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一种III族氮化物半导体激光器的制作方法
本技术涉及半导体光电器件领域，尤其涉及一种iii族氮化物半导体激光器。背景技术：1、激光器广泛应用于激光显示、激光电视、激光投影仪、通讯、医疗、武器、制导、测距、光谱分析、切割、精密焊接、高密度光存储......
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一种双过渡金属氮化物异质结修饰石墨相氮化碳基光电化学适配体传感器的构建方法和用途
本发明属于光电化学以及分析检测，具体涉及一种双过渡金属氮化物异质结修饰g-c3n4基的光电化学适配体传感器的构建方法及其在水体环境有机农药残留检测方面的用途。背景技术：1、有机农药是用于防治危害农、林......
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一种金属氮化物和多孔碳包覆的硅负极材料、制备方法及应用与流程
本发明涉及锂离子电池，尤其涉及一种金属氮化物和多孔碳包覆的硅负极材料、制备方法及应用。背景技术：1、新型可再生能源的快速升级对锂电池的能量密度提出了更高的要求，这超出了石墨阳极的商用锂电池的能力，石墨......
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氮化物半导体装置及其制造方法与流程
本公开涉及由iii族氮化物半导体(以下有时简称为“氮化物半导体”)构成的氮化物半导体装置及其制造方法。背景技术：1、iii族氮化物半导体是指在iii-v族半导体中使用氮作为v族元素的半导体。以氮化铝(......
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氮化物半导体发光元件的制造方法以及氮化物半导体发光元件
本发明涉及一种氮化物半导体发光元件的制造方法以及氮化物半导体发光元件。背景技术：1、在将带隙(band gap)或折射率不同的氮化物半导体薄膜层叠来制造半导体多层膜的情况下，尤其是在由包含in的氮化物......
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具有载流子浓度匹配层的III族氮化物半导体发光元件的制作方法
本技术涉及半导体光电器件领域，尤其涉及一种具有载流子浓度匹配层的iii族氮化物半导体发光元件。背景技术：1、半导体元件特别是半导体发光元件具有可调范围广泛的波长范围，发光效率高，节能环保，可使用超过1......
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用于降低应力的金属硅氮化物的制作方法
本发明涉及用于光刻设备的表膜、制造用于光刻设备的表膜的方法、以及包括该表膜的光刻设备及其用途。背景技术：1、光刻设备是构造成将期望的图案施加到衬底上的机器。光刻设备可以用于制造例如集成电路(ic)。光......
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一种氮化物荧光玻璃薄膜分光器及投影显示系统
本发明涉及投影系统的，尤其涉及一种氮化物荧光玻璃薄膜分光器及投影显示系统。背景技术：1、投影仪被广泛应用于各种情境中，如办公简报、播放影视、装置艺术等等。投影显示产品中，光源系统是非常重要的部件，它的......
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氮化物基半导体器件及其制造方法与流程
一般地，本发明涉及氮化物基半导体器件。更具体地，本发明涉及包括具有掺杂的氮化硅层的改性电极结构的氮化物基半导体器件。背景技术：1、近年来，对高电子迁移率晶体管(hemt)的研究越来越盛行，特别是对于高......
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III族元素氮化物基板及III族元素氮化物基板的制造方法与流程
本发明涉及iii族元素氮化物基板及iii族元素氮化物基板的制造方法。背景技术：1、作为发光二极管、半导体激光器、功率ic等各种器件的基板，使用iii族元素氮化物基板。2、上述iii族元素氮化物基板如下......
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Ⅲ族氮化物半导体发光元件的制作方法
本公开(disclosure)整体涉及一种ⅲ族氮化物半导体发光元件(iii-nitridesemi conductor light emitting device)，尤其涉及一种发出红色光的ⅲ族氮化物......
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一种高性能金属氮化物弥散强化钨合金的制备方法
本发明属于先进金属材料制备研究领域，涉及一种高性能金属氮化物弥散强化钨合金的制备方法。背景技术：1、钨合金具有高密度(19.3g·cm-3)，高熔点(3410℃)，低热膨胀系数(4.32×106·k-......
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一种碳氮化物超高温陶瓷及其制备方法和应用
本发明涉及超高温陶瓷材料，具体涉及一种碳氮化物超高温陶瓷及其制备方法和应用。背景技术：1、碳氮化物固溶体由于金属、离子和共价键的共存，具有良好的耐腐蚀性、优异的化学稳定性和热稳定性。碳氮化物陶瓷由于在......
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基于CMOS兼容的等离子体氮化物纳米孔阵列光传感芯片及其制备方法和应用
本发明涉及光学微纳结构设计和片上集成微纳传感芯片，尤其涉及一种基于cmos兼容的等离子体氮化物纳米孔阵列光传感芯片及其制备方法和应用。背景技术：1、光学传感芯片具有无标记、能实时检测生化物质等特性而被......
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一种镍铁氮化物电极材料及其制备方法和应用
本发明属于材料领域，具体涉及一种镍铁氮化物电极材料及其制备方法和应用。背景技术：1、氢气是一种高燃烧热值(1.43×108j/kg)的能量载体，且燃烧产物无污染，是一种理想的清洁能源，通过电解水获得的......
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一种耐烧蚀难熔金属钽及其氮化物多层涂层的制备方法
本发明属于涂层制备，具体涉及一种耐烧蚀难熔金属钽及其氮化物多层涂层的制备方法。背景技术：1、由于现代工业社会的发展，作为结构件的金属材料有时需要在一些极其恶劣的工作环境中使用，比如高温、剧烈的机械摩擦......
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一种抗冲蚀(TiCrVZrNb)N高熵氮化物陶瓷涂层及其应用
本发明属于新材料，涉及一种抗冲蚀高熵氮化物陶瓷涂层及其应用。背景技术：1、目前，传统抗冲蚀涂层以真空镀膜单层氮化物陶瓷涂层、金属/陶瓷多层结构涂层或热喷涂碳化物陶瓷/金属复合涂层为主，由于使用环境的自......
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氮化物荧光体的制造方法及氮化物荧光体与流程
本申请涉及氮化物荧光体的制造方法及氮化物荧光体。背景技术：1、荧光体可用于与发光二极管(led)组合而形成的发光装置。荧光体吸收从led发出的激发光而发出在特定的波长范围具有发光峰值波长的光。2、专利......
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一种晶界增强型氮化物结合碳化硅窑具的制作方法
本技术涉及窑具，特别涉及一种晶界增强型氮化物结合碳化硅窑具。背景技术：1、窑具是指用耐火土制成的在焙烧过程中对坯件起间隔、支托、承垫、保护等作用的器具。使用窑具的目的在于减少废品出现和提高窑室空间利用......
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硅氮化物的保形沉积的制作方法
本发明涉及半导体设备的制造方法和装置。具体而言，本发明的实施方案涉及用于在半导体处理中进行硅氮化物的保形沉积的方法和装置。背景技术：1、在半导体设备的制造中，沉积和蚀刻技术被使用于形成材料图案，例如形......
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具有在硅氮化物底切部上方的梁结构的微机电器件的制作方法
1.本发明涉及微机电器件，其包括位于硅氮化物层中的底切部上方的释放机械结构。背景技术：2.微机电(mem)继电器可以作为一种用于添加功能并降低各种应用(例如用于物联网(iot)和可穿戴设备的传感器和消......
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氮化物压电体和使用该氮化物压电体的MEMS器件的制作方法
氮化物压电体和使用该氮化物压电体的mems器件技术领域1.本发明涉及添加了镁和钽的氮化铝的压电体以及使用了该压电体的mems器件。背景技术：2.利用压电现象的器件在广泛的领域中使用，在强烈要求小型化和......
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一种氮化物HEMT器件的制作方法
一种氮化物hemt器件技术领域1.本实用新型涉及半导体射频器件领域，特别涉及一种氮化物hemt器件。背景技术：2.5g通信技术是最新一代蜂窝移动通信技术，是4g(lte‑a、wimax)、3g(umt......
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氮化铝基板及III族氮化物层叠体的制作方法
本申请是下述申请的分案申请：发明名称：氮化铝基板及iii族氮化物层叠体国际申请日：2013年9月4日国际申请号：pct/jp2013/073806国家申请号：201380041307.x本发明涉及一种......
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一种钴钼氮化物电催化剂及其制备方法和应用
本申请涉及电催化剂，尤其涉及一种钴钼氮化物电催化剂及其制备方法和应用。背景技术：1、电解水催化制氢是一种很有发展前景的氢能源生成技术，其由析氢反应和析氧反应组成，其中，析氢反应的效率在很大程度上取决于......
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一种河道工程用河道清淤搅动装置的制作方法
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一种数据丢失情况下无人水面航行器的航向控制方法
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一种高低压气瓶组合的氮气推进系统的制作方法
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一种船体上层建筑分段建造工艺的制作方法
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发热体、加热不燃烧装置及其加热控制方法与流程
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