存储器装置的刷新速率控制的制作方法

涉及存储器装置的刷新速率控制。

背景技术：

1、存储器装置广泛用于将信息存储在例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等各种电子装置中。通过对存储器装置的不同状态进行编程来存储信息。举例来说，二进制装置最经常存储两个状态中的一个，经常由逻辑1或逻辑0表示。在其它装置中，可存储多于两个状态。为了存取所存储信息，装置的组件可读取或感测存储器装置中的至少一个所存储状态。为了存储信息，装置的组件可对存储器装置中的状态进行写入或编程。

2、存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、静态ram(sram)、动态ram(dram)、同步动态ram(sdram)、铁电ram(feram)、磁性ram(mram)、电阻性ram(rram)、快闪存储器、相变存储器(pcm)等。存储器装置可以是易失性或非易失性的。非易失性存储器，例如feram，可维持其所存储的逻辑状态很长一段时间，即使无外部电源存在也是这样。例如sram、dram的易失性存储器装置在与外部电源断开连接时可能会丢失其所存储状态。

3、对于一些类型的存储器(例如，dram、其它易失性存储器)，可偶尔(例如，周期性地)刷新由存储器单元存储的逻辑状态。此外，在一些情况下，所存储的数据可在不刷新的情况下维持数据完整性的时间量可与存储器装置的其它参数有关。一般来说，改进存储器装置可包含增加存储器单元密度、增加读取/写入速度、提高可靠性、提高数据完整性、降低功率消耗或降低制造成本，以及其它度量。

技术实现思路

1、描述了一种方法。所述方法可包含根据对应于刷新存储器装置的存储器阵列的第一速率的第一组刷新参数操作所述存储器阵列。所述方法可涉及由所述存储器装置检测对应于电压条件、数据错误条件、最小刷新速率或所述存储器阵列的一或多个组件的状态中的至少一个的事件。所述方法可包含基于检测到所述事件而根据第二组刷新参数操作所述存储器阵列，所述第二组刷新参数对应于刷新所述存储器阵列的第二速率，所述第二速率快于所述第一速率。

2、描述了一种方法。所述方法可包含从主机装置接收用于存储器装置的存储器阵列的多个刷新命令。所述方法可涉及在所述存储器阵列处根据第一组刷新参数执行所述多个刷新命令中的第一刷新命令。所述方法可包含由所述存储器装置检测所述存储器阵列的条件。所述方法可涉及基于检测到所述条件而从使用所述第一组刷新参数转变到使用对应于增大的刷新速率的第二组刷新参数。所述方法可包含在所述存储器阵列处根据所述第二组刷新参数执行所述多个刷新命令中的第二刷新命令。

3、描述了一种设备。所述设备可包含：存储器阵列，其具有多个存储器单元行；存储器接口，其与所述存储器阵列耦合且经配置以周期性地从主机接收刷新所述存储器阵列的行的多个命令；以及电路系统，其与所述存储器阵列和所述存储器接口耦合，所述电路系统可操作以使所述设备进行以下操作：基于检测到的事件而识别刷新所述存储器阵列的目标速率；确定与刷新所述存储器阵列的所述多个命令相关联的速率不满足所述目标速率；以及在执行刷新所述存储器阵列的所述行的所述多个命令中的命令期间调整与刷新所述存储器单元行有关的一或多个参数以满足所述目标速率。

技术特征：

1.一种用于操作存储器装置的方法，其包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

3.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

4.根据权利要求1所述的方法，其中调整所述存储器装置的所述刷新速率包括：

5.根据权利要求4所述的方法，其中降低所述刷新周期性增加了所述存储器装置的所述刷新速率。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述存储器装置在自动刷新操作模式中进行操作，且其中所述自动刷新操作模式包括响应于从所述主机装置接收到一或多个刷新命令而执行所述一或多个刷新操作。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述存储器装置在自刷新操作模式中进行操作，且其中所述自刷新操作模式包括由所述存储器装置发起所述一或多个刷新操作。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述阈值在所述存储器装置处预配置。

9.一种存储器装置，其包括：

10.根据权利要求9所述的存储器装置，其中所述一或多个控制器经配置以使得所述存储器装置以：

11.根据权利要求9所述的存储器装置，其中所述一或多个控制器经配置以使得所述存储器装置以：

12.根据权利要求9所述的存储器装置，其中，为了调整所述存储器装置的所述刷新速率，所述一或多个控制器经配置以使得所述存储器装置以：

13.根据权利要求12所述的存储器装置，其中降低所述刷新周期性增加了所述存储器装置的所述刷新速率。

14.根据权利要求9所述的存储器装置，其中：

15.根据权利要求9所述的存储器装置，其中：

16.根据权利要求9所述的存储器装置，其中所述阈值在所述存储器装置处预配置。

17.一种存储用于操作存储器装置的代码的非暂时性计算机可读媒体，所述代码包括指令，所述指令可由一或多个处理器执行以：

18.根据权利要求17所述的非暂时性计算机可读媒体，其中所述指令可由所述一或多个处理器进一步执行以：

19.根据权利要求17所述的非暂时性计算机可读媒体，其中所述指令可由所述一或多个处理器进一步执行以：

20.根据权利要求17所述的非暂时性计算机可读媒体，其中，为了调整所述存储器装置的所述刷新速率的所述指令可由所述一或多个处理器执行以：

技术总结本申请涉及存储器装置的刷新速率控制。举例来说，可根据例如刷新速率的第一组刷新参数刷新存储器装置的存储器阵列。所述存储器装置可检测所述存储器装置处与数据完整性降低相关联的事件。在一些情况下，所述事件可与所述存储器装置的温度、在所述存储器装置处检测到的电压电平、所述存储器装置处的错误事件等等相关联。作为检测到所述事件的结果，所述存储器装置可调适所述一组刷新参数中的一或多个，例如增大所述存储器阵列的所述刷新速率。在一些情况下，所述存储器装置可通过增加在刷新操作期间刷新的所述存储器阵列的行的数量、减小刷新操作之间的周期性或同时进行这两种操作来调适所述一组刷新参数。技术研发人员：S·E·谢弗,A·P·贝姆受保护的技术使用者：美光科技公司技术研发日：技术公布日：2024/7/23