-
一种屏蔽栅金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
本发明涉及功率半导体电力电子器件，具体涉及一种屏蔽栅金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法。背景技术：1、随着功率集成电路的发展，功率半导体器件的发展在不断蓬勃发展。在这样的背景下，屏蔽栅金属氧化物......
-
场效应晶体管及开关元件
本发明涉及场效应晶体管及开关元件。背景技术：1、半导体微处理器和高度集成电路是在半导体基板上集成金属氧化物半导体(以下，也称为“mos”)场效应晶体管(以下，也称为“fet”)等元件而制造的。一般而言......
-
一种基于图案化起伏二硫化钼沟道的场效应晶体管及其制备方法
本发明属于半导体材料及器件，更具体地，涉及一种基于图案化起伏二硫化钼沟道的场效应晶体管及其制备方法。背景技术：1、随着集成电路的快速发展，根据摩尔定律的预测，作为其中最基本电子器件之一的场效应晶体管(......
-
晶体管及其制造方法、存储器和电子设备与流程
本申请涉及半导体，具体而言，本申请涉及一种晶体管及其制造方法、存储器和电子设备。背景技术：1、晶体管具有高迁移率、稳定性好、制作工艺简单等优点，成为研究热点。然而，随着晶体管尺寸的不断微缩，晶体管容易......
-
一种快响应纤维垂直有机电化学晶体管及其制备方法
本发明属于有机电化学晶体管，具体涉及一种快响应纤维垂直有机电化学晶体管及其制备方法。背景技术：1、柔性纤维传感器以其紧凑的尺寸和360度的灵活性而闻名，可实现在生物体内的微创植入并顺应生物组织。这些优......
-
一种基于圆柱型平行双环栅场效应晶体管的生物传感器及其制备方法
本发明属于半导体器件，具体涉及一种基于圆柱型平行双环栅场效应晶体管的生物传感器及其制备方法。背景技术：1、自20世纪60年代出现的第一个用酶作为电极的生物传感器起，生命科学、化学、物理、材料、仿生等多......
-
宽带隙单极/双极晶体管的制作方法
本发明涉及半导体器件，特别地涉及功率半导体器件。背景技术：1、功率半导体器件用于承载大电流和支持高电压。在本领域中已知多种功率半导体器件，包括例如功率金属绝缘体半导体场效应晶体管(“misfet”，包......
-
具有选择性着陆的栅极阵列的晶体管的制作方法
本说明书涉及半导体器件。背景技术：1、半导体器件通常形成于晶片(诸如硅(si)晶片、碳化硅(sic)晶片或氮化镓(gan)晶片)的部分上。其中形成器件的晶片区域可被称为有源区域。2、半导体器件通常设置......
-
一种缓启动功率MOS晶体管及其制备方法与流程
本发明涉及半导体器件制造的，特别涉及一种缓启动功率mos晶体管及其制备方法。背景技术：1、米勒平台是在电子电路中，尤其是在功率开关管（如 mosfet、igbt 等）的开关过程中出现的一种现象。2、在......
-
基于超薄AlN缓冲层和SiN欧姆接触层的GaN高电子迁移率晶体管及制作方法
本发明属于半导体器件，具体涉及一种gan高电子迁移率晶体管，可用作高压功率器件和微波射频器件。背景技术：1、随着科学技术的发展，面对逐渐高耐压、高温、大功率、高效率等工作条件的情况，以硅、锗为代表的第......
-
一种基于二维过渡金属磷硫化合物铁电栅晶体管存储器及其制备方法
本发明涉及存储器的，特别是一种基于二维过渡金属磷硫化合物铁电栅晶体管存储器及其制备方法。背景技术：1、人工智能和物联网的快速发展，大大增加了对信息处理和存储的需求。为了应对这种高速增长的需求，开发具有......
-
用于晶体管源极/漏极的背侧接触部的在腔体间隔物形成之前的背侧接触部蚀刻的制作方法
背景技术：1、集成电路(ic)的更高性能、更低成本、提高的小型化和更大密度是电子工业正在追求的目标。例如，为了维持晶体管密度增加的速度，器件尺寸必须继续缩小和/或需要新的器件结构。特别地，为了提高的性......
-
场效应晶体管、绝缘栅双极型晶体管及沟槽MOS型二极管的制作方法
本发明属于半导体，特别地，涉及一种场效应晶体管、绝缘栅双极型晶体管及沟槽mos型二极管。背景技术：1、肖特基源漏mosfet结构于20世纪60年代被提出，它是利用金属源漏取代传统pn结型mosfet的......
-
基于石墨烯的自旋场效应晶体管及其制备方法与流程
本申请属于电子学，尤其涉及一种基于石墨烯的自旋场效应晶体管及其制备方法。背景技术：1、自旋电子学(spintronics)，也称磁电子学。它利用电子的自旋和磁矩，使固体器件中除电荷输运外，还加入电子的......
-
垂直晶体管阵列及其制造方法、存储器与流程
本技术涉及半导体，具体而言，本技术涉及一种垂直晶体管阵列及其制造方法、存储器。背景技术：1、随着半导体器件集成化技术的发展，对于以垂直晶体管阵列为代表的半导体器件而言，垂直晶体管阵列的存储密度较高。2......
-
一种用于晶体管垂直堆叠的集成方法
本发明涉及半导体器件制备领域，尤其是晶体管的垂直集成。背景技术：1、半个世纪以来，硅基晶体管的尺寸在不断的缩小，单芯片上晶体管的数量呈指数式增长，芯片的性能得到大幅的提高。通过先进的光刻技术减小晶体管......
-
晶体管、电力电子开关器件和用于制造晶体管的方法与流程
本公开涉及一种晶体管、特别是宽带隙功率晶体管，其包括外延层、至少一个阱区域、以及至少一个端子区域、特别是源极区域。本公开进一步涉及一种包括多个开关单元的电力电子开关器件和一种用于制造晶体管、特别是si......
-
晶体管安全工作区自适应调节装置及晶体管应用系统的制作方法
本发明涉及晶体管安全工作区控制，尤其涉及一种晶体管安全工作区自适应调节装置及晶体管应用系统。背景技术：1、晶体管的安全工作区，是指功率半导体器件能够按照预期正常工作而不会造成损坏时的电压电流等条件的范......
-
晶体管及其制备方法与流程
本公开涉及发光器件领域，特别涉及一种晶体管及其制备方法。背景技术：1、高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor，hemt)因其出色的功率处理能力和低噪声特......
-
一种流控扩展栅型场效应晶体管及其制备与应用
本发明涉及场效应晶体管传感领域，尤其是涉及一种流控扩展栅型场效应晶体管及其制备与应用。背景技术：1、现代消毒工艺是城市水处理中灭活病原微生物、预防水传播疾病暴发的重要环节。然而，消毒剂(如氯、二氧化氯......
-
横向功率晶体管结构的制作方法
本技术涉及一种横向功率晶体管结构，尤其是涉及横向功率晶体管结构的场板结构。背景技术：1、半导体功率晶体管具有非常低的导通电阻与非常快的切换速度，因此适用在电源切换(power switch)电路上，使......
-
自适应多段式晶体管驱动控制电路、控制方法及电力设备与流程
本技术涉及驱动控制领域，具体涉及一种自适应多段式晶体管驱动控制电路、控制方法及电力设备。背景技术：1、碳化硅(sic)场效应晶体管(field effect transistor，fet)具有高导热率......
-
一种沟槽型SiC场效应晶体管及制备方法与流程
本发明涉及半导体，尤其涉及一种沟槽型sic场效应晶体管及制备方法。背景技术：1、以碳化硅（sic）为代表的第三代宽禁带半导体材料，由于材料本身具备临界击穿场强大、本征载流子浓度低、饱和电子漂移速率快、......
-
一种沟槽栅晶体管的制作方法
本申请涉及半导体，特别是涉及一种沟槽栅晶体管。背景技术：1、沟槽栅晶体管相比于平面栅晶体管，可以大大缩小元胞尺寸，进而大幅度提升电流密度。例如，沟槽栅金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxid......
-
一种绝缘栅双极晶体管的电极焊接方法与流程
本发明涉及半导体器件封装，特别涉及一种绝缘栅双极晶体管的电极焊接方法。背景技术：1、在半导体器件封装领域，双封装绝缘栅双极晶体管(dpim igbt)模块的电极连接是至关重要的一环。传统的连接方式是通......
技术新讯 > 晶体管 > 列表
2024-11-21精选技术
-
用于T梁转运的装置及方法与流程
2024-08-02 -
电流互感器的性能评估方法及系统与流程
2024-09-14 -
小数据传输失败报告的制作方法
2024-10-15 -
一种河道工程用河道清淤搅动装置的制作方法
2024-07-09 -
调控叶轮组的制作方法
2024-07-30 -
一种数据丢失情况下无人水面航行器的航向控制方法
2024-08-01 -
吊架及空铁交通系统的制作方法
2024-08-01 -
一种高低压气瓶组合的氮气推进系统的制作方法
2024-08-01 -
一种船体上层建筑分段建造工艺的制作方法
2024-08-01 -
电磁加热蒸汽发生器的制作方法
2024-08-01