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用于分离在半导体晶片上外延生长的III-V族半导体层的方法与流程
背景技术：1、由jana wulf等人的《通过直接背面电镀和图案化外延升华实现的薄膜砷化镓太阳能电池(thin film gaas solar cell enabled by direct rear ......
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外延结构及外延结构的制作方法与流程
本发明与外延结构有关；特别涉及一种具有良好外延品质的外延结构。背景技术：1、已知高电子移动率晶体管(high electron mobility transistor，hemt)是具有二维电子气(tw......
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提升锗外延工艺质量的方法、器件中间结构及制作方法与流程
本发明涉及硅基光电子，尤其涉及一种用于提升锗光电探测器的锗外延工艺质量的方法、器件中间结构及制作方法。背景技术：1、近年来，随着大数据和移动互联网的蓬勃发展，通信的速率和容量面临着更高的要求和挑战。光......
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一种电驱动的硅外延层装置的位置改进方法与流程
本申请涉及半导体制造相关领域，尤其涉及一种电驱动的硅外延层装置的位置改进方法。背景技术：1、在半导体制造领域，硅外延层技术是一项关键工艺，它通过在硅衬底上生长一层或多层单晶硅薄膜，以改善器件性能或创建......
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SiCJFET晶片上外延GaNHEMT高压器件的制备方法与流程
本发明涉及半导体，尤其是涉及一种sic jfet晶片上外延gan hemt高压器件的制备方法。背景技术：1、氮化镓(gan)和碳化硅(sic)因其高临界击穿电场和相对大的载流子迁移率，非常适合制造高效......
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一种碳化硅外延车间工艺布局优化与评价方法、系统及设备与流程
本发明涉及工业厂房工艺布局技术，具体而言是一种碳化硅外延车间工艺布局优化与评价方法、系统及设备。背景技术：1、工艺布局优化的目标是使工艺加工单元模块的布置尽可能合理，以提高物料流动的效率，最小化物料运......
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分子束外延设备的原位掩膜架及分子束外延设备的制作方法
本申请涉及半导体制备，特别是涉及一种分子束外延设备的原位掩膜架及分子束外延设备。背景技术：1、分子束外延(mbe，molecular beam epitaxy)技术是一种在晶体基片上生长高质量的晶体薄......
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发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管与流程
本发明涉及半导体，尤其涉及一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管。背景技术：1、目前，gan基发光二极管已经大量应用于固态照明领域以及显示领域，吸引着越来越多的人关注。gan基发光二极管已经实现......
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气浮托盘组件和外延生长设备的制作方法
本申请涉及外延生长，尤其涉及一种气浮托盘组件和外延生长设备。背景技术：1、外延生长设备中，外延片放置在气浮托盘上，以对外延片的表面进行外延生长。当外延生长设备对外延片的表面进行外延生长时，需要气浮托盘......
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发光二极管外延片及其制备方法、LED与流程
本发明涉及光电，尤其涉及一种发光二极管外延片及其制备方法、led。背景技术：1、氮化镓(gan)是代表性的iii-v族氮化物半导体材料， p型gan材料的获取难度要比获得n型gan的难度大很多，曾经严......
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一种外延设备的制作方法
本技术涉及半导体制备，尤其涉及一种外延设备。背景技术：1、在制备半导体的过程中，有时需要为半导体器件制备外延层。2、外延设备制备外延层时，需要给机台的基座加热，使得基座将热量传导至反应腔室，便于在反应......
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一种高性能MOSFET功率器件外延设计结构、制作方法及应用与流程
本发明涉及半导体功率器件，尤其涉及一种高性能mosfet功率器件外延设计结构、制作方法及应用。背景技术：1、功率mosfet器件是开关变换器中常用的功率器件，其损耗的大小对开关变换器的性能和效率有着直......
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含超晶格外延插入的外延片及其制备方法、晶体管与流程
本发明涉及半导体，具体涉及一种含超晶格外延插入的外延片、一种含超晶格外延插入的外延片的制备方法和一种高电子迁移率晶体管。背景技术：1、氮化镓gan或氮化铝镓gaaln（下称“氮化（铝）镓”）高电子迁移......
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一种基于1T’相二维半导体界面的聚合物铁电超薄膜外延生长方法
本发明涉及纳米科学，具体涉及一种基于1t’相二维半导体界面的聚合物铁电超薄膜外延生长方法。背景技术：1、进入21世纪，芯片器件微型化、集成化、低能耗的发展需求，加速促进了新型铁电功能薄膜基础及应用研究......
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一种碳化硅外延工艺尾气处理设备的制作方法
本发明涉及尾气处理领域，尤其涉及一种碳化硅外延工艺尾气处理设备。背景技术：1、外延层是在晶圆的基础上，经过外延工艺生长出特定单晶薄膜，衬底晶圆和外延薄膜合称外延片。其中在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外......
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一种半导体外延生产尾气处理器的制作方法
本技术涉及半导体生产，特别涉及一种半导体外延生产尾气处理器。背景技术：1、半导体生产时，会产生有害尾气，如果直接排放会污染大气，因此，需要对尾气进行处理。2、尾气处理时，常使用燃烧法将尾气中的有害物燃......
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一种LED外延片及其制备方法、LED芯片与流程
本发明涉及半导体器件，特别涉及一种led外延片及其制备、led芯片。背景技术：1、黄绿光570nm波段一般由四元系algainp材料作为量子阱，algainp材料覆盖了红、黄、黄绿光，对于黄绿光，al......
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改善非选择外延发射极形貌和电阻的方法与流程
本发明涉及半导体，特别是涉及一种改善非选择外延发射极形貌和电阻的方法。背景技术：1、现有技术55nm技术节点的bi cmos平台，hbt(异质结双极晶体管)器件的发射极(emitter)采用sias外......
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一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管与流程
本发明涉及半导体，具体涉及一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管。背景技术：1、发光二极管(lightemitting diode，led)，是一种半导体组件。led被称为第四代照明光源或绿色光......
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一种去除碳化硅外延片揭膜后脏污的清洗方法与流程
本发明涉及半导体清洗工艺，特别涉及一种去除碳化硅外延片揭膜后脏污的清洗方法。背景技术：1、随着碳化硅半导体技术的不断发展，对工艺技术的要求越来越高，特别是碳化硅晶片的表面清洁质量，其主要原因是晶片表面......
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一种耐高压低导通电阻GaNHEMT外延片及其制备方法与流程
本发明属于功率器件，涉及一种gan hemt功率器件，具体涉及一种耐高压低导通电阻gan hemt外延片及其制备方法。背景技术：1、gan基材料漏电主要有两个方面：一是背景载流子浓度过高，二是在gan......
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一种带有棱柱形外延翅片的冷板及电池热管理系统的制作方法
本发明属于方形电池热管理，尤其涉及一种带有棱柱形外延翅片的冷板及电池热管理系统。背景技术：1、方形锂离子电池由于技术成熟、产品质量稳定、自动化程度高、生产效率高、安全性良好、高能量密度、长寿命、便于携......
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外延片及其制备方法、高电子迁移率晶体管和射频器件与流程
本发明涉及半导体，具体涉及一种外延片、一种外延片的制备方法、一种高电子迁移率晶体管和一种射频器件。背景技术：1、氮化镓gan或氮化铝镓gaaln（下称“氮化（铝）镓”）高电子迁移率晶体管（hemt，h......
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一种LED外延结构、LED芯片及显示设备的制作方法
本技术涉及led，更具体地说，涉及一种led外延结构、led芯片及显示设备。背景技术：1、algainp四元系黄绿光led芯片由于其发光波长范围为530nm-570nm，芯片发光内量子效率伴随波长降低......
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插入渐变C含量的外延片及制备方法、晶体管和射频器件与流程
本发明涉及半导体，具体涉及一种插入渐变c含量的外延片、一种插入渐变c含量的外延片的制备方法、一种高电子迁移率晶体管和一种射频器件。背景技术：1、氮化镓gan或氮化铝镓gaaln（下称“氮化（铝）镓”）......
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一种低铱含量铱钽钛阳极的制备方法与流程
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