.如权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，该控制部被配置为在该偏移消除操作中提供给该至少一感应放大器中每一感应放大器的电压大小，与在该一对位线电压的放大操作中提供给该至少一感应放大器中每一感应放大器的电压大小不同时，在每个该操作中切换并提供给该至少一感应放大器中每一感应放大器的电压。

11.如权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，该控制部被配置为在该偏移消除操作中提供给该至少一感应放大器中每一感应放大器的电压大小，与在该一对位线的电压的放大操作中提供给该至少一感应放大器中每一感应放大器的电压大小相同时，不在每个该操作中切换并提供给该至少一感应放大器中每一感应放大器的电压。

12.如权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，该一对第1晶体管以及该一对第2晶体管中的一者为n沟道型场效应晶体管，该一对第1晶体管以及该一对第2晶体管中的另一者为p沟道型场效应晶体管。

13.一种半导体存储装置的控制方法，其特征在于，

技术总结一种半导体存储装置及其控制方法，其中，半导体存储装置包括：至少一感应放大器，包括一对第1晶体管与一对第2晶体管；以及控制部，基于至少一感应放大器中每一感应放大器的一对第1晶体管以及一对第2晶体管的特性所调整的电压，以提供给至少一感应放大器中每一感应放大器的一对第1晶体管以及一对第2晶体管，使连接至少一感应放大器中每一感应放大器的一对位线的电压在偏移消除操作中接近特定目标电压。技术研发人员：门胁卓也受保护的技术使用者：华邦电子股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/10/17