外延晶圆及其缺陷的评估方法、装置、设备及介质与流程

本公开涉及半导体制造，尤其涉及一种外延晶圆及其缺陷的评估方法、装置、设备及介质。

背景技术：

1、在外延晶圆制造工序中，热处理过程的高温环境会使得晶圆内的金属元素（例如铜cu和镍ni）向晶圆表面扩散，并在外延晶圆的边缘或表面内富集而形成圆形或边缘半圆形的金属聚集型缺陷。这些金属元素所形成的金属聚集型缺陷在后端的半导体器件制造工艺中很有可能至少出现以下危害：一、导致p-n结构中的漏电流增加，降低氧化物的击穿电压和减少载流子的寿命。二、会在p-n结和si/sio2界面处形成有害的沉淀，从而增强衬底表面的微粗糙度，影响器件的性能和可靠性。三、引起器件腐蚀、侵蚀、电子迁移或短路，从而导致器件失效，影响最终产品的可靠性和安全性。

2、为了避免在后端的半导体器件制造工艺中出现上述危害，一方面需要优化外延工艺条件，降低金属元素的引入，另一方面则需要通过有效地缺陷评估手段避免存在金属聚集型缺陷的外延晶圆流入后端半导体器件制造工艺。

3、目前，针对这类聚集型缺陷的评估手段大都依赖于目检人员的人工判断。然而，由目检人员进行人工判断通常会因为其主观性而造成误判的情况，降低了上述评估过程的准确性；此外，由目检人员进行人工判断速度较慢，效率低下。因此，需要确立一种客观准确且效率高的异常评估方案。

技术实现思路

1、本公开提供了一种外延晶圆及其缺陷的评估方法、装置、设备及介质；能够依据雾度图（haze map）客观高效准确地评估晶圆表面因金属聚集而出现的金属聚集型缺陷。

2、本公开的技术方案是这样实现的：

3、第一方面，本公开提供了一种外延晶圆缺陷的评估方法，该评估方法包括：

4、通过粒子计数器获取待测外延晶圆的雾度图；

5、将所述雾度图按照设定的网格尺寸划分得到所述待测外延晶圆的网格雾度图；

6、根据所述网格雾度图中每个网格的雾度最大值确定所述待测外延晶圆是否存在因金属聚集而出现的金属聚集型缺陷。

7、第二方面，本公开提供了一种外延晶圆缺陷的评估装置，所述装置包括：获取部、划分部和确定部；其中，

8、所述获取部，被配置成通过粒子计数器获取待测外延晶圆的雾度图；

9、所述划分部，被配置成将所述雾度图按照设定的网格尺寸划分得到所述待测外延晶圆的网格雾度图；

10、所述确定部，被配置成根据所述网格雾度图中每个网格的雾度最大值确定所述待测外延晶圆是否存在因金属聚集而出现的金属聚集型缺陷。

11、第三方面，本公开提供了一种计算设备，所述计算设备包括：处理器和存储器；所述处理器用于执行所述存储器中存储的指令，以实现如第一方面所述的外延晶圆缺陷的评估方法。

12、第四方面，本公开提供了一种计算机存储介质，所述存储介质存储有至少一条指令，所述至少一条指令用于被处理器执行以实现如第一方面所述的外延晶圆缺陷的评估方法。

13、第五方面，本公开提供了一种外延晶圆，将所述外延晶圆通过粒子计数器获取的雾度图按照设定的网格尺寸划分得到网格雾度图后，根据所述网格雾度图中每个网格的雾度最大值确定所述外延晶圆不存在因金属聚集而出现的金属聚集型缺陷。

14、本公开提供了一种外延晶圆及其缺陷的评估方法、装置、设备及介质；将待测外延晶圆的雾度图进行网格划分之后，利用每个网格的雾度最大值确定待测外延晶圆是否存在金属聚集型缺陷，从而提出了一种客观的金属聚集型缺陷评估方案，相较于人工判断降低了误判情况的出现，而且提高了外延晶圆表面金属聚集型缺陷评估的准确性以及效率。

技术特征：

1.一种外延晶圆缺陷的评估方法，其特征在于，所述评估方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过粒子计数器获取待测外延晶圆的雾度图，包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述通过所述粒子计数器中的暗场通道获取所述待测外延晶圆的雾度图，包括：

4.根据权利要求1至3任一项所述的方法，其特征在于，所述根据所述网格雾度图中每个网格的雾度最大值确定所述待测外延晶圆是否存在因金属聚集而出现的金属聚集型缺陷，包括：

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述网格尺寸包括：

6.一种外延晶圆缺陷的评估装置，其特征在于，所述装置包括：获取部、划分部和确定部；其中，

7.一种计算设备，其特征在于，所述计算设备包括：处理器和存储器；所述处理器用于执行所述存储器中存储的指令，以实现如权利要求1至6任一所述的外延晶圆缺陷的评估方法。

8.一种计算机存储介质，其特征在于，所述存储介质存储有至少一条指令，所述至少一条指令用于被处理器执行以实现如权利要求1至6任一所述的外延晶圆缺陷的评估方法。

9.一种外延晶圆，其特征在于，将所述外延晶圆通过粒子计数器获取的雾度图按照设定的网格尺寸划分得到网格雾度图后，根据所述网格雾度图中每个网格的雾度最大值确定所述外延晶圆不存在因金属聚集而出现的金属聚集型缺陷。

10.根据权利要求10所述的外延晶圆，其特征在于，

技术总结本公开提供了一种外延晶圆及其缺陷的评估方法、装置、设备及介质；该方法包括：通过粒子计数器获取待测外延晶圆的雾度图；将所述雾度图按照设定的网格尺寸划分得到所述待测外延晶圆的网格雾度图；根据所述网格雾度图中每个网格的雾度最大值确定所述待测外延晶圆是否存在因金属聚集而出现的金属聚集型缺陷。技术研发人员：苏艳宁,郭宏雁,孙介楠,陈曦鹏,赵静受保护的技术使用者：西安奕斯伟材料科技股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/11/4