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一种氮化镓沟槽型MOSFET器件及其制备方法
本发明涉及一种氮化镓沟槽型mosfet器件及其制备方法，属于半导体器件。背景技术：1、功率半导体晶体管是电力电子系统的核心，在消费电子、轨道交通、光伏发电和工业控制等多个领域广泛应用。其承担着变频、整......
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沟槽肖特基二极管的能效分析方法及装置与流程
本申请涉及半导体制造，具体涉及沟槽肖特基二极管的能效分析方法及装置。背景技术：1、沟槽肖特基二极管，作为高性能电力电子器件中的关键组件，以其低正向压降、高开关速度和出色的温度特性，在高频开关电路、电源......
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一种沟槽肖特基二极管及沟槽肖特基二极管的制作方法与流程
本申请涉及肖特基二极管，具体而言，涉及一种沟槽肖特基二极管及沟槽肖特基二极管的制作方法。背景技术：1、沟槽肖特基二极管在肖特基二极管的基础上添加了沟槽结构，不仅可以提高二极管的电流容量和导通能力，还可......
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用于浅沟槽隔离工艺的回刻蚀方法与流程
本申请涉及半导体，具体涉及一种用于浅沟槽隔离工艺的回刻蚀方法。背景技术：1、在先进工艺的浅沟槽隔离(sti)制作过程中，出于选择比及保留较好形貌的考量，使用certas etch技术来完成用于浅沟槽隔......
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双面刻蚀双面填充沟槽电极硅探测器
本发明属于硅探测器，涉及一种双面刻蚀双面填充沟槽电极探测器。背景技术：1、目前，国内外对硅基半导体探测材料的研究多集中于高纯硅基材料。高纯硅层作为硅基光探测器的基本材料，直接关系到器件的性能，硅材料广......
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沟槽管道中心定位对接装置的制作方法
本发明涉及管道对接装置，具体涉及一种沟槽管道中心定位对接装置。背景技术：1、管道的沟槽连接，也被称作卡箍连接，是一种现代的管道连接方式。在这种连接方式中，管道的两端会被加工出特定的环形沟槽。接着，在这......
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石墨板材表面平行沟槽的成型刀片的制作方法
本发明涉及一种石墨材料的加工刀具。背景技术：1、石墨铣刀是一种专门用于加工石墨材料的铣刀，它由硬质合金刀片、碳化钨刀杆和高温合金刀柄等组成。石墨铣刀的出现是为了满足石墨加工行业的需求，石墨加工行业涉及......
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场效应晶体管、绝缘栅双极型晶体管及沟槽MOS型二极管的制作方法
本发明属于半导体，特别地，涉及一种场效应晶体管、绝缘栅双极型晶体管及沟槽mos型二极管。背景技术：1、肖特基源漏mosfet结构于20世纪60年代被提出，它是利用金属源漏取代传统pn结型mosfet的......
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直插管沟槽血液防护连接器的制作方法
本公开总体上涉及血液抽取和对患者的肠外流体的施用，并且尤其涉及提高血液防护连接器的血液流动槽道的可制造性。背景技术：1、导管通常用于各种输注疗法。例如，导管可以用于向患者输注流体，比如生理盐水溶液、各......
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一种集成SiC二极管的多沟槽功率器件的制作方法
本发明属于半导体，具体涉及一种集成sic二极管的多沟槽功率器件。背景技术：1、sic材料作为第三代半导体材料的典型代表，因其低阻抗、耐高温、高频、高效率等优点被广泛应用在汽车电子、光伏逆变、储能以及航......
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一种便于管道吊装的沟槽支护系统及使用方法与流程
本发明涉及沟槽支护施工，具体为一种便于管道吊装的沟槽支护系统及使用方法。背景技术：1、现有管道沟槽支护系统，在遇到地质条件不良状况时，如果采用传统横列板进行支护，在管道吊装时候，往往需要调整支护横撑，......
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一种沟槽型SiC场效应晶体管及制备方法与流程
本发明涉及半导体，尤其涉及一种沟槽型sic场效应晶体管及制备方法。背景技术：1、以碳化硅（sic）为代表的第三代宽禁带半导体材料，由于材料本身具备临界击穿场强大、本征载流子浓度低、饱和电子漂移速率快、......
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一种沟槽刻蚀方法及沟槽隔离结构与流程
本发明涉及半导体器件相关，具体地说，涉及一种沟槽刻蚀方法及沟槽隔离结构。背景技术：1、深沟槽隔离(deep trench isolation，dti)技术一直是半导体的工艺制程中的关键技术，特别是深沟......
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一种沟槽栅晶体管的制作方法
本申请涉及半导体，特别是涉及一种沟槽栅晶体管。背景技术：1、沟槽栅晶体管相比于平面栅晶体管，可以大大缩小元胞尺寸，进而大幅度提升电流密度。例如，沟槽栅金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxid......
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包括沟槽晶体管基元单元的半导体装置的制作方法
本公开涉及一种半导体装置，特别地涉及一种包括沟槽晶体管基元单元的半导体装置。背景技术：1、新生代半导体装置(例如，绝缘栅双极晶体管(igbt)或金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet))的技术开发......
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分裂栅型沟槽碳化硅MOSFET器件及其制备方法与流程
本发明属于半导体功率器件领域，具体涉及一种沟槽栅型碳化硅功率mosfet器件及其制造方法。背景技术：1、碳化硅(sic)材料具有禁带宽度大、击穿电场高、导热系数大等特点，sic功率器件相较于硅基功率器......
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载流子存储沟槽栅双极晶体管器件及其制备方法与流程
本发明涉及及集成电路制造，尤其涉及一种载流子存储沟槽栅双极晶体管器件及其制备方法。背景技术：1、载流子存储沟槽栅双极晶体管(cstbt)作为下一代绝缘栅双极晶体管(igbt)器件被广泛研究。载流子存储......
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一种沟槽隔离结构及其制备方法与流程
本发明涉及半导体，特别是涉及一种沟槽隔离结构及其制备方法。背景技术：1、目前bcd(在同一芯片上制作双极管bipolar、cmos和dmos器件)浅沟槽工艺中，通过测试模式的fa(失效分析)发现在硅衬......
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具有超结沟槽栅的MOSFET器件及其制造方法与流程
本发明涉及半导体，特别是涉及一种具有超结沟槽栅的mosfet器件及其制造方法。背景技术：1、沟槽栅mosfet器件广泛用于功率转换电路，常用于功率开关器件。沟槽栅的导通电阻rsp和击穿电压bv是其重要......
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一种沟槽型微结构CsPbBr3核辐射探测器及制备工艺
本发明涉及核辐射探测，特别的涉及一种沟槽型微结构cspbbr3核辐射探测器及制备工艺。背景技术：1、随着核辐射探测技术的快速发展，该核辐射探测技术在核能安全监测、核事故应急响应、核医学、环境辐射监测、......
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一种用于沟槽管件内壁喷涂装置及其喷涂方法与流程
本发明涉及喷涂装置领域，尤其涉及一种用于沟槽管件内壁喷涂装置及其喷涂方法。背景技术：1、沟槽管件内壁喷涂是一种专门的表面处理技术，主要用于增强管道内部的耐腐蚀性、耐磨性和密封性能。这一工艺通常涉及在管......
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一种可调式排水沟槽支护装置的制作方法
本发明涉及水利工程，具体涉及一种可调式排水沟槽支护装置。背景技术：1、在水利工程中，排水沟的浇筑是一项关键工作，它确保了雨水和地下水的有效管理。在排水沟浇筑过程中，经常需要使用塑料模板作为排水沟浇筑时......
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屏蔽栅沟槽MOSFET总剂量效应的紧凑SPICE模型建模方法
本发明涉及集成电路领域，主要涉及到一种屏蔽栅沟槽(shield-gate trench,sgt)mosfet总剂量效应(total ionizing dose,tid)的紧凑spice模型建模方法。背......
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一种内部均流的沟槽栅碳化硅VDMOS的制备方法与流程
本发明涉及一种内部均流的沟槽栅碳化硅vdmos的制备方法。背景技术：1、碳化硅mosfet是sic功率器件的典型代表，在电动汽车、航空航天、电力转换等领域有广泛的应用。器件结构和制备工艺的发展推动器件......
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单元电路中用于减小电阻的沟槽电源轨以及相关电源分配网络和制造方法与流程
背景技术：1、i.技术领域2、本公开的领域整体涉及集成电路(ic)中的电源轨，并且具体地涉及标准单元电路的供电电压和接地连接的分配。3、ii.背景4、在电子设备中使用的集成电路(ic)不断趋向于大小更......
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2024-11-21精选技术
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小数据传输失败报告的制作方法
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一种河道工程用河道清淤搅动装置的制作方法
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一种数据丢失情况下无人水面航行器的航向控制方法
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