载流子 - 技术新讯

载流子存储沟槽栅双极晶体管器件及其制备方法与流程

本发明涉及及集成电路制造，尤其涉及一种载流子存储沟槽栅双极晶体管器件及其制备方法。背景技术：1、载流子存储沟槽栅双极晶体管(cstbt)作为下一代绝缘栅双极晶体管(igbt)器件被广泛研究。载流子存储......

2024-09-11 18

本发明涉及控制氧化镍的载流子浓度。背景技术：1、由于电力、汽车电子和家用电器行业的快速发展，对高性能功率半导体器件的需求激增。由于持续进行的研究，包括碳化硅和氮化镓的超宽带半导体已经实现了比硅基功率半......

2024-07-31 52

1.本发明属于半导体领域，更具体地，涉及单一载流子多孔膜支架及其制备方法和应用。背景技术：2.作为信息、新能源等高科技产业的基础材料，半导体材料与技术在发光二极管、有机薄膜晶体管、太阳能电池等领域具有......

2024-07-27 69

本发明涉及光学器件。特别地，本发明涉及载流子注入器。背景技术：1、光子集成电路芯片包括集成到诸如绝缘体上硅晶片的平台中的光波导。这些芯片中的许多芯片利用将自由载流子注入到波导中的一个波导中的载流子注入......

2024-06-21 76

本发明涉及纳米合成，尤其是涉及一种具有超长热载流子寿命的金纳米团簇及其制备与应用。背景技术：1、集光纳米材料吸收高能光子后，产生了携带大动能的热电子和空穴。收集这些热载流子对于提高太阳能电池、光电探测......

2024-06-20 20