氮化物荧光体的制造方法及氮化物荧光体与流程

本申请涉及氮化物荧光体的制造方法及氮化物荧光体。

背景技术：

1、荧光体可用于与发光二极管(led)组合而形成的发光装置。荧光体吸收从led发出的激发光而发出在特定的波长范围具有发光峰值波长的光。

2、专利文献1中公开了为了保护由金属硫化物形成的荧光体不受湿气等影响而用二氧化硅包覆荧光体结晶或荧光体粒子的表面而成的荧光体。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：日本特表2009-526089号公报

技术实现思路

1、发明所要解决的课题

2、对于组成与由金属硫化物形成的荧光体不同的氮化物荧光体等而言，为了抑制由湿气、温度等外部环境所导致的劣化，要求改善荧光体的耐久性。

3、本申请的目的在于提供抑制由外部环境导致的劣化、改善氮化物荧光体的耐久性的氮化物荧光体的制造方法及氮化物荧光体。

4、解决课题的方法

5、第一方式涉及一种氮化物荧光体的制造方法，上述氮化物荧光体包含荧光体芯，上述荧光体芯具有包含以下元素的组成：

6、选自sr、ca、ba及mg中的至少1种元素ma、

7、选自li、na及k中的至少1种元素mb、

8、选自eu、ce、tb及mn中的至少1种元素mc、

9、al、以及

10、任选含有的si、n，

11、上述方法包括：

12、准备在上述荧光体芯的表面具备包含氟化物的第1膜的烧成物；

13、以气体氛围温度以下的温度使上述烧成物与包含金属醇盐的溶液接触，所述金属醇盐含有选自si、al、ti、zr、sn及zn中的至少1种元素m2，使上述金属醇盐进行水解及缩聚，形成包含含有上述元素m2的氧化物的第2膜；以及

14、以超过250℃且为500℃以下的温度进行热处理。

15、第二方式涉及一种氮化物荧光体，其具有荧光体芯和配置于上述荧光体芯的表面的膜，

16、所述荧光体芯具有包含以下元素的组成：

17、选自sr、ca、ba及mg中的至少1种元素ma、

18、选自li、na及k中的至少1种元素mb、

19、选自eu、ce、tb及mn中的至少1种元素mc、

20、al、以及

21、任选含有的si、n，

22、所述膜包含含有选自si、al、ti、zr、sn及zn中的至少1种元素m2的氧化物，

23、通过下述式(2)导出的上述膜的最小膜厚tmin相对于通过下述式(1)导出的上述膜的膜厚t的膜厚比tmin/t的最小值为0.3以上且1以下的范围内，

24、膜厚t＝(s2-sc)/[(p2+pc)/2](1)

25、最小膜厚tmin＝(ss-sc)/[(ps+pc)/2](2)

26、式(1)、(2)中，在使用扫描电子显微镜拍摄而得到的氮化物荧光体的截面的sem图像中，p2是由以沿着膜的外周与膜的外周内切的方式描绘的闭合的线导出的膜的外周长，pc是由以沿着荧光体芯的外周与荧光体芯的外周内切的方式描绘的闭合的线导出的荧光体芯的外周长，ps是在与荧光体芯的外周正交的方向上以与距荧光体芯的外周为最短距离的膜的外周内切的方式将荧光体芯的外周扩大而成的闭合的线的外周长，s2是由膜的外周长p2导出的包含荧光体芯及膜的截面积，sc是由荧光体芯的外周长pc导出的荧光体芯的截面积，ss是由外周长ps导出的截面积。

27、发明的效果

28、根据本申请，可以通过抑制由外部环境导致的劣化、改善氮化物荧光体的耐久性的氮化物荧光体的制造方法及氮化物荧光体。

技术特征：

1.一种氮化物荧光体的制造方法，所述氮化物荧光体包含荧光体芯，所述荧光体芯具有包含以下元素的组成：

2.根据权利要求1所述的氮化物荧光体的制造方法，其中，

3.根据权利要求1或2所述的氮化物荧光体的制造方法，其中，

4.根据权利要求1或2所述的氮化物荧光体的制造方法，其中，

5.根据权利要求1或2所述的氮化物荧光体的制造方法，其中，

6.根据权利要求1或2所述的氮化物荧光体的制造方法，其中，

7.根据权利要求1或2所述的氮化物荧光体的制造方法，其中，

8.根据权利要求1或2所述的氮化物荧光体的制造方法，其中，

9.根据权利要求1或2所述的氮化物荧光体的制造方法，其中，

10.根据权利要求1或2所述的氮化物荧光体的制造方法，其中，

11.根据权利要求1或2所述的氮化物荧光体的制造方法，其中，

12.根据权利要求1或2所述的氮化物荧光体的制造方法，其中，

13.根据权利要求1或2所述的氮化物荧光体的制造方法，其中，

14.一种氮化物荧光体，其具有荧光体芯和配置于所述荧光体芯的表面的膜，

15.根据权利要求14所述的氮化物荧光体，其中，

16.根据权利要求14或15所述的氮化物荧光体，其中，

17.根据权利要求14或15所述的氮化物荧光体，其中，

18.根据权利要求14或15所述的氮化物荧光体，其中，

19.根据权利要求14或15所述的氮化物荧光体，其中，

20.根据权利要求14或15所述的氮化物荧光体，其中，

21.根据权利要求14或15所述的氮化物荧光体，其中，

技术总结本发明提供氮化物荧光体的制造方法及氮化物荧光体。对于该氮化物荧光体的制造方法而言，该氮化物荧光体包含荧光体芯，上述荧光体芯具有包含以下元素的组成：选自Sr、Ca、Ba及Mg中的至少1种元素M<supgt;a</supgt;、选自Li、Na及K中的至少1种元素M<supgt;b</supgt;、选自Eu、Ce、Tb及Mn中的至少1种元素M<supgt;c</supgt;、Al、以及根据需要含有的Si、N，上述方法包括：制备在荧光体芯的表面具备包含氟化物的第1膜的烧成物；以气体氛围温度以下的温度使烧成物与包含含有选自Si、Al、Ti、Zr、Sn及Zn中的至少1种元素M2的金属醇盐的溶液接触，形成包含含有元素M2的氧化物的第2膜；以及以超过250℃且为500℃以下的温度进行热处理。技术研发人员：涌井贞一,国本晃平,渡边浩之,金井瑛志受保护的技术使用者：日亚化学工业株式会社技术研发日：技术公布日：2024/6/30