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压电振动器件的频率调整方法及压电振动器件与流程
本发明涉及一种压电振动器件的频率调整方法及压电振动器件。背景技术：1、以往，晶体谐振器等压电振动器件的制造工序中包含有频率调整制程(process)，通过该频率调整制程，晶体谐振器的频率被调整到规定的......
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用于头戴式显示系统的紧凑型光学器件的制作方法
本申请大致涉及光学系统，更具体而言，涉及用于头戴式显示系统的光学系统。背景技术：1、近眼(near-eye)显示技术可用于将信息和图像作为虚拟现实(“vr”)、增强现实(“ar”)或混合现实(“mr”......
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MOSFET器件及其制备方法与流程
本技术涉及半导体，具体而言，涉及一种mosfet器件及其制备方法。背景技术：1、碳化硅（sic）材料具有禁带宽度大、热导率高、击穿场强高、电子饱和漂移速度高等优点，特别适合制作大功率、高频、高温半导体......
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静电防护电路、静电防护器件及其制造方法与流程
本公开涉及半导体制造，更具体地，涉及一种静电防护电路、静电防护器件及其制造方法。背景技术：1、静电放电(electro-static discharge，esd)防护器件是一种电压钳位型过压保护器件，......
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平板钙钛矿太阳能电池的制备方法及电池器件与流程
本发明涉及太阳能电池领域，具体涉及一种平板钙钛矿太阳能电池吸光层的制备方法及电池器件。背景技术：1、钙钛矿太阳能电池是一种是以钙钛矿型的有机-无机卤化物半导体作为吸光材料的新型太阳能电池，属于第三代太......
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具有超结沟槽栅的MOSFET器件及其制造方法与流程
本发明涉及半导体，特别是涉及一种具有超结沟槽栅的mosfet器件及其制造方法。背景技术：1、沟槽栅mosfet器件广泛用于功率转换电路，常用于功率开关器件。沟槽栅的导通电阻rsp和击穿电压bv是其重要......
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显示器件及其制作方法、显示装置与流程
本公开涉及显示，特别涉及一种显示器件及其制作方法、显示装置。背景技术：1、通过近年来的不断发展，以gan为基础的发光二极管(light emitting diode，led)器件已经实现市场化，尤其是......
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一种P沟道器件及其集成电路
本发明涉及半导体器件，尤其是一种p沟道器件及其集成电路。背景技术：1、基于半导体材料技术在信息通讯、电力传输、光电器件等领域的广泛应用促进了交通、能源、制造、通讯等领域的革命性发展。在电力能源领域中，......
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量子点、制造量子点的方法、发光器件和设备与流程
本发明实施方案的一个或多个方面涉及量子点、其制造方法和包括量子点的发光器件、光学构件和设备。背景技术：1、量子点是半导体材料的纳米晶体，并且表现出量子限制效应。当量子点通过接收来自激发源的光而达到能量......
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线型输出的光锥一体化数字微光器件及其生产方法与流程
本技术涉及数字型微光成像器件，特别是线型输出的光锥一体化数字微光器件及其生产方法。背景技术：1、iccd(增强型电荷耦合器件)通常为像增强器与ccd通过中继透镜、光锥耦合器连接而成。iccd具体结构如......
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一种三维半导体集成电路器件及其制造方法与流程
本发明涉及微电子，尤其涉及一种三维半导体集成电路器件及其制造方法。背景技术：1、在过去40年中，集成电路(ic)的功能和性能有了显著增长，主要是由于缩放，其中，借助相继的每一代技术减小(缩放)了ic内......
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一种低导通电阻的SiCMOSFET器件及制备方法与流程
本发明涉及半导体器件，特别涉及一种低导通电阻的sic mosfet器件及制备方法。背景技术：1、碳化硅(sic)材料作为第三代半导体具有优良的物理、电学性质，较大的禁带宽度、较高的击穿场强、良好的热导......
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一种碳化硅功率器件及其制备方法与流程
本发明涉及半导体，特别涉及一种碳化硅功率器件及其制备方法。背景技术：1、sic mosfet(metal oxide semiconductor field effect transistor，金属氧......
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一种集成功率器件的封装的制作方法
本技术涉及器件封装，具体涉及一种集成功率器件的封装。背景技术：1、逆变器是一种电力电子装置，它能够将直流电转换为交流电，这在很多应用中是必要的，因为许多电子设备和系统需要交流电，而有时我们只能获取到直......
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一种具有双栅结构的耗尽型GaNHEMT器件及其应用
本发明涉及氮化镓高电子迁移率晶体管，具体涉及一种耗尽型氮化镓高电子迁移率晶体管及其提高功率器件过电流保护能力的应用，属于半导体器件。背景技术：1、氮化镓(gan)材料禁带宽度大，临界击穿场强高，因此氮......
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一种WDM器件存放托盘的制作方法
本申请涉及光通讯，尤其是涉及一种wdm器件存放托盘。背景技术：1、波分复用是将两种或多种不同波长的光载波信号在发送端经复用器汇合在一起，并耦合到光线路的同一根光纤中进行传输的技术。在整个波分复用系统中......
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IGBT器件的制造方法与流程
本申请涉及半导体制造，具体涉及一种igbt器件的制造方法。背景技术：1、化学镀是一种依据氧化还原原理，利用强还原剂在含有金属离子的溶液中，将其还原成金属沉积在wafer表面形成镀层的金属沉积工艺，因其......
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一种氮化镓双向开关器件及其制备方法与流程
本发明涉及半导体，特别涉及一种氮化镓双向开关器件及其制备方法。背景技术：1、在电力电子应用中，氮化镓(gan)功率器件因其禁带宽度大，功率密度高等优点，正逐渐取代传统的硅(si)器件。特别是在交流-交......
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一种超结开关器件及其制备方法与流程
本发明涉及半导体制造，尤其涉及一种超结开关器件及其制备方法。背景技术：1、基于电荷平衡原理的超结（super-junction）金属氧化物半导体场效应晶体管（metal-oxide-semicondu......
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一种集成有源淬灭器件的单光子雪崩二极管结构
本发明涉及半导体光电子，尤其涉及一种集成有源淬灭器件的单光子雪崩二极管结构，该二极管可工作于被动淬灭主动恢复模式。背景技术：0、技术背景1、目前，响应于1550nm通讯波段的ingaas单光子雪崩二极......
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具有风向捕获的观察光学器件及使用其的方法与流程
本公开涉及观察光学器件，尤其涉及具有集成的方向传感器的观察光学器件，该集成的方向传感器具有风向捕获能力。在另一个实施例中，本公开涉及一种用于将观察光学器件与具有风向捕获能力的集成的方向传感器一起使用的......
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一种基于对准键合的光电器件及其制备方法与流程
本发明涉及半导体，尤其是指一种基于对准键合的光电器件及其制备方法。背景技术：1、现有的led光电器件的像素单元40一般包括p型半导体层4013和n型半导体层4011，如图1所示，p型半导体层4013需......
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一种功率器件的终端结构及制备方法与流程
本发明涉及半导体器件领域，尤其是一种功率器件的终端结构及制备方法。背景技术：1、igbt是一种被广泛应用于新能源汽车、光伏、储能、轨道交通等领域的高压大功率器件，它很好的结合了mosfet高频率与bj......
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OTP器件结构及其制备方法、OTP存储器及其操作方法与流程
本公开涉及存储器领域，尤其涉及一种otp器件结构及其制备方法、otp存储器及其操作方法。背景技术：1、otp(one time programmable)是一种特殊类型的非易失性存储器(non-vol......
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电致变色器件的电压控制方法、装置、设备及存储介质与流程
本申请涉及电致变色器件，具体涉及一种电致变色器件的电压控制方法、装置、设备及存储介质。背景技术：1、随着电致变色技术的发展，电致变色产品已经广泛应用于多个领域，例如电致变色玻璃已经广泛应用于汽车的挡风......
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2024-09-05精选技术
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一种数据丢失情况下无人水面航行器的航向控制方法
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一种高低压气瓶组合的氮气推进系统的制作方法
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一种低铱含量铱钽钛阳极的制备方法与流程
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基于区块链和零知识证明的车载自组织网络匿名认证方法
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一种发动机分体式整流支撑机匣工艺连接装置和方法与流程
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一种基于EPA（EffectiveProjectedArea有效投影面积）的铁塔租赁方案的制作方法
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一种折叠收纳结构及用于新媒体运营的展示装置的制作方法
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