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半极性多量子阱垒外延结构及其制备方法、MicroLED芯片与流程
本发明涉及半导体，尤其是一种半极性多量子阱垒外延结构及其制备方法、micro led芯片。背景技术：1、micro-led显示技术在超大屏直显、ar眼镜、微投影、车载矩阵大灯等新兴领域有广阔应用前景。......
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加热装置、外延设备以及外延设备的控制方法与流程
本申请主要涉及半导体领域，尤其涉及一种加热装置、外延设备以及外延设备的控制方法。背景技术：1、化学气相沉积是指化学气体或蒸汽在基片表面反应合成涂层或纳米材料的方法。通常来说其原理为：承载气体携带气相反......
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外延后对准方法与流程
本发明涉及半导体，特别是涉及一种外延后对准方法。背景技术：1、高压器件通常需要在逻辑工艺形成前，产生高压器件的埋层或高压阱，然后再生长epi作为耐压层，之后再进行有源区图形化，因此外延后需要和外延前的......
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一种半导体结构外延层的再生长方法与流程
本发明涉及半导体制造，具体涉及一种半导体结构外延层的再生长方法。背景技术：1、iii-v族半导体材料，如砷化镓（gaas）、磷化铟（inp）等，因其独特的电子性质，在微电子、光电子领域具有广泛的应用，......
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具有密集外延侧接触部的VCSEL的制作方法
本公开涉及垂直腔表面发射激光器(vcsel)，更具体地，涉及在基板的外延侧具有密集接触部的vcsel。背景技术：1、vcsel阵列可用于各种应用，例如各种三维(3d)传感应用。在一些情况下，vcsel......
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外延粗化方法、发光二极管及发光二极管制备方法与流程
本公开涉及发光器件领域，特别涉及一种外延粗化方法、发光二极管及发光二极管制备方法。背景技术：1、发光二极管能够覆盖从紫外到红外的波长范围。当前低分辨率示器市场仍以液晶显示器(liquid crysta......
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具有可变晶格参数差异的超晶格外延结构的制作方法
本申请涉及功率晶体管领域，更具体地，涉及用于形成功率晶体管的超晶格外延堆叠。背景技术：1、电子电路通常包括晶体管，其用作调节或控制部分电路中的电流的电子开关。一种类型的晶体管是场效应晶体管，其中电压被......
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用于Micro-LED的外延结构及其制备方法、Micro-LED与流程
本发明涉及半导体光电器件领域，尤其涉及一种用于micro-led的外延结构及其制备方法、micro-led。背景技术：1、micro-led一般是指尺寸小于100μm的芯片，其性能优异，功耗低，是当前......
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发光二极管外延片及其制备方法、LED与流程
本发明涉及光电，尤其涉及一种发光二极管外延片及其制备方法、led。背景技术：1、gan基led通常都生长异质衬底上，例如蓝宝石、sic和si等衬底，因为gan与衬底之间晶格失配及热失配较大，gan基l......
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一种半导体外延生长设备的温度控制系统的制作方法
本发明主要涉及半导体外延生长设备，具体涉及一种半导体外延生长设备的温度控制系统。背景技术：1、半导体外延生长设备的温度控制系统一般由供配电、温度采集、加热装置、温度控制仪表和工业控制器组成，供配电部分......
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一种基于分子束外延的硅掺杂镓甚长波红外探测材料制备方法
本发明涉及半导体材料制备领域，具体涉及一种基于分子束外延的硅掺杂镓甚长波红外探测材料制备方法。背景技术：1、硅掺镓甚长波红外阻挡杂质带(blocked impurityband,bib)是一种典型的非......
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外延晶圆及其缺陷的评估方法、装置、设备及介质与流程
本公开涉及半导体制造，尤其涉及一种外延晶圆及其缺陷的评估方法、装置、设备及介质。背景技术：1、在外延晶圆制造工序中，热处理过程的高温环境会使得晶圆内的金属元素（例如铜cu和镍ni）向晶圆表面扩散，并在......
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一种微型发光二极管外延片及其制作方法与流程
本发明属于半导体器件制作，更为具体地说，涉及一种微型发光二极管外延片及其制作方法。背景技术：1、随着技术发展，作为半导体发光二极管(light emitt i ng di ode，以下简称led)在显......
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散热装置及外延片加热装置的制作方法
本发明涉及激光器，尤其是涉及一种散热装置及外延片加热装置。背景技术：1、现有的外延片加热装置中，散热装置的顶面上装配多个呈阵列排布的散热座，每个散热座上安装有芯片。2、散热座和顶面上对应设置有连接结构......
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发光二极管外延片及其制备方法、LED与流程
本发明涉及光电，尤其涉及一种发光二极管外延片及其制备方法、led。背景技术：1、目前gan基发光二极管外延层结构包含衬底，在衬底上依次沉积缓冲层、三维成核层、非掺杂gan层、多量子阱层、电子阻挡层和p......
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一种用于生长大尺寸高质量外延片的石墨盘及用于外延生长的装置的制作方法
本申请涉及一种用于生长大尺寸高质量外延片的石墨盘及用于外延生长的装置，属于外延片生长。背景技术：1、3c-sic是所有碳化硅多型中唯一一个立方结构的晶型，因此有着一些潜在的应用前景。3c-sic晶型除......
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一种外延设备及其托盘的制作方法
本申请涉及外延设备，尤其涉及一种外延设备及其托盘。背景技术：1、在外延设备的外延工艺室内，需要设置承载晶圆的托盘。托盘在外延设备中承担着承载和加热晶圆的重要功能，其温度均匀性直接影响晶圆表面外延层的生......
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发光二极管外延结构及其制备方法、发光二极管与流程
本发明涉及显示，尤其涉及一种发光二极管外延结构及其制备方法、发光二极管。背景技术：1、具有微小尺寸和矩阵化的微型发光二极管(micro light emitting diode，简称micro-led......
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一种半导体芯片边缘向心气相外延用石英支架的制作方法
本发明属于半导体芯片气相外延，具体涉及一种半导体芯片边缘向心气相外延用石英支架。背景技术：1、半导体芯片是精密集成电路的载体，半导体芯片的制备要求精度很高，所以具有一定的制备难度，因此对制备设备和制备......
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用于分离在半导体晶片上外延生长的III-V族半导体层的方法与流程
背景技术：1、由jana wulf等人的《通过直接背面电镀和图案化外延升华实现的薄膜砷化镓太阳能电池(thin film gaas solar cell enabled by direct rear ......
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外延结构及外延结构的制作方法与流程
本发明与外延结构有关；特别涉及一种具有良好外延品质的外延结构。背景技术：1、已知高电子移动率晶体管(high electron mobility transistor，hemt)是具有二维电子气(tw......
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提升锗外延工艺质量的方法、器件中间结构及制作方法与流程
本发明涉及硅基光电子，尤其涉及一种用于提升锗光电探测器的锗外延工艺质量的方法、器件中间结构及制作方法。背景技术：1、近年来，随着大数据和移动互联网的蓬勃发展，通信的速率和容量面临着更高的要求和挑战。光......
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一种电驱动的硅外延层装置的位置改进方法与流程
本申请涉及半导体制造相关领域，尤其涉及一种电驱动的硅外延层装置的位置改进方法。背景技术：1、在半导体制造领域，硅外延层技术是一项关键工艺，它通过在硅衬底上生长一层或多层单晶硅薄膜，以改善器件性能或创建......
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SiCJFET晶片上外延GaNHEMT高压器件的制备方法与流程
本发明涉及半导体，尤其是涉及一种sic jfet晶片上外延gan hemt高压器件的制备方法。背景技术：1、氮化镓(gan)和碳化硅(sic)因其高临界击穿电场和相对大的载流子迁移率，非常适合制造高效......
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一种碳化硅外延车间工艺布局优化与评价方法、系统及设备与流程
本发明涉及工业厂房工艺布局技术，具体而言是一种碳化硅外延车间工艺布局优化与评价方法、系统及设备。背景技术：1、工艺布局优化的目标是使工艺加工单元模块的布置尽可能合理，以提高物料流动的效率，最小化物料运......
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小数据传输失败报告的制作方法
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