-
访问闪存的方法和控制装置与流程
本发明涉及半导体集成电路领域,特别是涉及一种访问闪存(flash)的方法。本发明还涉及一种访问闪存的控制装置。背景技术:1、如图1所示,是现有嵌入式闪存产品的存储器结构,在大多数嵌入式flash产品应......
-
一种闪存写入方法、系统、设备及存储介质与流程
本发明涉及计算机存储器,尤其涉及一种闪存写入方法、系统、设备及存储介质。背景技术:1、对于不同的闪存,为了确定其闪存质量,即nand flash的质量,通常会通过上位机指定写nand flash的块、......
-
一种显示设备中闪存连续读模式配置系统及配置方法与流程
本发明涉及闪存控制领域,更具体地,涉及一种显示设备中闪存连续读模式配置系统及配置方法。背景技术:1、闪存是一种使用spi接口规范进行通信的非易失性存储器,又称为spi flash。根据闪存颗粒性质的不......
-
闪存存储器的制造方法与流程
本发明涉及半导体,特别涉及一种闪存存储器的制造方法。背景技术:1、在目前的半导体产业中,存储器在集成电路产品中占了相当大的比例,存储器中的闪存存储器的发展尤为迅速。而随着芯片尺寸的持续微缩,闪存芯片(......
-
一种闪存晶圆裸片测试工艺及方法与流程
本发明属于半导体,尤其涉及一种闪存晶圆裸片测试工艺及方法。背景技术:1、晶圆裸片是半导体组件产品的统称,目前在对晶圆裸片进行封测时,需要预先将膜上的晶圆裸片以人工或设备方式,将晶圆裸片转移至翠盘,然后......
-
一种氮化镓闪存制备方法和读写方法与流程
本发明属于半导体领域,尤其涉及一种氮化镓闪存制备方法和读写方法。背景技术:1、半导体器件材料已经由最初的ge、si基材料扩展至化合物宽禁带半导体,例如常见的氮化镓(gan)、碳化硅(sic)等,因其优......
-
一种3T结构电荷俘获型闪存存储器及其制造方法
本发明属于高端储存器,具体涉及一种3t结构电荷俘获型闪存存储器及其制造方法。背景技术:1、过去数十年间,随着消费电子产品如手机、笔记本电脑、平板电脑和电子游戏等的普及,人们对非易失性存储器(nvm)的......
-
闪存的性能测试方法、装置、电子设备及计算机程序产品与流程
本发明属于闪存测试,具体涉及一种闪存的性能测试方法、装置、电子设备及计算机程序产品。背景技术:1、闪存颗粒,作为现代数据存储的核心组件,其性能稳定与否直接关系到数据存储的可靠性和安全性,且随着科技的进......
-
一种闪存单元的数据存储方法、装置、介质及存储设备与流程
本发明涉及闪存单元、固态存储器、数据存储的相关,尤其是涉及一种闪存单元的数据存储方法、装置、介质及存储设备。背景技术:1、非易失内存(non-volatile memory,nvm)是一种新型的存储技......
-
闪存器件的制备方法与流程
本申请涉及半导体制造,具体涉及一种闪存器件的制备方法。背景技术:1、随着半导体技术的发展,闪存作为一种非易失性存储器得到了广泛的应用。闪存在传统mos晶体管结构基础上增加了浮栅和隧穿氧化层,利用浮栅来......
-
一种闪存器件的制作方法与流程
本申请涉及半导体制造的,具体涉及一种闪存器件的制作方法。背景技术:1、nord flash器件是一种用于嵌入式系统的闪存器件,通常用于存储程序代码、数据和配置信息。它具有快速的读写速度、高可靠性和低功......
-
CMOS工艺中的浮栅型分栅闪存结构及其制造方法与流程
本发明涉及半导体,特别是涉及一种cmos工艺中的浮栅型分栅闪存结构及其制造方法。背景技术:1、分栅(split-gate)浮栅(floating-gate)闪存技术被广泛用于各种嵌入式电子产品如金融i......
-
嵌入式闪存器件的制作方法与流程
本发明属于半导体集成电路设计及制造领域,特别是涉及一种嵌入式闪存器件的制作方法。背景技术:1、在嵌入式闪存工艺中,高压器件(high voltage devices)是关键的组成部分,它们通常用于执行......
-
一种闪存器件的制作方法及闪存器件与流程
本申请涉及闪存器件制造的,具体涉及一种闪存器件的制作方法及闪存器件。背景技术:1、闪存器件作为一种非易失性存储器,具有便捷、存储密度高、可靠性强等特点,应用广泛。随着先进半导体制造工艺的发展,闪存器件......
-
闪存器件的测试结构的制作方法
本申请涉及集成电路制造,具体涉及一种闪存器件的测试结构。背景技术:1、在基于现有闪存器件测试结构的测试control gate-ct接触电阻(控制栅-导电插塞接触电阻/cg-ct)的过程中,电流通过金......
-
一种闪存条、母板和存储设备的制作方法
本发明涉及存储,尤其涉及一种闪存条、母板和存储设备。背景技术:1、现有的固态硬盘(solid state drive,ssd)的体积比较大,容量密度比较低,不利于电子设备小型化发展。而且,现有的存储设......
-
应用于NORD闪存的参考电流生成电路、判断电路及方法与流程
本技术涉及闪存芯片,具体而言,涉及一种应用于nord闪存的参考电流生成电路、判断电路及方法。背景技术:1、nord单元是一种新型的选择栅共享式分栅闪存,具有单元面积小、无过擦除现象、可微缩性等优点,具......
-
半导体单元串联闪存信号测试方法和计算机程序产品与流程
本发明涉及半导体单元串联闪存信号测试,特别是涉及一种半导体单元串联闪存信号测试方法、一种半导体单元串联闪存信号测试装置、一种计算机程序产品、一种电子设备以及一种计算机可读存储介质。背景技术:1、nan......
-
一种待机状态的数据闪存供电电路的制作方法
本技术涉及稳压,更具体地说,它涉及一种待机状态的数据闪存供电电路。背景技术:1、闪存是一种电子式可清除程序化只读存储器的形式,主要用于一般性数据存储,以及在计算机与其他数字产品间交换传输数据。闪存的存......
-
闪存编程条件智能调节设定方法与流程
本技术涉及半导体集成电路制造,具体涉及一种闪存编程条件智能调节设定方法。背景技术:1、在闪存晶圆制造过程中,会经历众多复杂的工艺流程,在大规模生产过程中工艺会偶发地出现波动并引起闪存相关的参数变动,从......
-
闪存预分类方法、装置、设备及存储介质与流程
本发明涉及闪存,特别是涉及一种闪存预分类方法、装置、设备及存储介质。背景技术:1、闪存作为主流的存储介质之一,广泛应用于各类型的存储产品中。闪存有品质区分的特性,品质的高低在方方面面影响着闪存的各项性......
-
一种闪存颗粒筛选方法及装置与流程
本技术涉及存储,尤其涉及一种闪存颗粒筛选方法及装置。背景技术:1、随着闪存技术的不断发展,闪存的应用领域也越来越广,低温下应用也逐渐增多,但是低温对于介质特性最大的影响是低温下电子活性降低,导致低温下......
-
一种闪存最优读电压参数确定方法、装置及闪存设备与流程
本技术涉及存储,尤其涉及一种闪存最优读电压参数确定方法、装置及闪存设备。背景技术:1、在现代电子设备中,nand flash存储器由于其高密度和非易失性的特点被广泛应用。随着技术的进步,nand fl......
-
基于ONFI协议的数据读写电路及闪存读写控制器的制作方法
本技术涉及闪存数据读写,尤其涉及一种基于onfi协议的数据读写电路及闪存读写控制器。背景技术:1、目前绝大多数的数据传输协议均基于osi(open system interconnectionrefe......
-
闪存及其读取恢复操作方法与流程
本文描述的本公开的实施例涉及一种半导体存储器件,更具体地,涉及一种闪存及其读取恢复操作方法。背景技术:1、半导体存储器可以被主要分类为易失性存储器或非易失性存储器。易失性存储器(例如,dram或sra......