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一种高压碳化硅MOSFET的漏电流检测电路及方法
本发明涉及封装测试，具体为一种一种高压碳化硅mosfet的漏电流检测电路及方法。背景技术：1、在功率模块的设计与研制中，测试往往用于评估产品的可靠性与性能，是其中必不可少的环节。对于高压碳化硅模块的测......
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碳化硅功率器件终端结构及其制造方法与流程
本发明属于半导体器件，具体涉及一种碳化硅功率器件终端结构及其制造方法。背景技术：1、因其更大的禁带宽度、较高的电子饱和漂移速度、较强的抗辐照能力、更高的击穿电场和热导率，sic材料在新能源汽车、轨道交......
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碳化硅半导体装置及其制造方法与流程
本公开涉及一种碳化硅半导体装置及其制造方法。背景技术：1、在专利文献1中公开有以下的半导体装置：通过对六方晶单晶体的碳化硅基板进行磷的离子注入来形成非晶层，并通过进行热处理来将非晶层重结晶为立方晶单晶......
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一种用于碳化硅衬底研磨用单晶钻石液的制备方法与流程
本发明涉及研磨液，更具体地说，涉及一种用于碳化硅衬底研磨用单晶钻石液的制备方法。背景技术：1、碳化硅衬底是一种用于制造半导体器件的基础材料，它主要由碳化硅单晶体构成，具有许多优良的物理特性，使其在高功......
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具有密度梯度的多晶碳化硅基板及其制造方法与流程
本公开涉及一种多晶碳化硅(sic)基础基板或晶片，其包括在第一侧处的第一密度、在与第一侧相对的第二侧处的第二密度以及从第二侧向第一侧增加的密度梯度。背景技术：1、半导体行业已对碳化硅(sic)表现出极......
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带有嵌入式碳化硅涂层的石墨基座及其制备方法与应用与流程
本发明涉及半导体，特别是涉及带有嵌入式碳化硅涂层的石墨基座及其制备方法与应用。背景技术：1、随着发光二极管（light-emitting diode，led）产业迅速发展，led外延片的需求量不断增加......
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一种碳化硅密封环的制作方法
本技术涉及密封环，具体为一种碳化硅密封环。背景技术：1、密封环是密封装置中用于密封的零件，碳化硅具有化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好的特点，在一些对强度要求颇高的细微元件上具有较佳的......
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一种无惰性气氛保护的碳化硅多孔材料生长装置和生长方法
本发明涉及碳化硅多孔材料制备领域，尤其是涉及一种无惰性气氛保护的碳化硅多孔材料生长装置和生长方法。背景技术：1、碳化硅多孔材料因具有优异的抗氧化性能、热稳定性及热辐射抑制能力，可用作耐火材料、隔热材料......
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一种碳化硅单晶的生长装置及制备碳化硅单晶的方法与流程
本发明属于晶体生长，具体涉及一种碳化硅单晶的生长装置及制备碳化硅单晶的方法。背景技术：1、碳化硅(sic)单晶凭借其禁带宽度大、临界击穿场强大、热导率高、饱和漂移速度高等诸多特点，被广泛应用于制作高温......
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一种碳化硅陶瓷基复合材料制备用球磨设备及其使用方法与流程
本发明属于球磨机，具体公开了一种碳化硅陶瓷基复合材料制备用球磨设备及其使用方法。背景技术：1、碳化硅陶瓷基复合材料是一种先进的材料，它结合了碳化硅陶瓷的高温性能、优异的机械强度和良好的化学稳定性，以及......
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碳化硅晶体生长装置的制作方法
本发明涉及半导体设备，尤其是涉及一种碳化硅晶体生长装置。背景技术：1、相关技术中指出，物气相传输法(physical vapor transport；pvt)是目前碳化硅长晶最常用的方法，pvt法是通......
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一种降低碳化硅晶体应力的退火装置的制作方法
本技术属于退火装置，特别涉及一种降低碳化硅晶体应力的退火装置。背景技术：1、碳化硅的退火是指将碳化硅材料暴露在一定温度下，以降低或消除材料内部的应力，改善其晶体结构和性能的过程，退火是一种热处理方法，......
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碳化硅破碎装置的制作方法
本技术涉及碳化硅破碎，具体是碳化硅破碎装置。背景技术：1、碳化硅是用石英砂、石油焦、木屑等原料通过电阻炉高温冶炼而成，碳化硅又称碳硅石，在当代c、n、b等非氧化物高技术耐火原料中，碳化硅是应用最广泛、......
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一种凝胶注成型无压烧结碳化硅陶瓷的制备方法与流程
本申请涉及陶瓷制备技术的领域，尤其是涉及一种凝胶注成型无压烧结碳化硅陶瓷的制备方法。背景技术：1、碳化硅陶瓷具有优良的常温力学性能，抗弯强度、抗氧化性、耐腐蚀性、耐磨性能等，也具有良好的高温力学性能。......
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电阻法碳化硅单晶生长设备的制作方法
本发明属于碳化硅单晶生长，尤其涉及一种电阻法碳化硅单晶生长设备。背景技术：1、碳化硅是一种重要的半导体材料，具有高熔点、优异的电学特性和热学性能，因此在功率电子、光电子、半导体器件等领域有着广泛的应用......
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多相碳化硅模块的封装结构的制作方法
本发明涉及一种多相碳化硅模块的封装结构，特别涉及一种将至少两个半桥模块封装于同一封装体，不仅降低组装成本，并且具有改善多相碳化硅模块散热并减少功率损耗的效果的多相碳化硅模块的封装结构。背景技术：1、碳......
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一种提高PVT法碳化硅单晶生长速率的生长方法
本发明涉及半导体，具体涉及一种提高pvt法碳化硅单晶生长速率的生长方法。背景技术：1、碳化硅具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率好、饱和电子漂移速率快等优异的物理和化学性能，是继硅、砷化镓之后的典型的第......
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一种提高可靠性能力的碳化硅二极管及其制备方法与流程
本发明涉及碳化硅二极管，主要涉及到一种提高可靠性能力的二极管的结构及其制备方法。背景技术：0、技术背景1、时至今日，可持续发展已成为全球范围内的重要议题，在人类的日常生活需求中，很大一部分需求是依靠电......
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碳化硅半导体装置的制作方法
本发明涉及一种碳化硅(sic)半导体装置。背景技术：1、专利文献1公开：通过对六方晶单晶体的碳化硅基板进行离子注入来形成非晶层，并通过进行热处理来使非晶层重结晶为立方晶单晶体的碳化硅。2、现有技术文献......
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分裂栅型沟槽碳化硅MOSFET器件及其制备方法与流程
本发明属于半导体功率器件领域，具体涉及一种沟槽栅型碳化硅功率mosfet器件及其制造方法。背景技术：1、碳化硅(sic)材料具有禁带宽度大、击穿电场高、导热系数大等特点，sic功率器件相较于硅基功率器......
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降低发热体打火的碳化硅单晶生长装置和碳化硅单晶的生长方法与流程
本发明涉及半导体，具体而言，涉及一种降低发热体打火的碳化硅单晶生长装置和碳化硅单晶的生长方法。背景技术：1、碳化硅是一种优质的宽带隙半导体材料，其具有宽禁带、高击穿电场、高热导率、高饱和电子漂移速率等......
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可减少碳包裹的碳化硅热场体系的制作方法
本发明涉及半导体领域，尤其是涉及一种可减少碳包裹的碳化硅热场体系。背景技术：1、碳化硅(sic)单晶材料是目前发展较为成熟的宽禁带半导体材料，在高压、高频、高功率及耐高温等领域应用广泛。目前，新能源汽......
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一种碳化硅晶体生长设备的制作方法
本发明涉及碳化硅晶体制备，具体为一种碳化硅晶体生长设备。背景技术：1、碳化硅晶体是一种重要的半导体材料，其晶体结构具有多种形态，主要分为六方或菱面体的α-sic和立方体的β-sic两大类，它具有一系列......
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碳化硅颗粒增强铝基复合材料力学性能的预测方法
本发明涉及复合材料，具体地，涉及一种碳化硅颗粒增强铝基复合材料力学性能的预测方法。背景技术：1、碳化硅颗粒增强铝基复合材料因其高模量、高强度、高耐磨性以及低热膨胀系数等优异的综合性能，被广泛应用于航空......
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一种碳化硅半导体材料热处理设备的制作方法
本发明涉及半导体生产，具体为一种碳化硅半导体材料热处理设备。背景技术：1、对碳化硅晶片进行高温氧化处理时。目前的高温氧化设备在温度控制、氧含量控制和颗粒控制等方面存在一定的缺陷，例如工艺腔室中可能存在......
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2024-10-21精选技术
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