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中央凹分辨率显示器中的分组显示栅极扫描的制作方法
背景技术:1、本公开涉及一种显示设备,并且具体地涉及具有可配置分辨率的硅基有机发光二极管(organic light emitting diode,oled)显示器。2、通常在虚拟现实(virtual......
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一种改善栅极电场的碳化硅场效应管器件的制作方法
本发明属于半导体器件,尤其涉及一种改善栅极电场的碳化硅场效应管器件。背景技术:1、随着电力电子技术不断向高能效、高功率密度和小型化发展,目前对于功率开关器件的功耗和开关速度提出了更高的要求。碳化硅材料......
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具有选择性着陆的栅极阵列的晶体管的制作方法
本说明书涉及半导体器件。背景技术:1、半导体器件通常形成于晶片(诸如硅(si)晶片、碳化硅(sic)晶片或氮化镓(gan)晶片)的部分上。其中形成器件的晶片区域可被称为有源区域。2、半导体器件通常设置......
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栅极驱动电路、主驱系统以及功率器件驱动方法与流程
本发明涉及功率器件领域,具体地,本发明涉及一种用于功率器件的栅极驱动电路,一种包括该栅极驱动电路的用于电机的主驱系统,以及一种利用该栅极驱动电路驱动功率器件的方法。背景技术:1、在新能源车辆(例如,电......
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包括具有不同横向邻近分段的栅极的半导体器件和方法与流程
本公开涉及半导体器件,更具体地说,涉及半导体器件(例如,横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(ldmosfet))的实施例以及形成该半导体器件的方法的实施例。背景技术:1、现代集成电路(ic)设计中考......
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栅极驱动电路及其驱动方法、显示面板与流程
本发明涉及显示,尤其涉及一种栅极驱动电路及其驱动方法、显示面板。背景技术:1、随着显示技术的不断发展,有机发光二极管的显示面板的应用范围越来越广泛,人们对显示面板的要求也越来越高。2、但目前的有机发光......
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一种栅极驱动电路、显示面板及显示装置的制作方法
本发明涉及显示,尤其涉及一种栅极驱动电路、显示面板及显示装置。背景技术:1、随着的显示技术的要求越来越高,显示面板的结构越来越复杂。通常显示面板的非显示区设置有栅极驱动电路,栅极驱动电路结构越复杂,其......
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一种提高SiCMOSFET开关性能的有源栅极驱动电路及应用
本发明涉及电力电子领域,具体是一种提高sic mosfet开关性能的有源栅极驱动电路及应用。背景技术:1、随着电力电子技术的快速发展,对器件的可靠性,效率要求逐渐升高。传统的硅基器件已经越来越接近其材......
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用于驱控功率电子器件的栅极驱动器的信号输出组件的制作方法
本发明涉及电动汽车领域,尤其是用于驱控栅极驱动器的信号输出组件。背景技术:1、半导体晶体管在许多领域用作为电子开关,也被称为半导体开关。这是可行的,因为半导体开关可以在两种状态之间来回切换。第一种状态......
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MOS管栅极驱动电路、逆变系统的串扰测试装置及方法与流程
本技术涉及功率器件,特别是涉及一种mos管栅极驱动电路、逆变系统的串扰测试装置及方法。背景技术:1、碳化硅mos管较硅基igbt具有更快的切换速度(更短的切换时间)、较低的损耗、更高的开关频率、更高的......
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栅极驱动电路、栅极驱动方法以及显示面板与流程
本技术涉及显示面板,尤其涉及一种栅极驱动电路、栅极驱动方法以及显示面板。背景技术:1、随着显示面板技术的不断发展,电子显示器作为现代信息显示的核心组件,在各类环境中的应用日益广泛。然而,极端温度条件对......
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一种基于栅极电感和漏源耦合电感的宽带低噪声放大器
本技术涉及集成电路,特别涉及一种基于栅极电感和漏源耦合电感的宽带低噪声放大器。背景技术:1、随着无线通信技术的迅速发展,蓝牙、wifi、gps等通信收发机已经取得长足的发展,同时也不可避免的造成频谱资......
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隔离栅极驱动电路及驱动器的制作方法
本发明涉及驱动电路,尤其涉及一种隔离栅极驱动电路及驱动器。背景技术:1、驱动电路是现代电力电子系统中的重要组成部分,其中,隔离栅极驱动电路通过形成单独的接地基准,将初级侧低压电路与次级侧高压电路进行电......
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基于毫米波的隔离式双向通讯栅极驱动电路及栅极驱动器的制作方法
本技术涉及栅极驱动,尤其涉及一种基于毫米波的隔离式双向通讯栅极驱动电路及栅极驱动器。背景技术:1、随着igbt(insulated gate bipolar transistor,绝缘栅双极晶体管)和......
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一种栅极调控的平行栅发光管器件结构
本发明涉及光电显示领域,特别涉及一种栅极调控的平行栅发光管器件结构。背景技术:1、量子点作为发光材料,具有半峰宽窄、色纯度高、量子产率极高、全光谱可调等优点,因此量子点发光二极管(qled)极有可能成......
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一种栅极调控无注入型发光器件结构的制作方法
本发明涉及光电显示领域,特别涉及一种栅极调控无注入型发光器件结构。背景技术:1、量子点作为发光材料具有半峰宽窄、色纯度高、极高的量子产率和全光谱可调的优点,量子点发光二极管(qled)也因此拥有成为新......
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以金属为控制栅极的NorFlash制造方法与流程
本发明涉及半导体,特别是涉及一种以金属为控制栅极的nor flash制造方法。背景技术:1、nor型etox闪存存储器(以下简称nor flash)具有高读取速度,高可靠性,以及具备芯片内执行能力,已......
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一种栅极调控发光器件结构的制作方法
本发明涉及光电显示领域,特别涉及一种栅极调控发光器件结构。背景技术:1、量子点作为发光材料具有半峰宽窄、色纯度高、极高的量子产率和全光谱可调的优点,量子点发光二极管(qled)也因此拥有成为新型显示器......
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改善半浮栅器件栅极高度差的方法与流程
本发明涉及半导体,特别是涉及一种改善半浮栅器件栅极高度差的方法。背景技术:1、现有工艺由于浮栅器件结构构造的独特性导致在array(存储阵列)区的栅极高度较高,相较于逻辑区栅极高出约350埃。这种栅极......
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具有栅极电流分流能力的晶体管组件及其相关方法与流程
背景技术:1、晶体管广泛用于电路中,例如用于开关或放大。晶体管的例子包括但不限于场效应晶体管(fet)、双极结型晶体管(bjt)和绝缘栅双极结型晶体三极管(igbt)。fet在现代集成电路中广泛使用,......
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一种具有栅极过冲电压抑制的驱动电路
本发明涉及gan管驱动的,尤其涉及一种具有栅极过冲电压抑制的驱动电路。背景技术:1、氮化镓(gallium nitride, gan)是一种宽禁带半导体材料,因其优异的电学性能,如高的电子饱和漂移速度......
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用于三维存储设备中的中心阶梯结构的底部选择栅极触点的制作方法
本公开内容总体上涉及半导体,具体而言,涉及一种三维(3d)存储器的形成方法。背景技术:1、随着存储设备缩小到较小的管芯尺寸以降低制造成本且增加存储密度,由于工艺技术的局限性和可靠性问题,平面存储单元的......
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半导体器件栅极的制备方法及半导体器件栅极与流程
本发明涉及集成电路领域,尤其涉及一种半导体器件栅极的制备方法及半导体器件栅极。背景技术:1、在dram的平面栅时代,在外围区域的栅极结构中,用阻挡层,例如硅氮化钛(tsn)层,连接高掺杂的多晶硅(po......
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一种移位寄存器、栅极驱动电路和显示装置的制作方法
本发明实施例涉及显示,尤其涉及一种移位寄存器、栅极驱动电路和显示装置。背景技术:1、随着显示技术的发展。goa(gate drive on array,阵列基板上栅极驱动)技术在显示装置中的应用逐渐增......
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移位寄存器、栅极驱动电路、显示装置和栅极驱动方法与流程
本发明涉及显示领域,特别涉及一种移位寄存器、栅极驱动电路、显示装置和栅极驱动方法。背景技术:1、在一些显示产品中需要发光器件进行发光,发光器件所需的发光电流由驱动晶体管来提供,为了产品发光的均匀性,需......