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一种沟槽刻蚀方法及沟槽隔离结构与流程
本发明涉及半导体器件相关，具体地说，涉及一种沟槽刻蚀方法及沟槽隔离结构。背景技术：1、深沟槽隔离(deep trench isolation，dti)技术一直是半导体的工艺制程中的关键技术，特别是深沟......
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一种沟槽栅晶体管的制作方法
本申请涉及半导体，特别是涉及一种沟槽栅晶体管。背景技术：1、沟槽栅晶体管相比于平面栅晶体管，可以大大缩小元胞尺寸，进而大幅度提升电流密度。例如，沟槽栅金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxid......
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包括沟槽晶体管基元单元的半导体装置的制作方法
本公开涉及一种半导体装置，特别地涉及一种包括沟槽晶体管基元单元的半导体装置。背景技术：1、新生代半导体装置(例如，绝缘栅双极晶体管(igbt)或金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet))的技术开发......
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分裂栅型沟槽碳化硅MOSFET器件及其制备方法与流程
本发明属于半导体功率器件领域，具体涉及一种沟槽栅型碳化硅功率mosfet器件及其制造方法。背景技术：1、碳化硅(sic)材料具有禁带宽度大、击穿电场高、导热系数大等特点，sic功率器件相较于硅基功率器......
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载流子存储沟槽栅双极晶体管器件及其制备方法与流程
本发明涉及及集成电路制造，尤其涉及一种载流子存储沟槽栅双极晶体管器件及其制备方法。背景技术：1、载流子存储沟槽栅双极晶体管(cstbt)作为下一代绝缘栅双极晶体管(igbt)器件被广泛研究。载流子存储......
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一种沟槽隔离结构及其制备方法与流程
本发明涉及半导体，特别是涉及一种沟槽隔离结构及其制备方法。背景技术：1、目前bcd(在同一芯片上制作双极管bipolar、cmos和dmos器件)浅沟槽工艺中，通过测试模式的fa(失效分析)发现在硅衬......
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具有超结沟槽栅的MOSFET器件及其制造方法与流程
本发明涉及半导体，特别是涉及一种具有超结沟槽栅的mosfet器件及其制造方法。背景技术：1、沟槽栅mosfet器件广泛用于功率转换电路，常用于功率开关器件。沟槽栅的导通电阻rsp和击穿电压bv是其重要......
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一种沟槽型微结构CsPbBr3核辐射探测器及制备工艺
本发明涉及核辐射探测，特别的涉及一种沟槽型微结构cspbbr3核辐射探测器及制备工艺。背景技术：1、随着核辐射探测技术的快速发展，该核辐射探测技术在核能安全监测、核事故应急响应、核医学、环境辐射监测、......
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一种用于沟槽管件内壁喷涂装置及其喷涂方法与流程
本发明涉及喷涂装置领域，尤其涉及一种用于沟槽管件内壁喷涂装置及其喷涂方法。背景技术：1、沟槽管件内壁喷涂是一种专门的表面处理技术，主要用于增强管道内部的耐腐蚀性、耐磨性和密封性能。这一工艺通常涉及在管......
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一种可调式排水沟槽支护装置的制作方法
本发明涉及水利工程，具体涉及一种可调式排水沟槽支护装置。背景技术：1、在水利工程中，排水沟的浇筑是一项关键工作，它确保了雨水和地下水的有效管理。在排水沟浇筑过程中，经常需要使用塑料模板作为排水沟浇筑时......
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屏蔽栅沟槽MOSFET总剂量效应的紧凑SPICE模型建模方法
本发明涉及集成电路领域，主要涉及到一种屏蔽栅沟槽(shield-gate trench,sgt)mosfet总剂量效应(total ionizing dose,tid)的紧凑spice模型建模方法。背......
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一种内部均流的沟槽栅碳化硅VDMOS的制备方法与流程
本发明涉及一种内部均流的沟槽栅碳化硅vdmos的制备方法。背景技术：1、碳化硅mosfet是sic功率器件的典型代表，在电动汽车、航空航天、电力转换等领域有广泛的应用。器件结构和制备工艺的发展推动器件......
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单元电路中用于减小电阻的沟槽电源轨以及相关电源分配网络和制造方法与流程
背景技术：1、i.技术领域2、本公开的领域整体涉及集成电路(ic)中的电源轨，并且具体地涉及标准单元电路的供电电压和接地连接的分配。3、ii.背景4、在电子设备中使用的集成电路(ic)不断趋向于大小更......
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一种高耐压沟槽型SiC功率器件及制备方法与流程
本发明涉及半导体功率器件领域，尤其是一种高耐压沟槽型sic功率器件及制备方法。背景技术：1、为响应国家绿色环保的能源需求号召，电力电子行业正大力发展迭代各类器件以谋求高功率处理能力及低能量损耗。其中，......
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一种钢管沟槽连接的辅助支架的制作方法
：本技术涉及建筑机械，具体为一种钢管沟槽连接的辅助支架。背景技术0、背景技术：1、在建筑、管道等领域，钢管沟槽连接是一种常见的连接方式。这种连接方式具有许多优点，如连接牢固、密封性能好、安装简便等。钢......
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一种沟槽栅晶体管的制作方法
本申请涉及半导体，特别是涉及一种沟槽栅晶体管。背景技术：1、沟槽栅晶体管相比于平面栅晶体管，可以大大缩小元胞尺寸，进而大幅度提升电流密度。例如，沟槽栅金属氧化物半导体场效应晶体管（metal-oxid......
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沟槽结构的制备方法及沟槽结构与流程
本申请涉及集成电路，特别是涉及一种沟槽结构的制备方法及沟槽结构。背景技术：1、在半导体领域，器件的耐压能力十分重要，随着器件耐压需求的提升，若仍采用结隔离工艺，则需通过增大隔离环的尺寸来达到提升耐压的......
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一种汽车零部件的沟槽铣削装置的制作方法
本技术涉及汽车零部件加工，具体为一种汽车零部件的沟槽铣削装置。背景技术：1、汽车零部件是构成汽车整体的各个单元及服务于汽车的一种产品，汽车零部件包括：发动机配件、传动系配件、制动系配件、转向系配件、行......
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一种沟槽铣刨装置和沟槽铣刨设备及沟槽施工方法与流程
本申请涉及路面机械，尤其涉及一种沟槽铣刨装置和沟槽铣刨设备及沟槽施工方法。背景技术：1、为安装路缘石、修筑排水沟、铺设地下线缆，通常需要先开挖一定宽度和深度的沟槽。传统方法是采用挖掘机开挖，最后再回填......
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用于浅沟槽隔离的化学机械平面化抛光的制作方法
背景技术：1、本发明涉及用于浅沟槽隔离(sti)工艺的化学机械平面化(cmp)。2、在微电子器件的制造中，所涉及的重要步骤是抛光，尤其是为了回收所选材料和/或使结构平面化的目的而用于化学机械抛光的表面......
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一种具有特殊沟槽的轿车轮胎的制作方法
本发明涉及轮胎，具体涉及一种具有特殊沟槽的轿车轮胎。背景技术：1、在典型的用于乘用车辆的轮胎，根据使用的地理位置，轮胎需要应对湿地条件、干地条件、雪地条件等，因此为了适应在这些不同条件下实现不同的性能......
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一种电缆沟槽的盖板装置的制作方法
：本技术涉及电缆沟槽盖板，尤其涉及一种电缆沟槽的盖板装置。背景技术0、背景技术：1、电缆沟槽是用以敷设和更换电力或电讯电缆设施的地下通道，也是被敷设电缆设施的围护结构，有矩形、圆形、拱形等管道结构形式......
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一种沟槽电容器及其制备方法与流程
本申请涉及半导体，特别涉及一种沟槽电容器及其制备方法。背景技术：1、沟槽电容器通常用于集成电路(integrated circuit，ic)、集成无源器件(integrated passive dev......
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微沟槽栅IGBT器件的制作方法
本技术涉及半导体，特别涉及一种微沟槽栅igbt器件。背景技术：1、igbt(insulate gate bipolar transistor，绝缘栅双极型晶体管)，该器件结合了mosfet(场效应晶体......
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一种水下水动力实时预测方法及可变倾角微沟槽减阻结构与流程
本发明涉及水下减阻，尤其涉及一种水下水动力实时预测方法及可变倾角微沟槽减阻结构。背景技术：1、在跨国运输中，海运承担着重要的任务。水中航行器的能耗的70％-80％都用于克服接触流体介质间阻力，大大限制......
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一种高低压气瓶组合的氮气推进系统的制作方法
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一种基于EPA（EffectiveProjectedArea有效投影面积）的铁塔租赁方案的制作方法
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一种低铱含量铱钽钛阳极的制备方法与流程
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一种基于VR的互动冥想设备的制作方法
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一种发动机分体式整流支撑机匣工艺连接装置和方法与流程
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一类用于脂滴免洗成像的荧光染料及其合成和应用
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