存储器单元及其制造方法与流程

本申请的实施例涉及存储器单元及其制造方法。

背景技术：

1、半导体集成电路(ic)行业生产了各种各样的数字器件，以解决许多不同领域的问题。这些数字器件中的一些，例如存储器宏，被配置用于存储数据。随着ic变得更小、更复杂，这些数字器件内的导线电阻也发生变化，影响这些数字器件的操作电压和整体ic性能。

技术实现思路

1、根据本申请的实施例的一个方面，提供了一种存储器单元，包括：第一传输通过门、第二传输通过门、读取字线和写入字线，第一传输通过门包括：第一类型的第一通过门晶体管；和与第一类型不同的第二类型的第二通过门晶体管，并且第二通过门晶体管位于第一通过门晶体管下方；第二传输通过门包括：第一类型的第三通过门晶体管；和第二类型的第四通过门晶体管，第四通过门晶体管位于第三通过门晶体管下方；读取字线，在第一方向上延伸，位于衬底的前侧上方的第一金属层上方，并且读取字线耦合到第一通过门晶体管和第三通过门晶体管，并且被配置为接收读取字线信号；写入字线，在第一方向上延伸，位于与衬底的前侧相对的衬底的背侧下方的第二金属层上，耦合到第二通过门晶体管和第四通过门晶体管，被配置为接收写入字线信号，并且在不同于第一方向的第二方向上与读取字线分离，其中，第一通过门晶体管和第三通过门晶体管在写入操作期间响应于写入字线信号而接通；并且在接通第一通过门晶体管和第三通过门晶体管之后，在写入操作期间响应于读取字线信号而接通第二通过门晶体管和第四通过门晶体管。

2、根据本申请的实施例的另一个方面，提供了一种存储器单元，包括：第一传输通过门、第二传输通过门、写入字线和读取字线，第一传输通过门包括：第一类型的第一通过门晶体管；和与第一类型不同的第二类型的第二通过门晶体管，并且第二通过门晶体管位于第一通过门晶体管下方；第二传输通过门包括：第一类型的第三通过门晶体管；和第二类型的第四通过门晶体管，第四通过门晶体管位于第三通过门晶体管下方；写入字线，在第一方向上延伸，位于衬底的前侧上方的第一金属层上，耦合到第一通过门晶体管和第三通过门晶体管，并且被配置为接收写入字线信号；读取字线，在第一方向上延伸，位于与衬底的前侧相对的衬底的背侧下方的第二金属层上，并且读取字线耦合到第二通过门晶体管和第四通过门晶体管，被配置为接收读取字线信号，并且在不同于第一方向的第二方向上与写入字线分离，其中，在写入操作期间响应于写入字线信号而在第一时间处接通第一通过门晶体管和第三通过门晶体管；并且在写入操作期间响应于读取字线信号而在第二时间处接通第二通过门晶体管和第四通过门晶体管，第一时间在第二时间之前。

3、根据本申请的实施例的又一个方面，提供了一种制造存储器单元的方法，方法包括：在衬底的前侧中制造第一传输通过门和第二传输通过门，第一传输通过门包括位于第二通过门晶体管上方的第一通过门晶体管，并且第二传输通过门包括位于第四通过门晶体管上方的第三通过门晶体管；在衬底的前侧上制造第一组通孔，第一组通孔电耦合到至少第一通过门晶体管和第三通过门晶体管；在第一金属层上的衬底的前侧上沉积第一导电材料从而形成第一组导体，第一组导体通过第一组通孔电耦合到至少第一通过门晶体管和第三通过门晶体管，第一通过门晶体管和第二通过门晶体管被配置为从前侧接收来自第一组导体中的至少第一导体的读取字线信号或写入字线信号中的至少一个；对衬底的与前侧相对的背侧执行减薄；在减薄的衬底的背侧上制造第二组通孔，第二组通孔通过第二组通孔电耦合到至少第二通过门晶体管和第四通过门晶体管；以及在第二金属层上的减薄的衬底的背侧上沉积第二导电材料从而形成第二组导体，第二组导体通过第二组通孔电耦合到至少第二通过门晶体管和第四通过门晶体管，第二通过门晶体管和第四通过门晶体管被配置为从背侧接收来自至少第二组导体的第一导体的读取字线信号或写入字线信号中的另一个。

技术特征：

1.一种存储器单元，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器单元，还包括：

3.根据权利要求2所述的存储器单元，还包括：

4.根据权利要求3所述的存储器单元，其中

5.根据权利要求4所述的存储器单元，还包括：

6.根据权利要求1所述的存储器单元，其中

7.一种存储器单元，包括：

8.根据权利要求7所述的存储器单元，其中

9.根据权利要求7所述的存储器单元，还包括：

10.一种制造存储器单元的方法，所述方法包括：

技术总结一种存储器单元，包括第一和第二传输通过门、读取字线和写入字线。第一传输通过门包括第一通过门晶体管和第二通过门晶体管。第二传输通过门包括第三通过门晶体管和第四通过门晶体管。读取字线在衬底的前侧上方的第一金属层上。写入字线在与衬底的前侧相对的衬底的背侧下方的第二金属层上。在写入操作期间，第一通过门晶体管和第三通过门晶体管响应于写入字线信号而接通。在接通第一通过门晶体管和第三通过门晶体管之后，在写入操作期间，响应于读取字线信号而接通第二通过门晶体管和第四通过门晶体管。本申请的实施例还公开了制造存储器单元的方法。技术研发人员：吴威震,林建呈,黄千辉,钟彥麟,詹伟闵受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/25