数据读取方法、存储设备以及存储介质与流程

本申请涉及存储，特别是涉及一种数据读取方法、存储设备以及存储介质。

背景技术：

1、随着技术的发展，解码器的应用越来越广泛。诸如低密度奇偶校验码(lowdensity parity check code，ldpc)解码器在软解码阶段通过对存储器进多次软解码，以进行数据读取。

2、目前，当前次软解码所采用的基准读电压是基于上一次软解码读到的数据进行调整的，但这种调整方式无法适用于上一次软解码的基准读电压和实际的最优读电压阈值距离等于或近似等于半个波峰的宽度的情况。此时没有太多可用的信息去计算电压偏移值，导致基准读电压一直原地不动，无法准确的找到最优读电压阈值，最终造成软解码失败。

技术实现思路

1、本申请主要解决的技术问题是提供一种数据读取方法、存储设备以及存储介质，以解决基准读电压的调整方式可能导致软解码失败的问题。

2、为了解决上述问题，本申请提供了一种数据读取方法，包括：基于基准读电压对存储器进行软解码，响应于软解码失败，获取软解码的基准读电压相对两侧相邻区域对应的存储单元数量，并判断软解码的基准读电压相对两侧相邻区域对应的存储单元数量是否不小于预设阈值；当软解码的基准读电压相对两侧相邻区域对应的存储单元数量不小于预设阈值，基于预设步长调整基准读电压；将调整后的基准读电压作为新的基准读电压，再次执行基于基准读电压对存储器进行软解码的步骤，直至软解码成功得到最优读电压或软解码次数达到预设迭代次数；其中，预设阈值是基于与最优读电压相差二分之一个波峰的目标基准读电压进行设置的。

3、其中，基于基准读电压对存储器进行软解码的步骤包括：基于基准读电压确定n个偏移电压值；n为大于或等于2的偶数；基于基准读电压以及n个偏移电压值对存储器进行n+1次软读取，对应读取到n+1个读数据；基于n+1个读数据进行软解码。

4、其中，获取软解码的基准读电压相对两侧相邻区域对应的存储单元数量的步骤包括：基于基准读电压以及n个偏移电压值对存储器的存储单元进行划分，得到n+2个区域；将与基准读电压相邻的两个区域的存储单元的进行相加，得到基准读电压相对两侧相邻区域对应的存储单元数量。

5、其中，数据读取方法还包括：当目标基准读电压与最优读电压相差二分之一个波峰，将与目标基准读电压相邻的两个区域的存储单元的数量进行相加，得到第一数量和；基于第一数量和设置预设阈值。

6、其中，判断软解码的基准读电压相对两侧相邻区域对应的存储单元数量是否不小于预设阈值的步骤还包括：当软解码的基准读电压相对两侧相邻区域对应的存储单元数量小于预设阈值，从n个区域中选取n个目标区域；其中，目标区域由基准读电压和/或n个偏移电压值确定区域边界；将基准读电压第一侧的所有目标区域的存储单元的数量进行相加，得到第二数量和；以及将基准读电压第二侧的所有目标区域的存储单元的数量进行相加，得到第三数量和；其中，第二侧为第一侧的相对侧；基于第二数量和与第三数量和调整基准读电压。

7、其中，基于第一数量和与第二数量和调整基准读电压的步骤包括：当第二数量和大于第三数量和，沿着基准读电压第一侧朝向基准读电压第二侧的方向调整基准读电压；当第二数量和小于第三数量和，沿着基准读电压第二侧朝向基准读电压第一侧的方向调整基准读电压。

8、其中，基于第一数量和与第二数量和调整基准读电压的步骤还包括：计算第一数量和与第二数量和之间的差值，基于差值确定调整基准读电压的幅度；其中，幅度与差值呈正相关。

9、其中，基于预设步长调整基准读电压的步骤包括：将基准读电压向左调整预设步长，得到调整后的基准读电压。

10、其中，数据读取方法还包括：对存储器进行一次预定读取，当预定读取失败，对存储器进行读取重试；响应于读取重试失败，确定硬解码失败，并执行首次基于基准读电压对存储器进行软解码的步骤。

11、为解决上述问题，本申请还提供了一种存储设备，存储设备包括相互连接的处理器和存储器；存储器用于存储程序指令，处理器用于执行程序指令以实现上述任一项的数据读取方法。

12、为解决上述问题，本申请还提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有程序指令，程序指令被处理器执行时实现如上述任一项的数据读取方法。

13、本发明的有益效果是：区别于现有技术的情况，本申请在当前次软解码失败时，判断出的基准读电压与最优读电压相差二分之一个波峰时，强制基准读电压调整预设步长，从而使下一次软解码的基准读电压脱离与最优读电压相差二分之一个波峰的位置，而非原地不动，进而提高调整后的基准读电压往最优电压阈值的位置进行偏移的可能，大大提高软解码的纠错性能，提高软解码的解码成功率，从而提升产品在各个场景下的读恢复性能。

技术特征：

1.一种数据读取方法，其特征在于，所述数据读取方法包括：

2.根据权利要求1所述的数据读取方法，其特征在于，所述基于基准读电压对存储器进行软解码的步骤包括：

3.根据权利要求2所述的数据读取方法，其特征在于，所述获取所述软解码的基准读电压相对两侧相邻区域对应的存储单元数量的步骤包括：

4.根据权利要求3所述的数据读取方法，其特征在于，所述数据读取方法还包括：

5.根据权利要求3所述的数据读取方法，其特征在于，所述判断所述软解码的基准读电压相对两侧相邻区域对应的存储单元数量是否不小于预设阈值的步骤还包括：

6.根据权利要求5所述的数据读取方法，其特征在于，所述基于所述第一数量和与所述第二数量和调整所述基准读电压的步骤包括：

7.根据权利要求5所述的数据读取方法，其特征在于，所述基于所述第一数量和与所述第二数量和调整所述基准读电压的步骤还包括：

8.根据权利要求1所述的数据读取方法，其特征在于，所述基于预设步长调整所述基准读电压的步骤包括：

9.根据权利要求1所述的数据读取方法，其特征在于，所述数据读取方法还包括：

10.一种存储设备，其特征在于，所述存储设备包括相互连接的处理器和存储器；

11.一种计算机可读存储介质，其上存储有程序指令，其特征在于，所述程序指令被处理器执行时实现如权利要求1至9任一项所述的数据读取方法。

技术总结本申请公开了一种数据读取方法、存储设备以及存储介质。所述数据读取方法包括：基于基准读电压对存储器进行软解码，响应于软解码失败，判断软解码的基准读电压相对两侧相邻区域对应的存储单元数量是否不小于预设阈值；当存储单元数量不小于预设阈值，基于预设步长调整基准读电压；将调整后的基准读电压作为新的基准读电压，再次执行基于基准读电压对存储器进行软解码的步骤，直至软解码成功得到最优读电压或软解码次数达到预设迭代次数；其中，预设阈值是基于与最优读电压相差二分之一个波峰的目标基准读电压进行设置的。上述方案，提高软解码的纠错性能，提高软解码的解码成功率，从而提升产品在各个场景下的读恢复性能。技术研发人员：陈飞,陶伟,孔维镇受保护的技术使用者：上海江波龙数字技术有限公司技术研发日：技术公布日：2024/10/17