存储器装置中的层面选择布局的制作方法

涉及存储器装置中的层面选择布局。

背景技术：

1、存储器装置广泛用于在各种电子装置(例如计算机、用户装置、无线通信装置、相机、数字显示器及类似者)中存储信息。通过将存储器装置内的存储器单元编程到各种状态而存储信息。举例来说，二元存储器单元可编程到通常对应于逻辑1或逻辑0的两个支持状态中的一者。在一些实例中，单个存储器单元可支持两种以上可能状态，可通过存储器单元存储所述状态中的任一者。为存取通过存储器装置存储的信息，组件可读取或感测存储器装置内的一或多个存储器单元的状态。为存储信息，组件可将存储器装置内的一或多个存储器单元写入或编程为对应状态。

2、存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、动态ram(dram)、同步动态ram(sdram)、静态ram(sram)、铁电ram(feram)、磁性ram(mram)、电阻式ram(rram)、快闪存储器、相变存储器(pcm)、3维交叉点存储器(3d xpoint)、或非(nor)及与非(nand)存储器装置等等。存储器装置可为易失性的或非易失性的。易失性存储器单元(例如，dram单元)可能随着时间的推移失去其经编程状态，除非其由外部电源周期性地刷新。非易失性存储器单元(例如，nand存储器单元)可甚至在不存在外部电源的情况下维持其经编程状态达延长时段。

技术实现思路

技术特征：

1.一种设备，其包括：

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述片块进一步包括：

3.根据权利要求2所述的设备，其中所述激活线具有定位于所述多条数字线中的第一对数字线之间的沿所述第二方向的终端且所述第二激活线具有定位于所述多条数字线的第二对数字线之间的沿所述第二方向的终端。

4.根据权利要求2所述的设备，其中所述片块进一步包括：

5.根据权利要求4所述的设备，其中所述片块进一步包括：

6.根据权利要求2所述的设备，其中数字线的所述集合的所述数字线经配置用于经由所述片块沿所述第一方向的第一端部与所述电路系统的所述相应耦合且数字线的所述第二集合的所述数字线经配置用于经由所述片块沿所述第一方向的与所述第一端部相对的第二端部与所述电路系统的所述相应耦合。

7.根据权利要求6所述的设备，其中所述片块进一步包括：

8.根据权利要求7所述的设备，其中所述片块进一步包括：

9.根据权利要求1所述的设备，其中所述多条字线中的每一者具有相对于所述衬底的相应高度维度，所述高维度与所述激活线的高度维度重叠。

10.根据权利要求1所述的设备，其中所述片块进一步包括：

11.根据权利要求10所述的设备，其中所述片块进一步包括：

12.根据权利要求11所述的设备，其中所述第七激活线沿所述第一方向定位于所述多条字线中的一对字线之间。

13.根据权利要求1所述的设备，其中所述衬底上方的所述层级外部的所述电路系统包括一或多个列解码器或感测放大器的一或多个阵列或其组合。

14.根据权利要求1所述的设备，其中所述衬底上方的所述层级外部的所述电路系统包括至少部分由所述衬底的掺杂部分形成的多个晶体管。

15.一种设备，其包括：

16.根据权利要求15所述的设备，其进一步包括：

17.根据权利要求16所述的设备，其中：

18.根据权利要求16所述的设备，其中：

19.根据权利要求15所述的设备，其中：

20.根据权利要求15所述的设备，其进一步包括：

21.根据权利要求15所述的设备，其进一步包括：

22.根据权利要求15所述的设备，其中所述衬底上方的所述第一层级外部的所述电路系统包括一或多个列解码器或感测放大器的一或多个阵列或其组合。

23.根据权利要求15所述的设备，其中所述衬底上方的所述第一层级外部的所述电路系统包括至少部分由所述衬底的掺杂部分形成的多个晶体管。

24.一种方法，其包括：

25.一种方法，其包括：

技术总结描述用于存储器装置中的层面选择布局的方法、系统及装置。在一些实施方案中，存储器阵列的片块可与衬底上方的层级相关联，且可包含存储器单元的集合、数字线的集合及字线的集合。与存储器单元的片块相关联的选择晶体管可操作以将所述片块的数字线与所述片块外部的电路系统耦合，且可通过一或多条存取线的各种配置激活，其中可实施所述各种配置以折中或以其它方式支持设计及性能特性，例如功率消耗、布局复杂性、操作复杂性及其它特性。可针对片块操作的其它方面实施此类技术，包含存储器单元分路或均衡、使用不同层级的晶体管的片块选择或信号产生或其各种组合。技术研发人员：D·维梅尔卡蒂受保护的技术使用者：美光科技公司技术研发日：技术公布日：2024/7/25