一种内存条及其组装方法与流程

本发明属于电子存储设备，具体涉及一种ddr4内存条及其组装方法。

背景技术：

1、随着电子产品运行速率的不断加快，以及处理数据量的不断增加，促进了sdram存储器产品的迭代发展，现阶段，越来越多的国产cpu已经开始提出配套ddr4内存的需求，而目前市场上暂无国产化、大容量和宽位宽的ddr4 sdram型存储器，用以满足高速存储器件的需要。

技术实现思路

1、本发明提供一种内存条及其组装方法，以解决目前国内暂无大容量、宽位宽、小体积的ddr4 sdram型存储器的问题。

2、为达到上述目的，本发明采用以下技术方案：

3、一种内存条，包括：同步动态随机存储器芯片、片式电阻、寄存器芯片、只读存储器芯片、第一互联基板和第二互联基板；

4、所述第二互联基板连接第一互联基板，所述同步动态随机存储器芯片反向贴装在第二互联基板上，所述同步动态随机存储器芯片之间背对背堆叠设置在第二互联基板上，所述同步动态随机存储器芯片的地址线、控制线和片选信号线分别进行串联，所述片式电阻安装在所述反向贴装的同步动态随机存储器芯片的背面，所述寄存器芯片和只读存储器芯片贴装在第一互联基板上，所述第一互联基板的底部设置焊球。

5、在一些实施方式中，包括多个背对背堆叠设置在第二互联基板上的同步动态随机存储器芯片。

6、在一些实施方式中，包括单个反向贴装的同步动态随机存储器芯片，所述片式电阻安装在所述单个反向贴装的同步动态随机存储器芯片的背面。

7、一种内存条的组装方法，基于所述的一种内存条，包括以下步骤：

8、在第一互联基板上安装寄存器芯片和只读存储器芯片；

9、在第二互联基板上采用背对背堆叠方式贴装同步动态随机存储器芯片，其中一片同步动态随机存储器芯片反向贴装在第二互联基板上，另一片同步动态随机存储器芯片正向贴装在所述反向贴装的同步动态随机存储器芯片的背面；

10、在第二互联基板上单独反向贴装同步动态随机存储器芯片，在单独反向贴装的同步动态随机存储器芯片的背面粘接所述片式电阻；

11、所述同步动态随机存储器芯片的地址线、控制线和片选信号线分别进行串联，并单独引出所述同步动态随机存储器芯片的数据线和数据选通信号线；

12、将所述第一互联基板与第二互联基板的引出端进行连接，并在第一基板底部进行焊球；

13、对第一互联基板和第二互联基板进行灌封，完成封装，得到内存条。

14、在一些实施方式中，在第一互联基板上通过传统裸芯片键合方式安装所述寄存器芯片和只读存储器芯片。

15、在一些实施方式中，所述在第二互联基板上采用背对背堆叠方式贴装同步动态随机存储器芯片的步骤中，所述背对背堆叠方式采用裸芯片3d堆叠工艺。

16、在一些实施方式中，所述一片同步动态随机存储器芯片反向贴装在第二互联基板上，具体包括：

17、将同步动态随机存储器芯片的键合点朝下，同时在所述第二互联基板上设置开窗，所述键合点通过开窗在第二互联基板的背面进行布线。

18、在一些实施方式中，所述另一片同步动态随机存储器芯片正向贴装在所述反向贴装的同步动态随机存储器芯片的背面，具体包括：

19、通过晶圆重布线层技术将所述正向贴装的另一片同步动态随机存储器芯片的键合点在第二互联基板正面布线。

20、在一些实施方式中，所述将第一互联基板与第二互联基板的引出端进行连接，具体包括：采用侧墙金属化和侧墙刻线将第一互联基板和第二互联基板的引出端进行连接。

21、在一些实施方式中，所述对第一互联基板和第二互联基板进行灌封采用包封树脂。

22、与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：

23、本发明提供一种内存条，在第二互联基板上背对背堆叠同步动态存储器芯片，并在反向贴装的同步动态随机存储器芯片的背面安装片式电阻作为拓扑结构的终端匹配电阻，能够减少互联基板之间的堆叠层数，降低模块高度，降低成本；同步动态随机存储器芯片的地址线、控制线和片选信号线分别进行串联，寄存器芯片和只读存储器芯片贴装在第一互联基板上，第二互联基板连接第一互联基板，因此本发明内存条的结构能够大幅减少内存条的平面尺寸，缩短内存条内部的走线长度，减少阻抗突变点，提高信号完整性，显著减少占用印刷电路板的平面空间，有利于小型化，并且实现了位宽扩展，最终形成大容量、宽位宽和小体积的内存条。

24、本发明提供一种内存条的组装方法，在第二互联基板上采用背对背堆叠方式贴装同步动态随机存储器，并在单独反向贴装的同步动态随机存储器芯片的背面粘接片式电阻，同步动态随机存储器芯片的地址线、控制线和片选信号线分别进行串联，并单独引出同步动态随机存储器芯片的数据线和数据选通信号线，能够大幅度减少内存条的平面尺寸，缩短内存条的内部走线长度，减少阻抗突变点，提高信号完整性，显著减少占用印刷电路板的平面空间，有利于系统的小型化，最终形成大容量、宽位宽、小体积的封装结构。

25、进一步地，本发明采用背对背堆叠的裸芯片3d堆叠工艺，能够减少所需互联基板的堆叠层数，降低内存条模块的高度和成本，增加空间利用率。

26、进一步地，本发明采用侧墙金属化和侧墙刻线将第一互联基板和第二互联基板的引出端进行连接，能够增加空间利用率。

技术特征：

1.一种内存条，其特征在于，包括：同步动态随机存储器芯片、片式电阻、寄存器芯片、只读存储器芯片、第一互联基板和第二互联基板；

2.根据权利要求1所述的一种内存条，其特征在于，包括多个背对背堆叠设置在第二互联基板上的同步动态随机存储器芯片。

3.根据权利要求1所述的一种内存条，其特征在于，包括单个反向贴装的同步动态随机存储器芯片，所述片式电阻安装在所述单个反向贴装的同步动态随机存储器芯片的背面。

4.一种内存条的组装方法，其特征在于，基于任意一项权利要求1～3所述的一种内存条，包括以下步骤：

5.根据权利要求4所述的一种内存条的组装方法，其特征在于，在第一互联基板上通过传统裸芯片键合方式安装所述寄存器芯片和只读存储器芯片。

6.根据权利要求4所述的一种内存条的组装方法，其特征在于，所述在第二互联基板上采用背对背堆叠方式贴装同步动态随机存储器芯片的步骤中，所述背对背堆叠方式采用裸芯片3d堆叠工艺。

7.根据权利要求4所述的一种内存条的组装方法，其特征在于，所述一片同步动态随机存储器芯片反向贴装在第二互联基板上，具体包括：

8.根据权利要求4所述的一种内存条的组装方法，其特征在于，所述另一片同步动态随机存储器芯片正向贴装在所述反向贴装的同步动态随机存储器芯片的背面，具体包括：

9.根据权利要求4所述的一种内存条的组装方法，其特征在于，所述将第一互联基板与第二互联基板的引出端进行连接，具体包括：采用侧墙金属化和侧墙刻线将第一互联基板和第二互联基板的引出端进行连接。

10.根据权利要求4所述的一种内存条的组装方法，其特征在于，所述对第一互联基板和第二互联基板进行灌封采用包封树脂。

技术总结一种内存条及其组装方法，属于电子存储设备技术领域，包括：同步动态随机存储器芯片、片式电阻、寄存器芯片、只读存储器芯片、第一互联基板和第二互联基板；所述第二互联基板连接第一互联基板，所述同步动态随机存储器芯片反向贴装在第二互联基板上，所述同步动态随机存储器芯片之间背对背堆叠设置在第二互联基板上，所述同步动态随机存储器芯片的地址线、控制线和片选信号线分别进行串联，所述片式电阻安装在所述反向贴装的同步动态随机存储器芯片的背面，所述寄存器芯片和只读存储器芯片贴装在第一互联基板上，所述第一互联基板的底部设置焊球。本发明能够解决目前国内暂无大容量、宽位宽、小体积的DDR4SDRAM型存储器的问题。技术研发人员：卫嘉豪,黄桂龙,韩加仑受保护的技术使用者：西安微电子技术研究所技术研发日：技术公布日：2024/7/25