III族元素氮化物基板及III族元素氮化物基板的制造方法与流程

本发明涉及iii族元素氮化物基板及iii族元素氮化物基板的制造方法。

背景技术：

1、作为发光二极管、半导体激光器、功率ic等各种器件的基板，使用iii族元素氮化物基板。

2、上述iii族元素氮化物基板如下得到：例如，如专利文献1所记载，将蓝宝石基板等由组成不同的材料构成的基板作为基底基板，在该基底基板异质外延生长出iii族元素氮化物结晶，由此得到上述iii族元素氮化物基板。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：日本特开2005－136167号公报

技术实现思路

1、然而，上述利用异质外延生长得到的iii族元素氮化物基板具有容易产生翘曲的问题。

2、鉴于上述问题，本发明的主要目的在于，提供翘曲的发生得以抑制的iii族元素氮化物基板。

3、1.本发明的实施方式所涉及的iii族元素氮化物基板是具有相互对置的第一主面及第二主面的iii族元素氮化物基板，其中，在所述第一主面，位于中央部的第一部位的结晶性比位于比所述第一部位靠外侧的位置的第二部位的结晶性高。

4、2.上述1所述的iii族元素氮化物基板可以为iii族元素氮化物结晶的自立基板。

5、3.上述1或2所述的iii族元素氮化物基板中，上述第二部位处的利用x射线衍射摇摆曲线测定得到的(10－12)面的衍射峰的半值宽度w2可以比上述第一部位处的利用x射线衍射摇摆曲线测定得到的(10－12)面的衍射峰的半值宽度w1宽。

6、4.上述3所述的iii族元素氮化物基板中，上述半值宽度w2相对于上述半值宽度w1的比值(w2/w1)可以为1.2以上。

7、5.在上述1至4中的任一项所述的iii族元素氮化物基板中的上述第一主面，随着从上述第一部位趋向外侧，结晶性可以连续地降低。

8、6.上述1至4中的任一项所述的iii族元素氮化物基板中，上述第一主面可以具有：从上述第一部位朝向外侧而结晶性恒定的区域。

9、7.上述1至6中的任一项所述的iii族元素氮化物基板可以为圆盘状，上述第二部位可以位于自上述第一主面的端部起算趋向径向内侧且为上述第一主面的半径的20％以下的区域。

10、8.上述1至7中的任一项所述的iii族元素氮化物基板中，在上述第二部位可以形成有小角度晶界。

11、9.上述1至8中的任一项所述的iii族元素氮化物基板可以为圆盘状，且直径可以为75mm以上。

12、根据本发明的另一方面，提供iii族元素氮化物基板的制造方法。

13、10.第一实施方式所涉及的iii族元素氮化物基板的制造方法是上述1至9中的任一项所述的iii族元素氮化物基板的制造方法，其包括：准备出晶种基板，该晶种基板具备具有相互对置的上表面及下表面的基底基板、以及在所述基底基板的上表面形成的晶种膜；在所述晶种基板的所述晶种膜上培养iii族元素氮化物结晶；以及自所述基底基板将所述iii族元素氮化物结晶分离下来，在所述准备的晶种基板的晶种膜的周缘部形成有相对于所述晶种膜的中央部而言使所述iii族元素氮化物结晶的生长情况发生变化的变化部。

14、11.第二实施方式所涉及的iii族元素氮化物基板的制造方法是上述1至9中的任一项所述的iii族元素氮化物基板的制造方法，其包括：准备出晶种基板，该晶种基板具备具有相互对置的上表面及下表面的基底基板、以及在所述基底基板的上表面形成的晶种膜；在所述晶种基板的所述晶种膜上培养iii族元素氮化物结晶；以及自所述基底基板将所述iii族元素氮化物结晶分离下来，使所述iii族元素氮化物结晶的培养条件在所述晶种基板的中央部和周缘部发生变化。

15、12.上述10或11所述的制造方法中，上述基底基板可以包含组成与上述iii族元素氮化物结晶不同的材料。

16、根据本发明的再一方面，提供除去了上述第二部位的iii族元素氮化物基板(低结晶性部除去基板)的制造方法。

17、13.本发明的实施方式所涉及的低结晶性部除去基板的制造方法包括：得到上述1至9中的任一项所述的iii族元素氮化物基板；以及将所述iii族元素氮化物基板的第二部位除去。

18、发明效果

19、根据本发明的实施方式，能够提供翘曲的发生得以抑制的iii族元素氮化物基板。

技术特征：

1.一种iii族元素氮化物基板，其具有相互对置的第一主面及第二主面，

2.根据权利要求1所述的iii族元素氮化物基板，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的iii族元素氮化物基板，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的iii族元素氮化物基板，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的iii族元素氮化物基板，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的iii族元素氮化物基板，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的iii族元素氮化物基板，其特征在于，

8.根据权利要求1所述的iii族元素氮化物基板，其特征在于，

9.根据权利要求1所述的iii族元素氮化物基板，其特征在于，

10.一种权利要求1所述的iii族元素氮化物基板的制造方法，其特征在于，包括：

11.一种权利要求1所述的iii族元素氮化物基板的制造方法，其特征在于，包括：

12.根据权利要求10或11所述的制造方法，其特征在于，

13.一种除去了第二部位的iii族元素氮化物基板的制造方法，其特征在于，包括：

技术总结本发明提供翘曲的发生得以抑制的III族元素氮化物基板。本发明的实施方式所涉及的III族元素氮化物基板为具有相互对置的第一主面及第二主面的III族元素氮化物基板，其中，在所述第一主面，位于中央部的第一部位的结晶性比位于比所述第一部位靠外侧的位置的第二部位的结晶性高。所述第二部位处的利用X射线衍射摇摆曲线测定得到的(10－12)面的衍射峰的半值宽度W2可以比所述第一部位处的利用X射线衍射摇摆曲线测定得到的(10－12)面的衍射峰的半值宽度W1宽。技术研发人员：今井克宏,杉山智彦,野中健太朗受保护的技术使用者：日本碍子株式会社技术研发日：技术公布日：2024/9/12