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一种沟槽栅晶体管的制作方法
本申请涉及半导体，特别是涉及一种沟槽栅晶体管。背景技术：1、沟槽栅晶体管相比于平面栅晶体管，可以大大缩小元胞尺寸，进而大幅度提升电流密度。例如，沟槽栅金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxid......
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一种绝缘栅双极晶体管的电极焊接方法与流程
本发明涉及半导体器件封装，特别涉及一种绝缘栅双极晶体管的电极焊接方法。背景技术：1、在半导体器件封装领域，双封装绝缘栅双极晶体管(dpim igbt)模块的电极连接是至关重要的一环。传统的连接方式是通......
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包括沟槽晶体管基元单元的半导体装置的制作方法
本公开涉及一种半导体装置，特别地涉及一种包括沟槽晶体管基元单元的半导体装置。背景技术：1、新生代半导体装置(例如，绝缘栅双极晶体管(igbt)或金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet))的技术开发......
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一种氮化镓基高电子迁移率晶体管及半导体器件
本发明涉及半导体，尤其涉及一种氮化镓基高电子迁移率晶体管及半导体器件。背景技术：1、随着半导体器件技术的发展，以gan为代表的第三代宽禁带半导体材料因其禁带宽度宽、电子迁移率高、电子饱和速度快等诸多材......
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晶体管、驱动电路、显示基板、制作方法和显示装置与流程
本发明涉及显示，尤其涉及一种晶体管、驱动电路、显示基板、制作方法和显示装置。背景技术：1、在相关技术中，igzo(indium gallium zinc oxide，氧化铟镓锌)晶体管的导通电流大，发......
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具有减小的输入电容的多沟道高电子迁移率晶体管的制作方法
本公开涉及半导体装置的领域，并且具体地涉及具有减小的输入电容的多沟道高电子迁移率晶体管。背景技术：1、hemt(高电子迁移率场效应晶体管)也被称为异质结构fet(hfet)以及调制掺杂fet(modf......
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横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路与流程
本发明涉及半导体，具体地，涉及一种横向双扩散场效应晶体管、一种横向双扩散场效应晶体管制作方法、一种芯片和一种电路。背景技术：1、横向双扩散场效应晶体管（lateral double-diffused ......
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横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路与流程
本发明涉及半导体，具体地，涉及一种横向双扩散场效应晶体管制作方法、一种横向双扩散场效应晶体管、一种芯片和一种电路。背景技术：1、横向双扩散场效应晶体管（lateral double-diffused ......
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载流子存储沟槽栅双极晶体管器件及其制备方法与流程
本发明涉及及集成电路制造，尤其涉及一种载流子存储沟槽栅双极晶体管器件及其制备方法。背景技术：1、载流子存储沟槽栅双极晶体管(cstbt)作为下一代绝缘栅双极晶体管(igbt)器件被广泛研究。载流子存储......
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神经形态晶体管及制造方法、神经形态器件
本公开涉及神经网络领域，特别涉及一种神经形态晶体管及制造方法和神经形态器件。背景技术：1、神经系统被认为是神经元细胞通过突触相互连接的集合体。从这个角度看，细胞不是孤立的个体，而是在错综复杂的细胞元件......
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鳍式场效应晶体管器件及其形成方法与流程
本公开涉及鳍式场效应晶体管器件及其形成方法。背景技术：1、由于各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度不断提高，半导体行业经历了快速增长。在大多数情况下，集成密度的提高来自于最......
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基于ScAlN_GaN的P沟道异质结场效应晶体管及其制备方法
本发明属于半导体器件，更具体地说，涉及一种基于scaln_gan的p沟道异质结场效应晶体管及其制备方法。背景技术：1、新一代半导体材料氮化镓(gan)具有宽禁带(3.4ev)、高击穿电压(3.1mv/......
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一种叠栅介质氧化物异质结结构隧道场效应晶体管的制作方法
本发明属于微电子，具体涉及一种叠栅介质氧化物异质结结构隧道场效应晶体管。背景技术：1、随着芯片集成度和应用需求的不断提高，静态功耗与器件性能之间的矛盾已成为一个严重的问题，其中，降低电子设备的功耗是未......
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基于直接驱动的耗尽型功率开关晶体管在能量变换电路中的使用方法
本发明涉及电力电子，更具体地，涉及一种基于直接驱动的耗尽型功率开关晶体管在能量变换电路中的使用方法。背景技术：1、电力电子变换器的核心部件是功率晶体管，通过高速开关切换实现电能转换。它被广泛应用于能源......
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基于氧化铟镓锌晶体管的电路单元、制备方法和电路架构
本公开涉及电路，更具体地涉及一种基于氧化铟镓锌晶体管的电路单元、制备方法和电路架构。背景技术：1、随着人工智能领域的飞速发展，基于存内计算的架构可以将存储单元和计算单元融为一体，以使得人工智能算法中的......
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基于场效应晶体管的阈值电压差的参考电压发生器的制作方法
本公开的各方面整体涉及参考电压发生器，并且具体地，涉及基于场效应晶体管(fet)的阈值电压差的参考电压发生器。背景技术：1、参考电压发生器用于多种电路(诸如模拟电路)中，以在宽温度范围内提供基本与温度......
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一种晶体管阵列的漏电测试结构及其生成方法和存储介质与流程
本申请涉及芯片测试，特别是涉及一种晶体管阵列的漏电测试结构及其生成方法和存储介质。背景技术：1、集成电路尤其超大规模集成电路的主要半导体器件是金属-氧化物-半导体场效应管(mos晶体管)。随着集成电路......
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高电子迁移率晶体管及其制作方法与流程
本发明涉及一种高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor，hemt)，尤其是涉及一种能降低电流击穿(current collapse)问题的高电子迁移率晶体......
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一种半导体集成晶体管封装结构的制作方法
本技术涉及晶体管封装，具体为一种半导体集成晶体管封装结构。背景技术：1、晶体管是一种固体半导体器件(包括二极管、三极管、场效应管、晶闸管等，有时特指双极型器件)，具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号......
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一种沟槽栅晶体管的制作方法
本申请涉及半导体，特别是涉及一种沟槽栅晶体管。背景技术：1、沟槽栅晶体管相比于平面栅晶体管，可以大大缩小元胞尺寸，进而大幅度提升电流密度。例如，沟槽栅金属氧化物半导体场效应晶体管（metal-oxid......
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包含Si/4H-SiC异质发射结和半超结的增强型逆导-绝缘栅双极晶体管的制备方法
本发明涉及功率半导体，尤其涉及一种包含si/4h-sic异质发射结和半超结的增强型逆导-绝缘栅双极晶体管(以下简称hje-ssj-rc-igbt)的制备方法。背景技术：1、功率半导体器件在电力电子系统......
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含超晶格外延插入的外延片及其制备方法、晶体管与流程
本发明涉及半导体，具体涉及一种含超晶格外延插入的外延片、一种含超晶格外延插入的外延片的制备方法和一种高电子迁移率晶体管。背景技术：1、氮化镓gan或氮化铝镓gaaln（下称“氮化（铝）镓”）高电子迁移......
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晶体管电容测量设备、方法、装置、电子设备及存储介质与流程
本公开涉及集成电路测量，具体涉及晶体管电容测量设备、方法、装置、电子设备及存储介质。背景技术：1、晶体管cv(电容-电压)特性测试用于评估晶体管栅极氧化物及扩散材料的物理及电学特性，其中，晶体管的cg......
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利用纳米线获得超高等效迁移率晶体管的方法与器件
本发明涉及一种利用纳米线获得超高等效迁移率晶体管的方法与器件，尤其涉及超高密度周期性回转结构纳米线栅控沟道层的设计和制备方法，涉及半导体工艺与制造领域。背景技术：1、目前驱动显示的有源矩阵tft的栅极......
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基于绝缘层上硅的单晶体管原位传感随机存取存储器件
本发明属于半导体器件，具体涉及一种基于绝缘层上硅(soi)的单晶体管原位传感随机存取存储器件。背景技术：1、随着存储单元面积接近极限，传统1t1c-dram的尺寸缩小遇到困难。首先，虽然存储单元的尺寸......
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