闪存编程条件智能调节设定方法与流程

本技术涉及半导体集成电路制造，具体涉及一种闪存编程条件智能调节设定方法。

背景技术：

1、在闪存晶圆制造过程中，会经历众多复杂的工艺流程，在大规模生产过程中工艺会偶发地出现波动并引起闪存相关的参数变动，从而影响到闪存的编程/擦写能力。闪存的编程能力从芯片结构来看主要受控制栅对浮栅耦合率影响，另外编程条件也至关重要，为了确保所有芯片的功能特性一致，相关的编程条件会设置不同的挡位，比如编程时间，vcg/vbl等模拟量。

2、但是在闪存测试过程中，对于发生工艺波动的晶圆如果还使用固定的编程条件对其进行编程操作，将会有弱编程问题发生，出现较高失效，晶片良品率较低的问题。

技术实现思路

1、本技术提供了一种闪存编程条件智能调节设定方法，可以解决相关技术中因无法根据工艺参数对编程条件进行设定导致晶片高失效的问题。

2、为了解决背景技术中所述的技术问题，本技术提供一种闪存编程条件智能调节设定方法，所述闪存编程条件智能调节设定方法包括以下步骤：

3、s1：确定闪存制造工艺中影响闪存的控制栅对浮栅耦合率的栅耦合工艺参数，所述栅耦合工艺参数具有栅耦合工艺参数区间；

4、s2：基于栅耦合工艺参数与闪存的编程能力的关联程度，将所述耦合工艺参数区间划分为强编程工艺参数区间和弱编程工艺参数区间；

5、s3：确定在编程操作时能够补偿闪存编程能力的编程参数为补偿编程参数，所述补偿编程参数具有补偿编程参数区间；基于所述补偿编程参数对闪存编程能力的补偿程度，将所述补偿编程参数区间划分为强补偿编程参数区间和弱补偿编程参数区间；

6、s4：建立所述栅耦合工艺参数区间与所述补偿编程参数区间之间的映射关系，使得所述强编程工艺参数区间对应所述弱补偿编程参数区间，所述弱编程工艺参数区间对应所述强补偿编程参数区间；

7、s5：确定实际栅耦合工艺参数x所属的栅耦合工艺参数区间，设定在所述映射关系中对应所述栅耦合工艺参数区间的补偿编程参数区间为闪存编程条件。

8、可选地，所述步骤s2，包括以下步骤：

9、s21：在标准编程条件下，分别对各个栅耦合工艺参数值对应的闪存进行编程操作，获取与各个所述栅耦合工艺参数值对应闪存的编程结果值；依据所述闪存编程结果值和编程能力阈值将所述耦合工艺参数区间划分为强编程工艺参数区间和弱编程工艺参数区间。

10、可选地，超过所述编程能力阈值的编程结果值所对应的栅耦合工艺参数值为强编程能力栅耦合工艺参数值，所有强编程能力栅耦合工艺参数值的集合为强编程工艺参数区间；

11、未超过所述编程能力阈值的编程结果值所对应的栅耦合工艺参数值为弱编程能力栅耦合工艺参数值，所有弱编程能力栅耦合工艺参数值的集合为弱编程工艺参数区间。

12、可选地，所述步骤s21包括以下步骤：

13、s211：在标准编程条件下，分别对所述栅耦合工艺参数区间x中的各个栅耦合工艺参数值对应的闪存进行编程操作，使得电子流入对应闪存的浮栅中；

14、s212：获取在编程操作结束后，各个所述栅耦合工艺参数值对应闪存的浮栅中电子数量，所述浮栅中电子数量为所述编程结果值；

15、s213：确定超过编程能力阈值的浮栅中电子数量对应的栅耦合工艺参数值为强编程能力栅耦合工艺参数值，所有强编程能力栅耦合工艺参数值的集合为强编程工艺参数区间；

16、确定未超过所述编程能力阈值的浮栅中电子数量对应的栅耦合工艺参数值为弱编程能力栅耦合工艺参数值，所有弱编程能力栅耦合工艺参数值的集合为弱编程工艺参数区间。

17、可选地，所述步骤s213包括：

18、s2131：确定超过编程能力阈值的浮栅中电子数量对应的栅耦合工艺参数值为强编程能力栅耦合工艺参数值，所有强编程能力栅耦合工艺参数值的集合为强编程工艺参数区间；

19、确定低于编程能力阈值且高于分界阈值的浮栅中电子数量对应的栅耦合工艺参数值为弱编程能力栅耦合工艺参数值，所有弱编程能力栅耦合工艺参数值的集合为弱编程工艺参数区间；其中分界阈值为用于区分闪存计作“0”状态或“1”状态的过程中浮栅的电子数量阈值。

20、可选地，所述栅耦合工艺参数包括a工艺参数和b工艺参数，所述a工艺参数具有a工艺参数区间，所述b工艺参数具有b工艺参数区间；

21、所述步骤s21包括：

22、s221：在标准编程条件下，对所述a工艺参数区间中各个a工艺参数值对应的闪存进行编程操作，获取与各个所述a工艺参数值对应a编程结果值，依据所述a编程结果值和a编程能力阈值将所述a工艺参数区间划分为强编程能力a工艺参数区间和弱编程能力a工艺参数区间；

23、s222：在标准编程条件下，对所述b工艺参数区间中各个b工艺参数值对应的闪存进行编程操作，获取与各个所述b工艺参数值对应b编程结果值，依据所述b编程结果值和b编程能力阈值将所述b工艺参数区间划分为强编程能力b工艺参数区间和弱编程能力b工艺参数区间；

24、s223：将强编程能力a工艺参数区间中的a工艺参数值与强编程能力b工艺参数区间中的b工艺参数值之间的任意组合确定为强编程工艺参数区间；

25、将弱编程能力a工艺参数区间中的a工艺参数值与弱编程能力b工艺参数区间中的b工艺参数值之间的任意组合确定为弱编程工艺参数区间

26、可选地，所述a工艺参数为表示控制栅关键尺寸的参数，b工艺参数为表示浮栅关键尺寸的参数；栅关键尺寸的参数和浮栅关键尺寸的参数协调影响闪存的控制栅对浮栅耦合率。

27、可选地，所述步骤s3包括：

28、s31：确定目标编程参数；

29、s32：在包括所述初始目标编程参数值的编程条件下，对所述目标栅耦合工艺参数值对应的闪存进行编程操作，获取初始编程结果值；

30、s33：调整所述初始目标编程参数值；

31、s34：在包括调整后目标编程参数值的编程条件下，对所述目标栅耦合工艺参数值对应的闪存进行编程操作，获取调整后编程结果值；

32、s35：当所述调整后编程结果值对应的编程能力优于所述初始编程结果值对应的编程能力，确定目标编程参数为补偿编程参数；

33、s36：确定目标编程参数为补偿编程参数后，重复步骤s313至步骤315确定目标编程参数的补偿编程参数区间，以及所述补偿编程参数区间中各个补偿编程参数值对应的调整后编程结果值为补偿编程结果值；

34、s37：基于所述补偿编程结果值对闪存编程能力的补偿程度，将所述补偿编程参数区间划分为强补偿编程参数区间和弱补偿编程参数区间。

35、可选地，所述步骤s37包括：

36、s371：当补偿编程结果值超过所述初始编程结果值补偿阈值，确定所述补偿编程结果值对应的补偿编程参数值为强补偿编程参数值，所有强补偿编程参数值的集合为强补偿编程参数区间；

37、当补偿编程结果值未超过所述初始编程结果值补偿阈值，确定所述补偿编程结果值对应的补偿编程参数值为弱补偿编程参数值，所有弱补偿编程参数值的集合为弱补偿编程参数区间。

38、可选地，将编程操作后闪存的浮栅中电子数量作为编程结果。

39、本技术技术方案，至少包括如下优点：本技术通过先将所述耦合工艺参数区间划分为能够使得闪存具有较强编程能力的强编程工艺参数区间，和能够使得闪存具有较弱编程能力的弱编程工艺参数区间；再确定在编程操作时能够补偿闪存编程能力的编程参数为补偿编程参数；然后将该补偿编程参数的补偿编程参数区间划分为能够对闪存编程能力具有较强补偿程度的强补偿编程参数区间，和对闪存编程能力具有较弱补偿程度的弱补偿编程参数区；最后将栅耦合工艺参数区间与补偿编程参数区间之间建立映射关系，使得在该映射关系中，强编程工艺参数区间对应弱补偿编程参数区间，弱编程工艺参数区间对应强补偿编程参数区间；从而在实际进行编程测试操作时，仅需要根据实际栅耦合工艺参数所属的栅耦合工艺参数区间为强编程工艺参数区间还是弱编程工艺参数区间，就能够确定对应编程条件中的补偿编程参数区间，使得该补偿编程参数区间对强编程能力的闪存进行弱补偿，对于弱编程能力的闪存进行强补偿，从而实现对编程条件的智能调节，能够更好地覆盖工艺波动的影响，提升工艺窗口。