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碳化硅器件的高温耐压极限值的确定方法和系统与流程
本技术涉及碳化硅器件的测试，具体而言，涉及一种碳化硅器件的高温耐压极限值的确定方法和系统。背景技术：1、碳化硅（sic）mosfet是一种基于sic半导体材料制造的金属-氧化物-半导体场效应晶体管。与......
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一种基于碳化硅二极管的锂电池管理与防护系统
本发明涉及一种基于碳化硅二极管的锂电池管理与防护系统，属于锂电池与半导体。背景技术：1、碳化硅(sic)雪崩光电二极管(apd)是一种高性能的光电探测器，它利用雪崩倍增效应来提高光信号的检测灵敏度。与......
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碳化硅芯片的场氧化层制备方法与流程
本发明涉及半导体，更具体地说，本发明涉及碳化硅芯片的场氧化层制备方法。背景技术：1、碳化硅是一种高频、高效、高功率的先进第三代半导体材料，不仅能够满足智能制造、节能减排以及信息安全等国家重大战略需求，......
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一种碳化硅MOSFET功率器件终端结构
本发明属于碳化硅mosfet功率器件，具体涉及一种碳化硅mosfet功率器件终端结构。背景技术：1、碳化硅是新一代宽禁带半导体材料，碳化硅mosfet功率器件没有少子存储效应，器件开关速度快，开关损耗......
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一种改善栅极电场的碳化硅场效应管器件的制作方法
本发明属于半导体器件，尤其涉及一种改善栅极电场的碳化硅场效应管器件。背景技术：1、随着电力电子技术不断向高能效、高功率密度和小型化发展，目前对于功率开关器件的功耗和开关速度提出了更高的要求。碳化硅材料......
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碳化硅基浮空背势垒栅功率器件及其制备方法与流程
本发明涉及半导体器件，特别是涉及一种碳化硅基浮空背势垒栅功率器件及其制备方法。背景技术：1、碳化硅(sic)作为第三代半导体典型代表，碳化硅材料具有较宽的禁带宽度，还具有高的击穿电压，高的热导率，高的......
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一种氧化锌和碳化硅协同增强曳引机用树脂基复合材料耐磨性的方法
本发明涉及树脂基摩擦材料，特别是涉及增强曳引机用树脂基复合材料耐磨性的方法。背景技术：1、摩擦材料是一种应用于各类交通工具及动力机械上，依靠摩擦作用来吸收或传递动力，从而执行制动或传动功能的关键材料；......
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一种碳化硅外延衬底片精密装片装置的制作方法
本技术涉及一种碳化硅外延衬底片精密装片装置。背景技术：1、半导体行业作为现代电子信息产业的基础，是支撑国民经济高质量发展的重要行业。第三代半导体指的是碳化硅（sic）、氮化镓（gan）等具有宽禁带（e......
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可防止预先升华的硅氛沉积的碳化硅晶体生长装置的制作方法
本发明涉及碳化硅晶体生长，具体而言，涉及一种可防止预先升华的硅氛沉积的碳化硅晶体生长装置。背景技术：1、碳化硅晶体的生长比较困难，目前普遍采用物理气相沉积法（也称为pvt法）进行碳化硅的晶体生长。pv......
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一种用于大尺寸碳化硅晶体的加工方法与流程
本发明涉及碳化硅晶体，更具体地涉及一种用于大尺寸碳化硅晶体的加工方法。背景技术：1、碳化硅(sic)晶体是一种由硅和碳元素组成的化合物，具有极高的硬度、耐磨性、热稳定性和化学稳定性。其晶格结构由致密排......
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一种泵用氮化硅结合碳化硅烧结陶瓷材料及其制备方法与流程
本发明涉及一种泵用氮化硅结合碳化硅烧结陶瓷材料及其制备方法，属于特种工业泵。背景技术：1、随着现代工业的发展，工业渣浆泵的服役环境变得恶劣，在腐蚀、冲蚀与汽蚀的交互作用下，使得一般工业渣浆泵的金属过流......
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用于碳化硅单晶扩径的方法
本发明属于碳化硅晶体制备领域。具体而言，本发明涉及一种用于碳化硅单晶扩径方法。背景技术：1、碳化硅(sic)是受到广泛关注的宽带隙半导体材料之一，其具有密度低、禁带宽度大(室温下，4h-sic的带隙为......
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一种基于碳化硅双面子模块并联的大容量电力电子模块
本发明涉及电力电子器件封装集成，具体为一种基于碳化硅双面子模块并联的大容量电力电子模块。背景技术：1、近年来，以碳化硅为代表的宽带隙半导体器件发展迅猛，。与传统硅器件相比，碳化硅器件具有导通电阻小、击......
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一种高压碳化硅MOSFET的漏电流检测电路及方法
本发明涉及封装测试，具体为一种一种高压碳化硅mosfet的漏电流检测电路及方法。背景技术：1、在功率模块的设计与研制中，测试往往用于评估产品的可靠性与性能，是其中必不可少的环节。对于高压碳化硅模块的测......
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碳化硅功率器件终端结构及其制造方法与流程
本发明属于半导体器件，具体涉及一种碳化硅功率器件终端结构及其制造方法。背景技术：1、因其更大的禁带宽度、较高的电子饱和漂移速度、较强的抗辐照能力、更高的击穿电场和热导率，sic材料在新能源汽车、轨道交......
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碳化硅半导体装置及其制造方法与流程
本公开涉及一种碳化硅半导体装置及其制造方法。背景技术：1、在专利文献1中公开有以下的半导体装置：通过对六方晶单晶体的碳化硅基板进行磷的离子注入来形成非晶层，并通过进行热处理来将非晶层重结晶为立方晶单晶......
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一种用于碳化硅衬底研磨用单晶钻石液的制备方法与流程
本发明涉及研磨液，更具体地说，涉及一种用于碳化硅衬底研磨用单晶钻石液的制备方法。背景技术：1、碳化硅衬底是一种用于制造半导体器件的基础材料，它主要由碳化硅单晶体构成，具有许多优良的物理特性，使其在高功......
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具有密度梯度的多晶碳化硅基板及其制造方法与流程
本公开涉及一种多晶碳化硅(sic)基础基板或晶片，其包括在第一侧处的第一密度、在与第一侧相对的第二侧处的第二密度以及从第二侧向第一侧增加的密度梯度。背景技术：1、半导体行业已对碳化硅(sic)表现出极......
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带有嵌入式碳化硅涂层的石墨基座及其制备方法与应用与流程
本发明涉及半导体，特别是涉及带有嵌入式碳化硅涂层的石墨基座及其制备方法与应用。背景技术：1、随着发光二极管（light-emitting diode，led）产业迅速发展，led外延片的需求量不断增加......
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一种碳化硅密封环的制作方法
本技术涉及密封环，具体为一种碳化硅密封环。背景技术：1、密封环是密封装置中用于密封的零件，碳化硅具有化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好的特点，在一些对强度要求颇高的细微元件上具有较佳的......
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一种无惰性气氛保护的碳化硅多孔材料生长装置和生长方法
本发明涉及碳化硅多孔材料制备领域，尤其是涉及一种无惰性气氛保护的碳化硅多孔材料生长装置和生长方法。背景技术：1、碳化硅多孔材料因具有优异的抗氧化性能、热稳定性及热辐射抑制能力，可用作耐火材料、隔热材料......
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一种碳化硅单晶的生长装置及制备碳化硅单晶的方法与流程
本发明属于晶体生长，具体涉及一种碳化硅单晶的生长装置及制备碳化硅单晶的方法。背景技术：1、碳化硅(sic)单晶凭借其禁带宽度大、临界击穿场强大、热导率高、饱和漂移速度高等诸多特点，被广泛应用于制作高温......
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一种碳化硅陶瓷基复合材料制备用球磨设备及其使用方法与流程
本发明属于球磨机，具体公开了一种碳化硅陶瓷基复合材料制备用球磨设备及其使用方法。背景技术：1、碳化硅陶瓷基复合材料是一种先进的材料，它结合了碳化硅陶瓷的高温性能、优异的机械强度和良好的化学稳定性，以及......
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碳化硅晶体生长装置的制作方法
本发明涉及半导体设备，尤其是涉及一种碳化硅晶体生长装置。背景技术：1、相关技术中指出，物气相传输法(physical vapor transport；pvt)是目前碳化硅长晶最常用的方法，pvt法是通......
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一种降低碳化硅晶体应力的退火装置的制作方法
本技术属于退火装置，特别涉及一种降低碳化硅晶体应力的退火装置。背景技术：1、碳化硅的退火是指将碳化硅材料暴露在一定温度下，以降低或消除材料内部的应力，改善其晶体结构和性能的过程，退火是一种热处理方法，......
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