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一种氮化镓沟槽型MOSFET器件及其制备方法
本发明涉及一种氮化镓沟槽型mosfet器件及其制备方法，属于半导体器件。背景技术：1、功率半导体晶体管是电力电子系统的核心，在消费电子、轨道交通、光伏发电和工业控制等多个领域广泛应用。其承担着变频、整......
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一种SCR静电保护器件
本发明涉及电子器件，具体涉及一种scr静电保护器件。背景技术：1、静电放电是指携带静电荷的物体在相互接触时发生转移的电现象，会产生瞬态的高压大电流。随着半导体尺寸越来越小和集成电路规模不断扩大，半导体......
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一种低眩光免驱动MiniLED全周光器件的制作方法
本发明属于led封装，特别涉及一种低眩光免驱动miniled全周光器件。背景技术：1、随着led技术的发展，led封装技术呈现多样化的发展趋势，形成了smd封装、cob封装、led全周光封装等多种封装......
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一种封装器件的设计方法以及封装器件与流程
本公开实施例涉及半导体封装领域，尤其涉及一种封装器件的设计方法以及封装器件。背景技术：1、随着封装工艺的不断发展，晶圆级封装(wafer level package，wlp)因具有良好的重复性，较短的......
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一种有机小分子化合物及其电致发光器件的制作方法
本发明属于有机发光材料，具体涉及一种有机小分子化合物及其电致发光器件。背景技术：1、在目前新型的显示技术领域中，oled显示技术逐渐开始成熟并在不同应用场景中得到不断地推广应用，同时市场对器件的发光性......
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一种有机金属铱配合物、制备方法及包含其的有机电致发光器件与流程
本发明属于有机电致发光领域，具体涉及一种有机金属铱配合物、制备方法及包含其的有机电致发光器件。背景技术：1、有机电致发光(简称oled)及相关研究早在1963年pope等人首先发现了有机化合物单晶蒽的......
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有机发光器件的制作方法
相关申请的交叉引用本申请要求于2022年12月16日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2022-0177475号和于2023年12月13日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2023-0......
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用于烯烃类共聚物的交联剂组合物、包含其的用于光学器件的包封剂组合物和用于光学器件的包封膜的制作方法
本发明要求于2022年7月11日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请no.10-2022-0085133的权益，该申请的内容通过引用并入本说明书中。本发明涉及一种用于烯烃类共聚物的交联剂组合物、包含该交......
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一种声表面波传感器件设计方法及应用系统
本发明属于环境检测领域，具体涉及一种声表面波传感器件设计方法及应用系统。背景技术：1、声表面波（surface acoustic wave, saw）传感器以其独特的优势，如无线、无需外部电源供电等特......
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一种功率器件及其制备方法与流程
本发明属于半导体，具体涉及一种功率器件及其制备方法。背景技术：1、功率器件是一类用于处理和控制电能转换和传输的半导体器件，这类器件特别适用于高电压、高电流和高功率的应用中。功率器件主要有两种功能：一是......
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用于改善功率特性的氮化镓器件结构及其制备方法、器件与流程
本技术属于半导体器件制造，尤其涉及用于改善功率特性的氮化镓器件结构及其制备方法、器件。背景技术：1、与第一代硅和第二代砷化镓相比，氮化镓(gan)射频功率器件具有更大的输出功率、更高的效率和更小的体积......
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一种有机发光器件及包含其的显示装置的制作方法
本发明属于显示，具体涉及一种有机发光器件及包含其的显示装置。背景技术：1、有机电致发光二极管(organic light-emitting diode，oled)是近年来热门且极具发展前景的新一代显示......
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闪存器件的制造方法与流程
本申请涉及半导体制造，具体涉及一种闪存器件的制造方法。背景技术：1、embedded flash(简称eflash)产品中，存储区的闪存单元的位线和源线之间的侧墙结构与外围逻辑区的栅极侧墙在同样的工艺......
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一种微通道液冷器件及其制备方法
本发明涉及散热，尤其是涉及一种微通道液冷器件及其制备方法。背景技术：1、微通道热沉技术在芯片、服务器、激光器等高功率电子器件的散热应用中已发挥重要角色。尤其在微型化、集成化应用场景中，相比于传统的被动......
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BOX+TO封装的三发三收光器件的制作方法
本发明属于光器件领域，具体涉及box+to封装的三发三收光器件。背景技术：1、光器件是光通信系统中将电信号转换成光信号或者将光信号转换成电信号的光电子器件。三发三收光器件是属于光器件的一种，即，包括有......
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一种去除MEMS器件上颗粒及异物的方法与流程
本发明属于mems器件工艺制造领域，涉及一种去除mems器件上颗粒及异物的方法。背景技术：1、作为现代传感器重要的制造技术，mems工艺深刻地影响了现今传感器产业的发展。mems芯片制造是整个mems......
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一种基于非晶硅器件的柔性有源频率选择表面及制造方法与流程
本发明属于航空电磁功能结构,具体涉及一种基于非晶硅器件的柔性有源频率选择表面及制造方法。背景技术：1、频率选择表面(frequency selective surface，fss)是一种具有周期性阵列......
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一种用于飞机多功能液压器件的检测装置及方法与流程
本发明属于飞机液压检测，涉及一种用于飞机多功能液压器件的检测装置及方法。背景技术：1、在飞机的设计和制造过程中，液压系统起着至关重要的作用。液压系统的高效性和可靠性，依赖于其各个器件的精密制造和严格检......
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阵列天线器件
本发明涉及包括阵列天线的无线器件，尤其涉及适于使用300ghz频段的收发器的阵列天线器件。背景技术：1、图12是示出了电波的每个接收功率的频带和s/n比的关系的图形。图形的横轴是频带，纵轴是s/n比。......
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碳化硅基浮空背势垒栅功率器件及其制备方法与流程
本发明涉及半导体器件，特别是涉及一种碳化硅基浮空背势垒栅功率器件及其制备方法。背景技术：1、碳化硅(sic)作为第三代半导体典型代表，碳化硅材料具有较宽的禁带宽度，还具有高的击穿电压，高的热导率，高的......
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一种IGBT测试器件及其制备方法，以及IGBT器件及其制备方法与流程
本发明涉及igbt测试器件，具体涉及一种igbt测试器件及其制备方法，以及igbt器件及其制备方法。背景技术：1、igbt(绝缘栅双极性晶体管)，是由bjt(双极型三极管)和mosfet(绝缘型场效应......
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深亚微米级器件总剂量试验灵敏区剂量修正的方法与流程
本发明属于器件辐射效应评估领域，特别是涉及一种深亚微米级器件总剂量试验灵敏区剂量修正的方法。背景技术：1、在空间辐射环境及强核辐射环境下工作的深亚微米级器件，会受到辐射环境产生的辐射效应而导致深亚微米......
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薄膜LED芯片器件及其制造方法
本发明属于薄膜led芯片器件，尤其涉及一种薄膜led芯片器件及其制造方法。背景技术：1、随着显示技术的快速发展，薄膜led(lightemittingdiode)芯片器件因其超薄、高亮、高对比度等特性......
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一种太阳能强化的水相变驱动混合发电器件及其制备方法和应用
本发明属于能量转换功能器件领域，尤其涉及一种太阳能增强的水相变驱动混合发电器件及其制备方法和应用。背景技术：1、寻找新的发电技术对于满足全球日益增长的能源需求并减少对传统化石燃料的依赖至关重要。最近，......
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一种宽工作栅压的氮化镓功率器件
本发明属于功率半导体器件领域，具体而言是一种宽工作栅压的氮化镓功率器件。背景技术：1、氮化镓(gan)作为宽禁带半导体的典型代表之一，具有宽禁带、高击穿电场、高电子迁移率、高热导率等特性，其具有更小的......
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小数据传输失败报告的制作方法
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一种河道工程用河道清淤搅动装置的制作方法
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调控叶轮组的制作方法
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一种数据丢失情况下无人水面航行器的航向控制方法
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吊架及空铁交通系统的制作方法
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一种高低压气瓶组合的氮气推进系统的制作方法
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一种船体上层建筑分段建造工艺的制作方法
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电磁加热蒸汽发生器的制作方法
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