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氮化物基半导体器件及其制造方法与流程
一般地，本发明涉及氮化物基半导体器件。更具体地，本发明涉及包括具有掺杂的氮化硅层的改性电极结构的氮化物基半导体器件。背景技术：1、近年来，对高电子迁移率晶体管(hemt)的研究越来越盛行，特别是对于高......
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III族元素氮化物基板及III族元素氮化物基板的制造方法与流程
本发明涉及iii族元素氮化物基板及iii族元素氮化物基板的制造方法。背景技术：1、作为发光二极管、半导体激光器、功率ic等各种器件的基板，使用iii族元素氮化物基板。2、上述iii族元素氮化物基板如下......
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Ⅲ族氮化物半导体发光元件的制作方法
本公开(disclosure)整体涉及一种ⅲ族氮化物半导体发光元件(iii-nitridesemi conductor light emitting device)，尤其涉及一种发出红色光的ⅲ族氮化物......
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一种高性能金属氮化物弥散强化钨合金的制备方法
本发明属于先进金属材料制备研究领域，涉及一种高性能金属氮化物弥散强化钨合金的制备方法。背景技术：1、钨合金具有高密度(19.3g·cm-3)，高熔点(3410℃)，低热膨胀系数(4.32×106·k-......
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一种碳氮化物超高温陶瓷及其制备方法和应用
本发明涉及超高温陶瓷材料，具体涉及一种碳氮化物超高温陶瓷及其制备方法和应用。背景技术：1、碳氮化物固溶体由于金属、离子和共价键的共存，具有良好的耐腐蚀性、优异的化学稳定性和热稳定性。碳氮化物陶瓷由于在......
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基于CMOS兼容的等离子体氮化物纳米孔阵列光传感芯片及其制备方法和应用
本发明涉及光学微纳结构设计和片上集成微纳传感芯片，尤其涉及一种基于cmos兼容的等离子体氮化物纳米孔阵列光传感芯片及其制备方法和应用。背景技术：1、光学传感芯片具有无标记、能实时检测生化物质等特性而被......
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一种镍铁氮化物电极材料及其制备方法和应用
本发明属于材料领域，具体涉及一种镍铁氮化物电极材料及其制备方法和应用。背景技术：1、氢气是一种高燃烧热值(1.43×108j/kg)的能量载体，且燃烧产物无污染，是一种理想的清洁能源，通过电解水获得的......
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一种耐烧蚀难熔金属钽及其氮化物多层涂层的制备方法
本发明属于涂层制备，具体涉及一种耐烧蚀难熔金属钽及其氮化物多层涂层的制备方法。背景技术：1、由于现代工业社会的发展，作为结构件的金属材料有时需要在一些极其恶劣的工作环境中使用，比如高温、剧烈的机械摩擦......
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一种抗冲蚀(TiCrVZrNb)N高熵氮化物陶瓷涂层及其应用
本发明属于新材料，涉及一种抗冲蚀高熵氮化物陶瓷涂层及其应用。背景技术：1、目前，传统抗冲蚀涂层以真空镀膜单层氮化物陶瓷涂层、金属/陶瓷多层结构涂层或热喷涂碳化物陶瓷/金属复合涂层为主，由于使用环境的自......
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氮化物荧光体的制造方法及氮化物荧光体与流程
本申请涉及氮化物荧光体的制造方法及氮化物荧光体。背景技术：1、荧光体可用于与发光二极管(led)组合而形成的发光装置。荧光体吸收从led发出的激发光而发出在特定的波长范围具有发光峰值波长的光。2、专利......
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一种晶界增强型氮化物结合碳化硅窑具的制作方法
本技术涉及窑具，特别涉及一种晶界增强型氮化物结合碳化硅窑具。背景技术：1、窑具是指用耐火土制成的在焙烧过程中对坯件起间隔、支托、承垫、保护等作用的器具。使用窑具的目的在于减少废品出现和提高窑室空间利用......
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硅氮化物的保形沉积的制作方法
本发明涉及半导体设备的制造方法和装置。具体而言，本发明的实施方案涉及用于在半导体处理中进行硅氮化物的保形沉积的方法和装置。背景技术：1、在半导体设备的制造中，沉积和蚀刻技术被使用于形成材料图案，例如形......
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具有在硅氮化物底切部上方的梁结构的微机电器件的制作方法
1.本发明涉及微机电器件，其包括位于硅氮化物层中的底切部上方的释放机械结构。背景技术：2.微机电(mem)继电器可以作为一种用于添加功能并降低各种应用(例如用于物联网(iot)和可穿戴设备的传感器和消......
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氮化物压电体和使用该氮化物压电体的MEMS器件的制作方法
氮化物压电体和使用该氮化物压电体的mems器件技术领域1.本发明涉及添加了镁和钽的氮化铝的压电体以及使用了该压电体的mems器件。背景技术：2.利用压电现象的器件在广泛的领域中使用，在强烈要求小型化和......
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一种氮化物HEMT器件的制作方法
一种氮化物hemt器件技术领域1.本实用新型涉及半导体射频器件领域，特别涉及一种氮化物hemt器件。背景技术：2.5g通信技术是最新一代蜂窝移动通信技术，是4g(lte‑a、wimax)、3g(umt......
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氮化铝基板及III族氮化物层叠体的制作方法
本申请是下述申请的分案申请：发明名称：氮化铝基板及iii族氮化物层叠体国际申请日：2013年9月4日国际申请号：pct/jp2013/073806国家申请号：201380041307.x本发明涉及一种......
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一种钴钼氮化物电催化剂及其制备方法和应用
本申请涉及电催化剂，尤其涉及一种钴钼氮化物电催化剂及其制备方法和应用。背景技术：1、电解水催化制氢是一种很有发展前景的氢能源生成技术，其由析氢反应和析氧反应组成，其中，析氢反应的效率在很大程度上取决于......
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针状铁钴氮化物-氧化物的制备及其在电解水中的应用
本发明属于电催化剂的制备领域，具体涉及一种以聚多巴胺为基底的针状铁钴氮化物-氧化物的制备及其作为自支撑催化电极在电解水中的应用。背景技术：1、开发具有成本效益的可再生能源一直是人类社会可持续健康发展的......
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一种Co-Mo双金属氮化物三维自支撑电催化剂及其制备方法和应用
本发明涉及催化剂，尤其涉及一种co-mo双金属氮化物三维自支撑电催化剂及其制备方法和应用。背景技术：1、在众多制氢技术中，利用间歇性可再生能源(如太阳能、风能、潮汐能)产生的电能催化分解水制氢被认为是......
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一种核壳型叠氮化物薄膜及其制备方法
背景技术：1、为适应信息化武器和微型化武器发展的需要，采用mems工艺设计制备火工品的优势凸显出来。其中，微含能芯片部分主要采用与mems工艺相兼容的装药工艺和微纳结构火工药剂。现阶段常用的火工药剂主......
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用于光子集成电路的扩大的多层氮化物波导的制作方法
本公开涉及光子集成电路(pic)，更具体地说，涉及具有扩大的多层氮化物波导的结构，该扩大的多层氮化物波导具有至少位于波导的下表面上的折射率低于波导中的氮化物体的包覆层。背景技术：1、波导被用在pic中......
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一种模板法制备超薄二维过渡金属氮化物的方法
本发明涉及二维过渡金属氮化物及其化学气相沉积法制备领域，具体为一种模板法制备超薄二维过渡金属氮化物的方法，适用于制备大面积高质量均匀厚度的超薄二维过渡金属氮化物薄膜并对其进行掺杂。背景技术：1、自二维......
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一种含高熵碳氮化物陶瓷相的WC基复合粉末及其制备方法
本发明涉及wc基硬质复合材料领域，具体涉及到一种含高熵碳氮化物陶瓷相的wc基复合粉末及其制备方法。背景技术：1、wc具有高模量、高硬度和优异的耐磨耐蚀性，在硬质合金、硬面材料和耐磨耐腐蚀涂层等领域具有......
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一种氮化物陶瓷的制备方法及其制备系统与流程
本发明涉及氮化物陶瓷制备，尤其涉及一种氮化物陶瓷的制备方法及其制备系统。背景技术：1、氮化物陶瓷是一类重要的结构与功能材料，具有良好的力学、化学、电学、热学及高温物理性能，在冶金、航空、化工、陶瓷、电......
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III族氮化物单晶基板的制造方法、氮化铝单晶基板与流程
本发明涉及iii族氮化物单晶基板。背景技术：1、属于基于氮化铝、氮化镓、氮化铟之类的iii族氮化物的单晶基板的、iii族氮化物单晶基板作为面向深紫外发光元件、具有高耐压性的肖特基二极管等电子器件的基板......
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2024-09-14精选技术
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